本发明公开了一种用于PSM高压电源的串级截尾脉冲电路和工作方法，串级截尾脉冲电路包括多个串级斩波模块和低压侧截尾脉冲发生器；串级斩波模块的数量与PSM高压电源中的PSM主模块数量相同，每个串级斩波模块与其对应的PSM主模块输出端并联连接...

本发明公开了一种等离子体列管式燃烧炉及其使用方法，涉及固废热处理技术领域，包括多个等离子炉体，等离子炉体并排连接，且等离子炉体的高度按照进气的顺序依次增高，每个等离子炉体内均连接有列管，列管顶部延伸至等离子炉体外部并通过输送管道与其相邻...

本发明涉及放射性废物热解熔融处理工艺应用领域，公开了一种具有自组装分离式电极的等离子体炬，包括：金属的阳极外套，所述阳极外套设置有第一水冷夹层，所述阳极外套的内侧可拆卸连接有管状的阳极内芯；金属的阴极外套，所述阴极外套设置有第二水冷夹层...

本发明公开了一种用于管状工件的内壁镀膜装置、镀膜方法，包括真空室；柱状阴极弧源，置于管状工件内部，与管状工件一起固定连接于真空室顶部；加热系统，装配于真空室上，用于对管状工件进行加热；阴极弧电源，连接于柱状阴极弧源以形成回路；电抗器，串...

本发明公开了一种放射性尾气除尘装置及方法，涉及放射性废物减容处理技术领域；除尘装置，包括：布袋除尘室，上端设置有排气室；过滤布袋，安装于所述布袋除尘室内，用于滤除尾气中的颗粒物；等离子体静电除尘组件，包括阴极板和阳极板，所述阴极板和所述...

本发明涉及等离子体危废处理技术领域，公开了一种等离子体集成处理医疗废物的装置及其方法，处理装置包括：废物预处理装置，设置为接收医疗废物，并对所述医疗废物进行剪切处理；等离子体聚能装置，与所述废物预处理装置相连，设置为对剪切处理后的医疗废...

本发明公开了一种多波形多路宽频输出的纳秒脉冲高压电源及输出方法，涉及高压纳秒脉冲电源技术领域；通过全桥逆变器和脉冲变压器配合输出正电极和多个负电极，多个负电极分别对不同液面的废液进行降解，通过控制全桥逆变器的开关管实现单个纳秒脉冲高压电...

本发明公开一种应用于等离子体的大功率炬电源，涉及等离子体技术领域，基于现有的大功率炬电源进行改进，增设可控直流功率回路，通过可控直流功率回路与主功率回路配合以适应等离子体生产的不同阶段，在等离子体产生阶段，回路空载电压串接直流功率以避免...

本发明涉及等离子体医疗废物处理领域，公开了一种等离子体集成处理医疗废物的燃烧炉，包括进料管道、等离子体炬、气化炉芯、排气炉芯、二次燃烧室和燃烧炉外壳，所述二次燃烧室包括若干燃烧室构件，所述燃烧室构件为中空腔形结构，且腔壁上部和下部分别设...

本发明公开了一种等离子体高温熔融碳质混合固废处理系统、处理方法；处理系统包括炉前进料装置，用于收集碳质混合固废；浮选分离系统，用于对碳质混合固废进行浮选分离以得到精碳粉末和杂质；闪蒸放电装置，用于对精碳粉末放电处理以获得叠层石墨烯；等离...

本发明公开了一种等离子体高温熔融炉出料装置及熔融炉，涉及放射性废物处理技术领域；出料装置，包括：堵头，用于封堵熔融炉的出料口；加热组件，中部设有供所述堵头穿过的空腔，用于加热堵头；直线驱动组件，用于驱动所述堵头沿自身长度方向移动，以解除...

本发明属于表面科学与工程技术领域，具体公开了一种替代金属过渡连接层的离子注入方法，采用高能纯金属离子进行注入和镀膜，有效解决复杂腔体结构陶瓷器件的孔、道侧壁金属层的均匀性和致密性差的问题，降低器件整体插损，取消陶瓷基体和金属导电层之间的...

本发明属于放射性有机废液处理领域，具体涉及一种处理放射性TBP/OK有机废液的方法，包括：步骤1、将放射性TBP/OK有机废液配置为悬浮液或乳化液；步骤2、TBP/OK模拟废液乳化液在等离子体炬内进行有机物裂解；步骤3、在热解燃烧室中沉...

本发明属于放射性废物处理技术领域，具体公开一种等离子体高温热解熔融处理放射性废物的系统及方法，系统包括等离子体高温熔融炉，与熔融炉连通的等离子体炬、进料装置、可燃气补充燃烧装置，与燃烧装置连通的空气泵、两级除尘装置，与燃烧装置、两级除尘...

本发明属于表面科学与工程技术领域，具体公开了一种塑料表面低温真空离子镀的镀膜方法，包括：步骤(1)、采用霍尔离子源，进行塑料工件表面离子束溅射清洗、活化；步骤(2)、采用真空磁过滤阴极电弧源，进行塑料工件表面低温真空离子镀；步骤(3)、...

本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种可抑制米勒效应的全桥式逆变器，从主电路的根源上解决半导体开关器件固有的米勒效应导致半桥的上下两只开关管同时导通的问题，开关管开通时将不会影响到同桥臂的另一只开关管的漏源电压V

本发明属于表面工程技术领域，具体涉及一种CrAlVSiN涂层的制备方法，该CrAlVSiN涂层包括过渡层、中间层和功能层，过渡层沉积于基材表面，中间层沉积于过渡层上，功能层沉积于中间层上；过渡层为TiAlN，中间层为CrAlTiN；功能...

本申请属于磁控溅射技术领域，具体涉及一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，采用高频逆变技术将三相电调整到预置的直流电压值，通过变压器经过整流滤波为电容组储能提供能量，多个电容组通过电位串联叠加实现高压脉冲输出。电容组储能后经...

本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽水冷外壳和安装背...

本发明属于材料制备技术，具体涉及一种使聚四氟乙烯表面具备超疏水性的制备方法，清洗聚四氟乙烯材料表面，材料表面吹干，材料浸入无水乙醇超声清洗，聚四氟乙烯材料表面注入Ti离子。其接触角显著提升，并且防止长时间之后接触角不发生明显变化，表明疏...