本实用新型公开一种半导体加工设备的托盘，用于在外延生长时放置晶圆，该托盘上设有若干收容晶圆的圆盘形凹槽，每个凹槽的内侧壁上设置有若干凸出的支撑点，其特征在于，至少一个凹槽中还设置有凸起装置，所述凸起装置从该凹槽的部分内侧壁向着凹槽中心延...

本发明涉及一种红外光学温度测量装置、方法及MOCVD系统，该红外光学温度测量装置仅包括温度测量通道，有效简化了红外光学温度测量装置的结构和测温操控时的复杂程度。所述温度测量通道包括：光学处理模块，用于在薄膜生长过程中收集以及过滤被测量对...

本实用新型涉及一种用于多反应腔化学气相沉积设备的多腔双密封圈系统，使各腔体的双密封圈系统共用一个真空泵，并配合使用小孔径的限流垫片来隔离各腔体之间的压力影响；还可以进一步引入化学气相沉积设备中的其他真空泵作为备用，来实现系统稳定性。本实...

本实用新型公开一种制造功率器件的多反应腔系统，包含：第一反应腔，通过外延反应在衬底基板上形成缓冲层，衬底基板放置于托盘上；第二反应腔，通过外延反应在已形成有缓冲层的衬底基板上形成完整的氮化镓功率器件结构；装卸腔，放置已形成完整的氮化镓功...

本发明公开一种温度控制系统，其包含：功率值计算单元，用于接收各个测温传感器检测的加热区域的温度值，根据该温度值计算各个加热区域对应的加热区域功率值；功率值转换单元，用于接收功率值计算单元输出的各个加热区域对应的加热区域功率值，并将加热区...

本发明涉及一种MOCVD设备和该设备中的托盘支撑旋转系统。该托盘支撑旋转系统包含托盘及旋转轴，在托盘底面设有向下延伸的凸起，凸起内贯通的空腔与托盘中心区域贯通的开孔相连通；托盘和旋转轴相接触时，托盘底面的凸起至少一部分插入旋转轴顶部设置...

本发明涉及一种CVD设备的进气装置，用于该进气装置的冷却装置及冷却方法。其中所述的冷却装置设有主体和底板，主体包含第一冷却槽和第二冷却槽，第一冷却槽还包含隔开的第一入水槽和第一出水槽。冷却液进入第一入水槽后通过间隔部上的第一开口流入第二...

本实用新型涉及一种MOCVD设备及其中的进气装置，通过在进气装置的下表面预先进行表面处理，形成耐高温及耐化学腐蚀的表面处理层，例如是与实际生产后的附着层的性质相类似的吸光涂层，或者热处理层，或化学处理层，或结构处理层等，这些表面处理层的...

本实用新型公开了一种加热器电源控制系统，包含：控制单元，与所述控制单元分别相连的多个并联电源，以及与所述多个并联电源分别相连的加热器；其中，所述控制单元用于计算加热器所需的目标功率或目标电流，并计算所述多个并联电源中各个电源相应的输出功...

本实用新型公开一种温度控制系统及金属有机化学气相沉淀设备及半导体薄膜沉积设备，温度控制系统包含：功率值计算单元、功率值补偿单元、与功率值计算单元和功率值补偿单元分别相连接的功率值相加单元、以及和功率值相加单元相连接的功率输出单元；功率值...

本实用新型涉及一种MOCVD设备及其中的失电保护装置，所述MOCVD设备包括用于放置晶片的托盘、和托盘直接接触并带动托盘转动的旋转轴、驱动旋转轴的电机，以及接收市电并至少向电机供电的交流电供电单元。所述失电保护装置包括不间断电源和控制单...

本实用新型公开了一种用于MOCVD设备的隔离装置，该隔离装置包含：第一隔离部分和第二隔离部分；第一隔离部分包含：第一环形挡板，与第一环形挡板相连接的支撑部，以及与支撑部相连接的若干个连杆；第二隔离部分包含第二环形挡板，第一隔离部分和第二...

本实用新型公开了一种防止气体反冲的装置以及金属有机化学气相沉积设备，该装置包含进气部分、和进气部分相连的主体部分、以及和主体部分相连的排气部分；进气部分内设有进气通道，主体部分内设有主体通道，排气部分内设有排气通道；主体通道分别与进气通...

本实用新型涉及MOCVD设备，使两种气体的喷孔均匀有间隔地交替分布在进气装置的底面，使两种气体进入反应区域后能有效混合，并容易控制气体均匀垂直地输送到衬底片表面上，来进行外延反应。衬底片的托盘采用高速旋转的结构，利用由此产生的泵效应能够...

一种MOCVD系统及其中反应气体的排气装置，该排气装置包括排气环，在排气环中设置了容纳冷却液并使其流通的若干内部空槽，以及使反应区域内的反应气体贯穿所述排气环排出的结构。本实用新型在实现均匀排气的同时，设置连接排气环的至少两个连杆，在排...