提供一种能够在抑制氧化镓系半导体的特性劣化的同时进行工作的功率转换电路。一种功率转换电路，至少具有开关元件、以及检测所述开关元件的短路状态并基于检测结果来执行所述开关元件的关断操作的控制部，其中，所述开关元件包含氧化镓系半导体，所述控制...

提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体...

提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。...

提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述层叠结构体在与所述层叠结构体的层叠方向...

本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用在同一或不同水溶液中含有金属络合物及镓化合物的水溶液，所述金属络合物为具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种，所述具有两个以上的不同配体的金属...

本发明提供一种量产性优异的成膜方法。使用具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种金属络合物的成膜方法。

本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重‑差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。

本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金...

提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半...

提供一种能够在还考虑母基板即安装基板上的部件配置的同时提高子基板即部件内置基板的引脚配置的设计自由度的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。一种部件内置基板的设计支援装置，所述部件内置基板中内置有电子部件，所述电子部件构成电路的至...

提供一种在将高度不同的多个电子部件配置在部件内置基板内的情况下，能够在确保电子部件的选择自由度的同时，在短时间内进行高度调整的需要与否以及高度调整构件的详细设计的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。电子部件内置基板的设计支援装置...

本发明提供一种具有良好的取向性且以锗为主成分的金红石型结构的氧化物结晶。得到一种氧化物结晶，通过在特定条件下使用雾化CVD法在金红石型结构的氧化钛基板上进行氧化锗的成膜，从而含有金红石型结构的氧化物，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶...

本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×10<supgt;18</supgt;/cm<supgt;3</supgt;以上，所述...

本发明提供一种异常晶粒得到降低且具有良好的结晶性的结晶性氧化物膜。得到一种结晶性氧化物膜，将含有锗的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到具有正方晶晶体结构的结晶基板上，接着使所述雾化液滴...

本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层，包括沟道层和漂移层；以及栅电极，经由栅极绝缘膜配置在该沟道层上，在所述沟道层与所述漂移层之间具有电流阻断层，所述半导体装置的特征...

本发明的目的之一是提供一种防止电洞注入栅极绝缘膜的结构。本发明的半导体装置包含栅极绝缘膜、以接触所述栅极绝缘膜的方式配置的电洞阻挡层及以接触所述电洞阻挡层的方式配置的氧化物半导体层，所述电洞阻挡层设置于所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体层...

本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α

提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具...

提供一种半导体装置，该半导体装置具有电场集中于肖特基电极的终端部的倾向，从而具有抑制电场集中的结构。作为本发明的一实施方式，半导体装置具有：半导体层；所述半导体层的侧面的至少一部分所接触的非导电层；以及配置在所述半导体层及所述非导电层上...