本发明提供一种半导体三极管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形...

一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述制造方法包括：提供第一导电类型的衬底，在衬底上依次生长第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层和第二外延层之间还设置有隔离结构，从第二外延层表面刻蚀形成贯穿第二外...

本发明提供一种金属氧化物半导体关断晶闸管及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一外延层，第二导电类型的第二外延层，第二导电类型的第三外延层，形成于所述第三外延层内的第一导电类型的第一注入区，形成于所述第一注入区内的第一...