本发明提出了一种SOI晶圆的制造方法及其SOI晶圆，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括价格低并耐高温的材料；在所述衬底的上表面、下表面以及侧面上形成绝缘层，以使衬底被所述绝缘层包围；在所述衬底上表面的绝缘层上形成半导体层；进行退火晶化...