本发明涉及一种碳纳米结构的液相合成方法，特别是涉及网状碳纳米结构。首先将阳极、阴极放入有机溶液中；再加入适当催化剂；并在阳极、阴极上通以高压和直流电流并经过一定时间的电解后，在阴极上形成纳米碳网。本发明的优点是采用在阳极、阴极上通以几百...

本发明涉及一种圆筒面鉴别率板镀铬装置，该装置包括电机，传动系统，转动轴，钼舟；电机的转轴通过传动系统与转动轴连接；圆筒形玻璃毛坯与转动轴固定连接，并与转动轴同轴；钼舟置于圆筒形玻璃毛坯的下方。本发明采用使圆筒形玻璃毛坯绕其轴线旋转，同时...

本实用新型是在真空镀膜系统中用电阻加热式蒸发舟的电极，特别是涉及一种对于需要多次加料的电阻蒸发舟支持电极的改进。包括：电极柱、法兰、螺钉、电极连板、电极夹板、蒸发舟、轴、导线、转动电极连板和固定电极连板。它的转动电极可避免由于固定式电极...

本实用新型真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟，属于真空镀膜领域中应用的加热器具。它是针对克服化合物蒸发材料在蒸发前、后的化学元素配比发生变化而改制的。该加热蒸发舟是由薄的耐高温金属片制成的、带有通气孔的加热片，加热片的中间部分均匀分布小孔，...

本实用新型涉及一种对真空镀膜系统中真空室观察窗的改进。包括基板１０、观察孔１１、转轮１２、转动轮１３、弹簧１４、磁铁１５和观察孔１６，本实用新型解决原有的观察窗在蒸发不透光的材料时，开始能看清真空室内蒸发物的情况，逐渐就模糊，往往没有等...

本实用新型属于电致发光技术领域，是一种附加有电场辅助装置的有机蒸发镀膜装置。本实用新型是在普通的真空有机镀膜机上，放入两个金属电极板，金属电极板在衬底基片的下方，并同其垂直。蒸发源在金属电极板的下方，蒸发物在向衬底基片迁移过程中，通过两...

本实用新型是一种附加有离子源的真空有机蒸发镀膜装置，本实用新型是在普通的真空镀膜机上，另外加装一个考夫曼离子源。所加的考夫曼离子源是在衬底基片的下面，同蒸发源等高的位置上，发出的离子束射向衬底基片，用导线和管道同外部的电源和气体源相连。...

本发明提供一种在低压化学气相淀积尾气处理系统中使用的可防止自身返油的水汽隔离油过滤器，采用进气空间多层隔离板附加挡油板及光滑表面金属丝的结构。正常工作时，气体可以自由通过，如果系统故障或误操作使出气端压力高于进气端，在返油过程中，油滴遇...

本发明涉及对溅射镀膜方法的改进。按镀膜材料选择交流电源，将交流电源与两组靶连接，使两组靶处于正负电位交替变化的状态；镀膜材料分别放置在两组靶上，根据的需要调节每个靶的功率调节器，靶上的镀膜材料在真空气体放电的环境下发生溅射，被溅射的镀膜...

本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层的生长方法。用电子回旋共振微波等离子体技术，适合于单晶Ｓｉ衬底片，在一定微波功率条件下，通过调整［Ｎ↓［２］］／［Ａｒ］气体流速比，气压和生长时间控制薄膜厚度，在低温下生长超薄Ｓ...

本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层。在Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜中掺入适量的ＳｉＯ↓［２］，再利用磁控溅射技术，通过调节射频功率、气压和Ｎ↓［２］／Ｏ↓［２］的气体流速比，在低温条件下制备出无应力ａ－ＳｉＯ↓［ｘ...

本发明涉及制备金刚石薄膜的方法，在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积；对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固；例如：制备金刚石场发射冷阴极，将电子发射区域有效地控制在所选择区域，集中密集发...

本发明属于光电技术，是一种透明导电薄膜，本发明是用掺有硼、铝、铟的一种或一种以上的Ｚｎ↓［２］ＳｎＯ↓［４］或Ｚｎ－ＳｎＯ↓［３］作为透明导电薄膜材料，用喷涂法、溅射镀膜法或热蒸发法、离子镀，制备氧化物透明导电薄膜，薄膜中分子式可以写成...

本发明适用于半导体激光器列阵组装的薄膜焊料。首先清洗并烘干玻璃片；把玻璃片均匀地涂上载体，然后烘烤，再涂上载体，再烘烤；热蒸发形成薄膜焊料，把带有薄膜焊料的玻璃片放在化学试剂中浸泡并从玻璃片上脱落，据需要对薄膜焊料进行清洗；对薄膜焊料的...

大口径高精度超光滑非球面制备方法，其特征在于步骤如下：在溅射功率及工作气体压强一定的条件下，首先对靶材的沉积速率进行定标，再根据球面和非球面的差异量，利用沉积速率确定出转盘公转机构的速度，通过控制球面基底上各点经过溅射靶材的公转速度，从...

低压反应离子镀方法制备碳锗合金（Ｇｅ↓［ｘ］Ｃ↓［１－ｘ］）膜，将工件置真空室上方，蒸发方式为电子束蒸发，其特征在于：　　　　ａ、选择双面抛光的锗片作为基底；　　　　ｂ、将氩气作为工作气体引入离子源，气体在离子源内电离形成等离子体；　　...

离子／等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜，将工件放置在真空室内工件架上，向真空室内通入气体，蒸发方式为电子束蒸发或热蒸发，其特征在于选择双面抛光的锗片作为基底；将含碳气体或含碳气体与氩气的混合气引入离子／等离子体源，离子／等离子源在１０...

本发明属于光电子材料技术领域，是一种氧化锌掺杂的二氧化硅薄膜材料的制备方法。先将氧化锌粉末放入加工好的模具当中，利用压片机或者油压机把氧化锌粉末加工成原柱形，经过９００～１２００℃高温焙烧２～４小时，使之成为陶瓷靶。然后把氧化锌陶瓷靶，...

本发明涉及用低压ＭＯＣＶＤ设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底，在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在２．０×１０↑［３］Ｐａ－１０↑［４］Ｐａ，依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源，生长温度为２５０℃－３５０℃...

本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种高镁浓度ＭｇＺｎＯ薄膜的制备方法，利用磁控溅射（ＲＦ　　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）设备外延生长方法，获得高质量的ＭｇＺｎＯ半导体三元合金薄膜；在合成的过程中可通过改变ＭｇＺｎＯ...