本实用新型涉及二极管设计技术领域，尤其是一种大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，包括低电容二极管管芯、铜片、大功率瞬态电压抑制二极管管芯；低电容二极管管芯的金属化层b通过焊接与铜片顶端连接，大功率瞬态电压抑制二极管管芯的金属化层c通过焊接...

本实用新型提供了一种半导体器件的多功能腐蚀装置，包括提手、篮架、酸洗盘、支架；所述支架安装在支架内，所述支架安装在篮架内，所述提手安装在篮架的上端，所述酸洗盘在支架内上下水平布置有若干排。本实用新型将酸、碱腐蚀工艺在一个腐蚀盘内进行，大...

本实用新型提供的一种二极管全动态老化电路，包括老化电路、电源电路、控制电路，老化电路包括负载二极管D1，负载二极管D1的正极与电源连接，负载二极管D1的负极共同与二极管D2的正极和二极管D3的负极连接，二极管D2的负极与正向电流采样电阻...

本发明公开了一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法，涉及二极管制造技术领域；包括管芯的制备、电极焊接、处理封装；本发明二极管采用U型玻璃钝化表贴封装结构，结合了玻璃钝化产品可靠性高、抗机械、温度冲击能力强特点，以及表贴封装...

本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法；包括以下步骤：将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面...

本发明涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法；包括以下步骤：先通过参杂扩散的方式制造击穿电压为900V～1100V的芯片；通过电子束蒸发的方式对实现硅片的表面金属化；将硅片通过裂...

本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，...

本发明涉及二极管设计技术领域，尤其是一种大功率超低电容瞬态电压抑制二极管，由低电容二极管管芯、铜片、大功率瞬态电压抑制二极管管芯依次串联，其中低电容二极管管芯和大功率瞬态电压抑制二极管管芯为共阴极串联连接，并且对大功率超低电容瞬态电压抑...