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因西亚瓦控股有限公司专利技术
因西亚瓦控股有限公司共有7项专利
能够精确测量小电信号的放大器电路制造技术
放大器电路包括电阻分压器(R
产生高阻抗负载的电子电路及其相关方法技术
用于在负载点与参考点之间呈现高阻抗负载的电子电路包括在第一节点和参考点之间设置的电容元件,与电容元件并联连接的第一元件,串联设置在第一节点和电压源点之间的第一开关元件,设置在第一节点和第二节点之间的第二开关元件,连接在第二开关元件、负载...
间接带隙发光器件制造技术
间接带隙发光器件包括:非单晶间接带隙半导体材料的第一体。在第一体中,形成有两个区:具有第一掺杂类型和第一掺杂浓度的第一区以及具有第二掺杂类型和第二掺杂浓度的第二区。在第一区与第二区之间形成有结,其中端子排布连接至第一体且被布置成对结进行...
微光学装置制造方法及图纸
微光学装置(10)包括主体(12)。该主体包括可移动部件(14),其能够相对于该主体的另一部分(26)移动。在该可移动部件上或其内设置有诸如光源(16)的光学元件。可以使该可移动部件受到诸如质量之类的待感测参数的影响,并且通过在检测器(...
硅发光器件及其制造方法技术
发光器件(10)包括主体(11),主体(11)包括p型半导体材料的衬底(12)。衬底具有上表面(14),并且根据体半导体制造工艺利用横向有源区隔离技术在该上表面的一侧在衬底中形成有:n+型类的第一岛(16),以在第一岛和衬底之间形成第一...
利用穿通效应的硅发光器件制造技术
一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的主体(12)。在该主体中的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间形成有结区域。第二浓度的第二掺杂类型的第三区域(12.3)和结区域(14)...
具有载流子注入的硅发光器件制造技术
一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第...
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