本申请提供一种离子注入角度校准方法，用于对不同能量段的离子注入机的靶台装置进行角度校准，所述方法包括：选取多片晶圆，并采用不同的离子注入角度分别对相应的所述晶圆进行离子注入；对所有经离子注入的晶圆进行热波测量，获得多个由离子注入角度和热...

本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面依次形成有硬掩膜层和第一键合标记层；通过所述一键合标记层将所述载体晶圆和功能晶圆的第一面键合；提供底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第一介质层以及位于所述第一...

本申请提供一种晶圆结构的形成方法，所述方法包括：提供包括底部晶圆和载体晶圆的键合结构，其中，所述底部晶圆和所述载体晶圆中间依次包括底部介质层和载体介质层，所述底部晶圆和所述载体晶圆通过所述底部介质层和所述载体介质层键合；将所述载体晶圆减...

本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容器单元，所述电容器单元包括：半导体衬底；电容沟槽，连续地分布于所述半导体衬底中，且所述电容沟槽将所述半导体衬底分隔成多个多面柱体，所述电容沟槽中形成有包括下电极、中电极和上电极的电容器结...

本申请技术方案提供一种晶圆处理方法及其系统，所述方法包括：提供第一晶圆及键合在所述第一晶圆上的第二晶圆，其中所述第二晶圆的边缘包括经第一次修边后形成的棱角；对所述第一晶圆和第二晶圆的边缘进行第二次修边，其中所述第二次修边包括：采用第一刀...

本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一...

本申请提供晶圆键合结构及其修边方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面键合有第一晶圆，所述第一晶圆的直径小于所述载体晶圆的直径；使用修边工具对所述第一晶圆进行第一修边，去除所述第一晶圆边缘的一部分，其中，所述修边工具的工作面被...

本申请提供一种晶圆堆叠结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆；第一晶圆，堆叠于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆的直径小于所述底部晶圆的直径；第一填充层，位于所述第一晶圆周围覆盖所述底部晶圆；第二晶圆，堆叠于所述第一晶圆表面，所述第二晶圆...

本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有底部介质层；第一晶圆，键合于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆面向所述底部晶圆的一面形成有第一介质层，所述第一晶圆和所述底部晶圆通过所述底部介质层...