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浙江研煌科技有限公司专利技术
浙江研煌科技有限公司共有10项专利
一种工作频段可数字控制的负反馈低噪声放大器制造技术
本发明公开了一种工作频段可数字控制负反馈低噪声放大器,RFin与L1正端、C0正端连接V0;L1负端连接GND;C0负端与L2正端、C1正端连接V1;L2负端连接GND;C1负端与L3负端、R1正端、M1栅极连接V2;L3正端与C2负端...
一种工作频段可数字控制的分支线耦合器制造技术
本发明公开了一种工作频段可数字控制的分支线耦合器,端口1与M3源极、M1漏极、C1正端连接V1;M3栅极与R3负端相连;R3正端与端口5相连;M3漏极与L3正端相连;L3负端与M4漏极相连;M4栅极与R4正端相连;R4负端与端口6相连;...
一种基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器制造技术
本发明公开了一种基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器,包括依次相连的输入匹配模块(1)、第一级放大器模块(2)、巴特沃兹滤波器(3)、第二级放大器模块(4)和输出匹配模块(5);巴特沃兹滤波器(3)和输出匹配模块(5)之间还设有与第二级...
一种增益可数字控制的低噪声放大器及控制方法技术
本发明公开了一种增益可数字控制的低噪声放大器及控制方法,包括低噪声放大器晶体管,低噪声放大器晶体管的栅极与V1端相连,V1端连接有第一电容和第一电感;低噪声放大器晶体管的源极连接有第二电感,第二电感连接有增益可数字控制模块;所述低噪声放...
工作频段可数字控制的负反馈低噪声放大器制造技术
本技术公开了工作频段可数字控制负反馈低噪声放大器,RFin与L1正端、C0正端连接V0;L1负端连接GND;C0负端与L2正端、C1正端连接V1;L2负端连接GND;C1负端与L3负端、R1正端、M1栅极连接V2;L3正端与C2负端、V...
基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器制造技术
本技术公开了一种基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器,包括依次相连的输入匹配模块(1)、第一级放大器模块(2)、巴特沃兹滤波器(3)、第二级放大器模块(4)和输出匹配模块(5);巴特沃兹滤波器(3)和输出匹配模块(5)之间还设有与第二级...
基于硅基异质集成工艺的立体LC射频滤波器制造技术
本技术公开了基于硅基异质集成工艺的立体LC射频滤波器,通过硅基异质集成工艺实现的高密度TSV通孔与窄间距的RDL布线层实现高感值的立体电感线圈,结合TSV孔铜填充与厚RDL布线层实现电感线圈的内阻降低,提高了电感Q值并减小了体积。利用硅...
工作频段可数字控制的分支线耦合器制造技术
本技术公开了工作频段可数字控制的分支线耦合器,端口1与M3源极、M1漏极、C1正端连接V1;M3栅极与R3负端相连;R3正端与端口5相连;M3漏极与L3正端相连;L3负端与M4漏极相连;M4栅极与R4正端相连;R4负端与端口6相连;M1...
增益可数字控制的低噪声放大器制造技术
本技术公开了一种增益可数字控制的低噪声放大器,包括低噪声放大器晶体管,低噪声放大器晶体管的栅极与V1端相连,V1端分别连接有第一电容和第一电感,第一电容与RFin端相连;低噪声放大器晶体管的源极连接有第二电感,第二电感连接有增益可数字控...
一种基于硅基异质集成工艺的立体制造技术
本发明公开了一种基于硅基异质集成工艺的立体
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