一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：在所述鳍部内形成沿所述鳍部延伸方向贯穿所述鳍部的第一开口，所述第一开口底部暴露出所述第一区；在所述第一开口底部暴露出的所述第一区内形成第二开口，所述第二开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸大于所...

一种半导体结构的形成方法，包括：在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏层；在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙还位于部分所述源漏层侧壁和顶部表面；在所述第一区上的所述源漏层表面形成第一保护层，以及位于所述第一保护层上的掩膜层，所...