本发明公开了一种SGT‑MOSFET器件及其制作工艺，所述制作工艺步骤包括：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设深沟槽；在所述深沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；在所述深沟槽的侧壁以及所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积氮化硅保护层...

本发明公开了一种SGT‑MOSFET的制作方法，包括：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设沟槽；在所述沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；通过HDP‑CVD工艺沉积隔离氧化层和侧壁氧化层；所述侧壁氧化层之间形成一窄缝空间；在所...

本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层和ONO硬掩膜层，然后蚀刻形成深沟槽；生成场氧化层；填充第一多晶硅，并回刻去除多余的第一多晶硅；蚀刻场氧化层，形成侧壁保护层；...

本发明公开了一种阶梯介质层的沟槽半导体器件的制作方法，包括如下步骤：准在外延层上形成沟槽，在沟槽内生成介质层并填充光阻层；通过对所述光阻层曝光和显影去除沟槽外的光阻层；蚀刻所述介质层至一预设的保留深度，然后去除所述光阻层，并且在沟槽内进...

本发明公开了一种TMBS的半导体器件结构及其制作方法，所述半导体器件结构包括衬底、外延层和沟槽；所述沟槽呈二维带心网格形阵列设置，所述沟槽包括柱形沟槽和长条形沟槽，所述长条形沟槽沿所述二维带心网格形阵列的每条网格边的方向设置，所述柱形沟...

本发明提供一种功率器件的形成方法及功率器件，所述功率器件包括分离栅，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺...

本发明公开了一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，然后蚀刻形成第一沟槽，然后蚀刻形成第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽共同形成阶梯形沟槽；去除第一硬掩膜层，通过热氧化生成氧化保护层；通过相...

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：S1、形成初步半导体器件；S2、在所述初步半导体器件上沉积氮化硅层；S3、在所述氮化硅层上沉积顶部氧化层，以形成保护层。本发明提供的保护层可以有效降低保护层与封装材料的应力，最终提高器件的可...