本发明提供一种签核系统的管理方法、签核系统、可读存储介质及服务器，所述管理方法包括：开启设置在所述签核系统中用以实现互操作性的代理协议，接收用于与不同客户端连接的连接参数，引入针对不同客户端的应用程序编程接口包，以使应用所述签核系统的服...

本发明提供一种低压差线性稳压电路、电压调整率补偿单元及方法，包括藉由基准参考电压产生模块产生参考电压；藉由温度感应模块检测温度；当环境温度超过设定温度时，温度感应模块对基准参考电压产生模块产生的参考电压进行补偿，进而控制功率管调整输出电...

本实用新型公开了一种溅射腔室及物理气相沉积设备，属于半导体制造技术领域，包括腔室壁，其内部固定有一盖环；基座，用于承载晶圆，基座设置于盖环的下方；圆筒状的托举装置，围绕基座设置，托举装置的内壁上设置一环形的台阶；基座具有相对伸出于托举装...

本发明提供一种集成肖特基结的功率器件结构及其制造方法，包括：N型外延层，其具有表面形成氧化层的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，所述第一沟槽底部形成有肖特基结，所述第二沟槽中有与所述肖特基结相连的肖特基金属层；绝缘材料及栅介质层；互连的多晶...

本发明提供一种肖特基器件结构及其制造方法，包括：N型外延层，其形成有多个第一沟槽以及位于第一沟槽外围区域的第二沟槽；氧化层及多晶硅，形成于第一沟槽及第二沟槽内；第三沟槽，去除第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层而成；金属硅化物，形成于第三沟槽...

本发明提供一种沟槽型MOS器件结构及其制造方法，所述器件结构从下到上依次包括多晶硅层；氮化硅层；从下到上依次包括衬底、第一外延层和第二外延层的衬底结构；栅介质层；第一介质层；金属电极引出端；其中，第二外延层内设有深沟槽，其下部从外向内依...

本发明提供一种沟槽型MOS器件及其制造方法，其中，所述沟槽型MOS器件至少包括：第一导电类型重掺杂衬底及其上的第一导电类型轻掺杂外延层；间隔形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的多个第一导电类型源区及多个沟槽；形成于所述沟槽内的栅氧化...

本实用新型提供一种用于IGBT模块高温反偏试验的接线板，所述接线板至少包括：接线板主体、第一定位装置、第二定位装置、电源接线柱；所述接线板主体中埋设有线路，所述接线板主体通过所述第一定位装置固定在加热装置中；多个所述IGBT模块通过第二...

本发明提供一种基于硅压阻式的压力传感器封装结构，该结构包括：基座、引脚针、基座盖、硅压阻式压力传感器芯片、基板以及保护介质；其中，在基座内设有一腔体；基板固定于腔体底部；硅压阻式压力传感器芯片固定于基板上，并通过导电性锡球与基板电性连接...

本实用新型提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件。通过本实用新型提供的TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清...

本实用新型提供了一种超结器件，其中包括于一半导体衬底上依次生成多个非掺杂外延层；在形成每一非掺杂外延层后，在当前的所述非掺杂外延层上依次注入一层N型杂质，以及于对应所述硅衬底的P型区域注入一P型杂质；通过一退火工艺对所有非掺杂外延层中的...

本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成外延层；2）在外延层内形成沟槽，并在沟槽侧壁形成屏蔽氧化层；3）在形成有屏蔽氧化层的沟槽底部形成屏蔽多晶硅层；4）在沟槽内形成屏蔽材料...

本实用新型提供一种提升传送手臂腔中传感器识别率的装置，所述装置至少包括：反射镜、激光发射器、激光接收器以及光照系统；所述反射镜位于所述传送手臂腔的底部，所述反射镜表面沉积有副产物；所述激光发射器和激光接收器分别设置在所述反射镜上方的两侧...

本发明提供一种带有自对准接触孔的沟槽型器件的制造方法，属于沟槽型器件技术领域，包括：制备复合结构；采用一第二光刻版为掩膜，形成源极；去除所述第二氧化层形成多晶硅栓塞；对所述凹槽底部的体区进行离子注入并退火以形成体区欧姆接触；沉积第四氧化...

本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法，包括：采用化学机械抛光使外延层上方的屏蔽多晶硅和屏蔽氧化层减至目标厚度；沉积氮化硅层覆盖屏蔽多晶硅和屏蔽氧化层，对氮化硅层进行刻蚀以形成对应深沟槽的窗口并去除上述窗口中的上述氮化硅层；以氮化...

本发明提供一种缺陷检测机台与SMIF的自锁系统及自锁方法，包括：SMIF、生产操作系统及缺陷检测机台；生产操作系统适于存储待检测晶圆的数据信息；缺陷检测机台适于对待检测晶圆进行缺陷检测，并记录检测完毕的晶圆的数据信息；SMIF与生产操作...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种可控硅器件及其制备方法，通过采用深沟槽刻蚀和外延等方法，可以缩小器件面积、提高器件一致性和成品率。且由于采用现代常规工艺模块技术，使得可控硅器件可以和集成电路芯片及其它功率器件(如功率MOSFE...

本发明涉及一种准静态动态移位寄存器及红外焦平面阵列读出电路。本发明包括：第一MOS管，于一第一时钟信号控制下导通一输入端信号至一第一参考节点端；第二MOS管，可控制地连接于电源电压端和第一参考节点端，其控制端连接一第二参考节点端；第三M...

本实用新型公开了一种测试夹具，属于测试设备技术领域，适用于测试红外热成像探测器，测试夹具包括一定位板，定位板上设置有两个第一凹槽，并且每个第一凹槽的底部设置有多个第二凹槽，每个第一凹槽用于容纳红外热成像探测器的一个引脚；测试夹具还包括一...

本实用新型公开了一种真空泵N+1系统装置，包括：若干炉管设备；若干真空泵，每一真空泵分别与一炉管设备相连接，每一真空泵和一炉管设备之间设有一单向阀；若干预警装置，每一真空泵设置有一预警装置；一真空备泵，若干炉管设备均与真空备泵相连接，真...