本发明属于芯片制造领域，提出了可提升光刻图形清晰度的次分辨率辅助特征图形生成方法。该方法利用连续透过率掩膜精准引导次分辨率辅助特征图形生成位置，在考虑了版图布局设计规则约束和透射光线相互作用范围影响之外，引入一项表征次分辨率辅助特征图形...

本发明属于芯片制造领域，提出了可降低掩膜复杂度的光学临近修正掩膜优化方法。该方法提出了一种用于光学临近修正的可以对抗偏差的新型损失函数。在考虑了打印误差和工艺偏差环的影响之外，引入一项代表掩膜与目标图像的偏差来规范掩膜的几何特征，通过对...

基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法、计算机系统及介质，为了解决掩膜优化的问题，对所获得的掩膜图像以及卷积核分别进行FFT运算，相应得到FFT结果，再通过FFT进行光刻模型演算，获得光刻结果，通过GPU优化函数减少光刻目标和光刻...

本发明属于芯片制造领域，提出了基于自适应混合共轭梯度下降的光学临近修正掩膜方法。该方法提出了一种可自我调节的混合共轭梯度下降策略。通过利用上一次循环的经验，指导下一次循环修正过程所选择具体采用的共轭梯度方法，做到自主调节梯度搜索的步长和...

距离正则水平集与卷积神经网络的水平集掩膜优化方法，为了解决掩模版在先进工艺下的优化问题，选取深度水平集掩膜数据集以及对应的掩膜标签作为训练神经网络模型的样本数据集，挑选该样本数据集中的一组图片和对应标签，同时做随机的旋转、缩放、平移和裁...