本发明涉及抓取装置技术领域，且公开了一种精细金属掩膜版抓取装置以及抓取方法。包括多轴机械臂，还包括抓取架，安装于多轴机械臂的前端并通过多轴机械臂多轴驱动，调距件a、吸料软管、真空管和第一视觉采集探头，均安装于抓取架上，两个对称设置的升降...

本发明公开了一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版加工方法，它涉及半导体技术领域。包括对低硫、低硒的高纯铁99.9％Fe、高纯镍99.99％Ni原材料采用VIM+PESR或者VIM+PESR+VAR熔炼工艺；所述的VIM工艺：熔炼真空度＜...

本发明公开一种金属掩膜版固定转移装置以及使用方法，涉及金属掩模版转运技术领域，包括转移部件；抓取机构，所述抓取机构安装于转移部件的执行端，其用于吸附固定精细金属掩膜版；两个夹持机构，两个所述夹持机构对称安装于抓取机构的两侧，两个所述夹持...

本发明公开了一种高残厚产品的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤：将基板先后浸渍于有机溶剂中5至10min，取出后用去离子水冲洗干净，清洗基板表面的尘埃或杂质，再喷洒封装材料，制备改性光刻胶，按照配重比例将高纯度氟化氢、...

本发明公开了一种不易脱膜的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤，通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明基板上沉积导电膜或半导体膜，将光阻剂均匀涂覆在透明基板表面，采用旋转涂布技术，利用离心力原理使光阻剂平铺在透明基板上...

本发明公开了一种超精密金属掩膜版用I nvar蚀刻深宽比的调控方法，具体涉及超精密金属掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：选取超精密金属掩膜版；步骤S2：将超精密金属掩膜版放入化学气相沉积室内在其表面上形成一层氧化膜；步骤S3：对超...

本申请涉及退火炉领域，公开了一种用于因瓦合金箔材退火的卧式连续退火炉，包括底板以及安装固定在底板上的预热段、加热段、缓冷段和快冷段，所述预热段、加热段、缓冷段和快冷段从左向右依次排布，预热段、加热段、缓冷段和快冷段的两侧壁上均设有料口，...

本发明公开了一种用于OLED的金属掩膜版，它涉及金属掩膜版技术领域。包括掩膜版，支撑固定掩膜版的掩膜版框架，掩膜版的中间设置有蒸镀区，所述的蒸镀区包括有效蒸镀区和无效蒸镀区，无效蒸镀区的外部为实板材区，无效蒸镀区内侧为有效蒸镀区；所述的...

本发明属于清洗方法领域，尤其是一种新型Invar原材清洗的线体及方法，其中的新型Invar原材清洗的线体包括碱洗段、酸洗段、水洗段、风刀段、烘箱段和膜厚检测段，所述酸洗段位于碱洗段的右侧，碱洗段和酸洗段之间设有水洗段一，酸洗段和风刀段的...

本发明属于Invar加工设备领域，尤其是一种改善超薄带Invar起筋的方法及装置，器其中的改善超薄带Invar起筋的方法包括以下步骤：S1：特定的热退火设备，建立热退火炉用于超薄带Invar的输送，且炉长设置为25‑50m之间；S2：在...

本发明公开了掩膜版用invar原材的表面控制方法，具体涉及掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：对i nvar原材进行称重，在i nvar原材表面涂上光刻胶后进行曝光显影后形成光刻图案；步骤S2：轧制I nvar原材表面粗糙度；步骤S...

本发明属于研磨板生产设备技术领域，尤其涉及一种掩膜版生产设备，包括：工作箱，驱动电机，分别间隔于工作箱一端壁的两侧，输出端均贯穿至工作箱内；丝锥杆，分别一端与驱动电机的输出端连接，另一端分别与工作箱背离驱动电机一侧的内壁转动连接；吸附装...

本发明属于掩膜版生产技术领域，尤其涉及一种用于掩膜版生产用的喷压设备，包括：两个支撑架，间隔设置于地面上；传输带，设置于两个支撑架之间；安装架，安装于两个支撑架上且位于传输带的上方；厚度检测装置，固定端安装于安装架底端，输出端朝向于传输...

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种精密金属掩膜版生产用柔性滚轮，包括：滚轮支撑架；滚轮轴，固定安装于滚轮支撑架上；环槽，开设于滚轮轴外侧壁上；弹性衬套，套设于滚轮轴外侧，弹性衬套与环槽之间形成可膨胀的环形容纳腔；进气装置，位于滚轮支...

本发明属于湿法蚀刻技术领域，特别涉及一种用于湿法蚀刻补偿蚀刻装置，包括：溢流盒；集液槽，位于溢流盒下方；进液管道，位于溢流盒与集液槽之间用于向溢流盒输送药液；其中，进液管道的出液端贯穿溢流盒外一侧壁伸入溢流盒内部，溢流盒上端开设有用于供...

本发明属于掩膜版技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其生产工艺，包括：板体；若干进气槽组，设置于板体的顶端，且若干进气槽组沿着板体的长度方向间隔设置，所述进气槽组包括若干沿着板体宽度方向间隔设置的进气槽；以及若干蒸镀孔，分别设置于板体的底端并...

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种精密金属遮罩工艺提高蚀刻因子的方法，包括如下步骤：步骤一

本发明公开一种箔材无损残余应力磁测方法及磁测系统，包括以下步骤：S100：在不同的提离高度下，测试不同的励磁电流下磁感应电压值V

本实用新型公开一种适用于金属掩膜版的缓冲单元和加工装置，包括：机架；第一从动辊，设置于机架一端；第二从动辊，设置于机架另一端；驱动辊，滑动设置于机架上，且位于第一从动辊和第二从动辊之间；金属掩膜版依次绕过第一从动辊、驱动辊、第二从动辊设...

本发明公开一种金属掩膜版光罩组件及金属掩膜版基材的曝光方法，包括：光罩，具有第一平面和第二平面，所述第一平面具有切角，所述切角宽度D1小于光罩厚度T的一半；夹爪治具，贴合于光罩上下端面，包括治具本体和设置于治具本体一侧且贴合切角设置的贴...