本发明公开了一种以四氟化硅为原料生产高纯碳化硅和氟化氢的方法，其具体步骤如下：将碳氢化合物气体和氟碳化合物气体中的一种或两种的混合物，与四氟化硅气体一起通入已充满氢气的等离子体反应器内，在等离子体的作用下发生化学反应，生成碳化硅固体和氟...

本发明公开了一种等离子体还原四氟化硅生产多晶硅的方法，具体步骤如下：把作为原料的四氟化硅气体和氢气混合后通入已充满氢气的等离子反应器内，在等离子体的作用下，四氟化硅气体和氢气瞬间被加热至１２００℃～３５００℃并发生化学反应，生成多晶硅固...