电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器制造技术

一种电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器。所述电压比较电路包括：按第一分压比率和第二分压比率对输入电压执行分压而生成第一电压和第二电压的分压单元；基于第一电压和参照电压输出第一信号和基于第二电压和参照电压输出第二信号的比较单元；基于第一信号和第二信号输出输入电压是否在预定电压范围的结果信号的逻辑门。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器。所述电压比较电路包括：按第一分压比率和第二分压比率对输入电压执行分压而生成第一电压和第二电压的分压单元；基于第一电压和参照电压输出第一信号和基于第二电压和参照电压输出第二信号的比较单元；基于第一信号和第二信号输出输入电压是否在预定电压范围的结果信号的逻辑门。【专利说明】电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器
本技术涉及一种电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器用，更具体地讲，涉及一种用于确定电压是否在预定范围的电压比较电路即包括该电压比较电路的液晶显示器。
技术介绍
薄膜晶体管型液晶显示器（TFT-IXD)是目前常用的液晶显示器。在TFT-IXD中，每个像素都设有一个半导体开关（即，晶体管)，每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因此每个节点都相对独立，并可以连续控制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶。在TFT-IXD中，光点显示持续时间的控制是依靠像素信号通过一个半导体开关(即，TFT)对电容充电，依靠电容电压形成的电场再控制液晶分子的扭曲。在每一个场周期，所述TFT都要导通一次，以便对电容充、放电一次，而导通TFT的电压就是VGH (S卩，栅极导通电压)，关闭TFT的电压就是VGL。当基于N沟道MOS管实现TFT时，VGH 一般是约10?20V的正电压以便充分打开，而VGL —般是约-5V的负电压，以便充分关闭。TFT的VGH是否在预定电压范围将直接影响TFT-IXD显示效果，而TFT的VGH容易受到静电释放（ESD)的影响而偏移，因此需要一种能够检测TFT的VGH是否在其预定电压范围的电路，以确定VGH是否因ESD的影响而偏离了其预定范围。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种能够确定TFT-IXD的栅极导通电压是否在预定电压范围的电压比较电路和包括该电压比较电路的液晶显示器。根据本技术的一方面，提供了一种用于确定输入电压是否在预定电压范围的电压比较电路，包括：按第一分压比率和第二分压比率对输入电压执行分压而生成第一电压和第二电压的分压单元；基于第一电压和参照电压输出第一信号和基于第二电压和参照电压输出第二信号的比较单元；基于第一信号和第二信号输出输入电压是否在预定电压范围的结果信号的逻辑门。优选地，比较单元被构造为当参照电压小于第一电压而大于第二电压时输出具有不同电平的第一信号和第二信号。优选地，逻辑门为异或逻辑门。优选地，比较单元为双比较器芯片，并具有接收第一电压的第一输入端、接收第二电压的第二输入端、接收参照电压的参照电压输入端、输出第一电压与参照电压的比较结果的第一信号的第一输出端和输出第二电压与参照电压的比较结果的第二信号的第二输出端。优选地，比较单元包括：被构造为将第一电压与参照电压进行比较并输出第一信号的第一比较器和被构造为将第二电压与参照电压进行比较并输出第二信号的第二比较器。优选地，比较单元包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管具有接收第一电压的栅极、连接到地的源极以及接收预定电压的漏极，第二晶体管具有接收第二电压的栅极、连接到地的源极以及接收预定电压的漏极，其中，逻辑门连接到第一晶体管和第二晶体管的漏极以接收第一信号和第二信号。优选地，第一晶体管和第二晶体管同时是P沟道晶体管或N沟道晶体管。优选地，分压单元包括:按第一分压比率对输入电压执行分压而生成第一电压的第一分压电路；按第二分压比率对输入电压执行分压而生成第二电压的第二分压电路。优选地，第一分压电路包括串联连接的第一电阻器和第二电阻器，而第二分压电路包括串联连接的第三电阻器和第四电阻器。根据本技术的另一方面，提供了一种液晶显示器的电压比较电路，该电压比较电路为如上所述的电压比较电路，用以检测液晶显示器的薄膜晶体管的导通电压。根据本技术的另一方面，提供了一种液晶显示器，具有如上所述的电压比较电路，用以将液晶显示器的薄膜晶体管的导通电压作为输入电压而检测其是否在预定范围之内。优选地，所述液晶显示器还包括:基于电压比较电路输出的结果信号而控制液晶显示器的屏幕的刷新操作的控制器。根据本技术的电压比较电路，可通过将诸如TFT-1XD的栅极导通电压的输入电压与参照电压进行比较来能够确定输入电压是否在其预定电压范围。并且，由于能够通过电阻器等简单电子元件形成电压比较电路，其成本也比较低廉。【专利附图】【附图说明】通过下面结合附图对实施例进行的描述，本技术的这些和/或其他方面和优点将会变得清楚和更易于理解，其中:图1示出根据本技术的实施例的电压比较电路的框图；图2至图5示出根据本技术的第一实施例至第四实施例的电压比较电路的简化电路。【具体实施方式】现在对本技术实施例进行详细的描述，其示例表示在附图中，其中，相同的标号始终表示相同部件。下面通过参照附图对实施例进行描述以解释本技术。图1为根据本技术的实施例的电压比较电路的框图。如图1所示，根据本技术的实施例的电压比较电路可包括分压单元100、比较单元200、逻辑门300。分压单元100根据第一分压比率和第二分压比率对输入电压VIN (例如，TFT-1XD的栅极导通电压VGH)进行分压而生成第一电压VOUTl和第二电压V0UT2。这里，为了描述方便，假设第一电压VOUTl大于第二电压V0UT2，即第一分压比率小于第二分压比率。同时，为了描述方便，还假设输入电压(例如，TFT-1XD的栅极导通电压)的预定电压范围为VTHl至VTH2，其中，VTHl小于VTH2。即，在正常情况下，输入电压VIN应满足如下的数学式(I)所示:VTHl < VIN < VTH2 (I)另外，分压单元100的第一分压比率和第二分压比率分别被设置呈如下的数学式(2)和（3)所示：rl=VREF/VTHl (2)r2=VREF/VTH2(3)其中，rl和r2分别为分压单元100的第一分压比率和第二分压比率。而VREF为将在下面描述的比较单元200的参照电压。因此，从分压单元100输出的第一电压VOUTl和第二电压V0UT2可满足如下的数学式（4)和（5)：Vouti=VINX rl=VINX VREF/VTH1 (4)V0UT2=VIN X r2=VIN X VREF/VTH2(5)为此，分压单元100可包括第一分压器110和第二分压器120。第一分压器可以按第一分压比率对输入电压VIN进行分压，并输出第一电压V0UT1。第二分压器120可以按第二分压比率对输入电压VIN进行分压，并输出第二电压V0UT2。可通过分压电阻来实现第一分压器110和第二分压器120，但是分压单元100的实现方式不限于此。比较单元200输出基于第一电压VOUTl和参照电压VREF的第一比较信号COMl和基于第二电压V0UT2和参照电压VREF的第二比较信号COM2。例如，比较单元200可将第一电压VOUTl和参照电压VREF进行比较而输出第一比较信号COMl，并将第二电压V0UT2和参照电压VREF进行比较而输出第二比较信号COM2。当第一电压VOUTl大于VREF时，比较单元200输出第一电平的第一比较信号COMl，而当第一电压VOUTl本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮思旭，李振良，
申请(专利权)人：广州三星通信技术研究有限公司，三星电子株式会社，
类型：实用新型
国别省市：