专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中科九曜科技有限公司专利技术
中科九曜科技有限公司共有10项专利
一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,...
一种铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozLu1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料的晶体生长方法,...
一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体及其生长方法技术
本发明公开一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体,具有以下化学式组成:V5xNd3yY3(1-y)Al5(1-x)O12,其中0<x≤0.02,0<y≤0.015。本发明还公开上述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法,包括...
一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法,...
一种大尺寸YAG或蓝宝石晶体的熔体法晶体生长方法技术
本发明公开了一种大尺寸YAG或蓝宝石晶体的熔体法晶体生长方法,所得大尺寸YAG或蓝宝石晶体的直径可达到坩埚直径的90%。本发明通过两个阶段实现放肩,在达到等径生长后,停止对晶体的提拉和旋转,通过PID调节功率实现对晶体生长速率的控制,从...
一种铥、钬掺杂钽酸铋发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开了一种铥、钬掺杂钽酸铋发光材料,具有以下化学式组成:TmyHozBi1-y-zTaO4,其中0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开了上述铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法,包括如下步骤:将含铥化合...
一种铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料的晶体生长方法,...
一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料的晶体生长方法,包...
一种铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozSc1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料的晶体生长方法,...
一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法技术
本发明公开了一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料,具有以下化学式组成:TmyHozBi1-y-zNbO4,其中0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开了上述铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法,包括如下步骤:将含铥化合...
1
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
115647
珠海格力电器股份有限公司
88194
中国石油化工股份有限公司
74285
浙江大学
70418
中兴通讯股份有限公司
63307
三星电子株式会社
62728
国家电网公司
59735
清华大学
49627
腾讯科技深圳有限公司
47418
华南理工大学
46311
最新更新发明人
昆山龙腾光电股份有限公司
1559
上海兰宝环保科技有限公司
142
余姚市龙翔水刺热轧无纺有限公司
34
三菱电机株式会社
26777
四川国软科技集团有限公司
191
苏州元脑智能科技有限公司
3225
法雷奥热系统公司
921
铜陵三正智控阀门有限公司
8
武义日天工具有限公司
11
河南嘉宝智和医疗科技有限公司
4