本技术公开了一种半导体功率器件封装结构，包括封装体、芯片、基板及若干引脚，所述芯片、基板及引脚封装于封装体内，所述基板的底部外露于封装体外，所述引脚的至少一端延伸至封装体外；所述引脚包括若干互连引脚，所述互连引脚与芯片某一共同电极电连接...

本发明提供一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法，该MOSFET单元，包括：MOSFET，包括有源区、Gate引出区和Gate pad区；和RC电路，用于消除振铃信号；所述RC电路包括第一端和第二端，所述第一端与所述MOSFET的栅极...

本发明公开了一种SJ‑MOSFET器件，第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；源区；体区；第二导电类型掺杂柱；沟槽栅，所述沟槽栅设置在第二导电类型掺杂柱侧面，并且贯穿所述源区和体区；沟槽伪栅，所述沟槽伪栅设置在第二导电类型掺杂柱侧面，并...

本发明公开了一种SJ‑MOSFET器件，第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；源区；体区；第二导电类型掺杂柱；沟槽栅，所述沟槽栅设置在第二导电类型掺杂柱侧面，并且贯穿所述源区和体区。本发明另一方面公开了其制作方法。本发明将栅极以及栅极沟...

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制作方法，包括如下步骤：提供一外延层，设置阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅为凹型缺口结构；形成体区和阱区；形成绝...

本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽的底部设置有源极多晶硅，源极多晶硅外侧依次设置有第三隔离层、第二隔离层和第一隔离层，源极多晶硅上端依次设置有隔离氧化层和第一栅极多晶...

本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述沟槽在水平方向上具...

本发明公开了一种半导体功率器件封装结构，包括封装体、内部电连接结构、若干基板、若干芯片及若干引脚，所述内部电连接结构、基板、芯片及引脚封装于封装体内，所述基板的一侧外露于封装体外，所述引脚的至少一端延伸至封装体外，所述内部电连接结构用于...

本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，包括提供一外延层；形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；设置掩膜层；蚀刻栅极多晶硅；去除掩膜层；进行...

本技术公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述接触孔的底部在水平...

本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法，包括提供一外延层，形成阻挡层；进行蚀刻，形成沟槽；形成场氧化层；沉积多晶硅并进行第一次回刻，形成中间过程屏蔽栅多晶硅；蚀刻所述场氧化层；对所述中间过程屏蔽栅多晶硅进行第二次回刻，...

本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述接触孔的底部在水平...

本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法，包括提供一外延层，形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成屏蔽栅多晶硅；形成光刻胶阻挡层；蚀刻所述场氧化层；去除所述光刻胶阻挡层；在所述屏蔽栅多晶硅上方形成隔离氧化层，同时蚀刻去...

本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，包括提供一外延层；形成阻挡层；形成沟槽；形成第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；去除所述第三隔离层；去除第二区域的所述第二隔离层；沉积多晶硅并回刻，...

本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，包括提供一外延层；形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；设置掩膜层；蚀刻栅极多晶硅；去除掩膜层；进行...

本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件结构，包括：衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上；沟槽，所述沟槽设置在外延层内；绝缘隔离层，所述绝缘隔离层设置在外延层上；接触孔，所述接触孔贯穿绝缘隔离层并延伸至体区内；所述沟槽在水平方向上具...

本发明公开了一种SGT‑MOSFET器件及其制作工艺，所述制作工艺步骤包括：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设深沟槽；在所述深沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；在所述深沟槽的侧壁以及所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积氮化硅保护层...

本发明公开了一种SGT‑MOSFET的制作方法，包括：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上开设沟槽；在所述沟槽设置场氧化层和屏蔽栅多晶硅；通过HDP‑CVD工艺沉积隔离氧化层和侧壁氧化层；所述侧壁氧化层之间形成一窄缝空间；在所...

本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层和ONO硬掩膜层，然后蚀刻形成深沟槽；生成场氧化层；填充第一多晶硅，并回刻去除多余的第一多晶硅；蚀刻场氧化层，形成侧壁保护层；...

本发明公开了一种阶梯介质层的沟槽半导体器件的制作方法，包括如下步骤：准在外延层上形成沟槽，在沟槽内生成介质层并填充光阻层；通过对所述光阻层曝光和显影去除沟槽外的光阻层；蚀刻所述介质层至一预设的保留深度，然后去除所述光阻层，并且在沟槽内进...