本发明公开了陶瓷含硼掺杂剂浆料。所述陶瓷含硼掺杂剂浆料还包括一组溶剂、分散于所述一组溶剂中的一组陶瓷颗粒、分散于所述一组溶剂中的一组硼化合物颗粒、溶解于所述一组溶剂中的一组粘合剂分子。其中，所述陶瓷含硼掺杂剂浆料具有介于约0.01和约1...

本发明公开了高保真度掺杂剂浆料。所述高保真度掺杂浆料包含溶剂、分散到所述溶剂中的一组非玻璃基质颗粒和掺杂剂。

本发明描述了在基板上形成欧姆接触的方法。所述方法包括将一组硅颗粒沉积在基板表面上。然后，将所述基板加热至烘焙温度持续一段烘焙时间段以便形成致密膜油墨图案。所述方法还包括在一定温度下将所述基板暴露于具有沉积环境的扩散炉中的掺杂剂源持续一定...

本发明公开了在基板上形成多掺杂结的方法。所述方法包括提供掺入有硼原子的基板，所述基板包括基板正表面。所述方法还包括将油墨以油墨图案沉积在所述基板正表面上，所述油墨包含一组含硅颗粒和一组溶剂。所述方法还包括将所述基板在烘焙环境中加热至第一...

本发明公开了形成多掺杂结的方法。所述方法包括提供第一基板和第二基板。所述方法还包括将第一油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第一表面上，所述第一油墨包含第一组纳米颗粒和第一组溶剂，所述第一组纳米颗粒包含第一浓度的第一掺杂剂。...

本发明公开了一种区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法。所述方法包括提供硅基板，该硅基板被构造成具有该组轻掺杂区域和该组高掺杂区域。所述方法还包括用电磁辐射源来照射硅基板，所述电磁辐射源发射出约1100nm以上波长的光。所述...

本发明公开了一种在基板上形成多掺杂结的方法。所述方法包括以下步骤：用硼原子掺杂所述基板的正面，并且以图案形式沉积油墨，所述油墨包含一组纳米粒子和一组溶剂；以及在烘焙环境中将所述基板加热至介于约200℃和约800℃之间的第一温度并持续介于...

本发明公开了一种基于IV族的纳米颗粒流体。所述纳米颗粒流体包括一组纳米颗粒，所述纳米颗粒包含一组IV族原子，其中一组纳米颗粒以所述纳米颗粒流体的在约1重量％和约20重量％之间的量存在。所述纳米颗粒流体还包括一组高分子量分子，其中所述一组...

披露了一种颗粒收集设备。该设备包括袋滤室罩壳，该袋滤室罩壳包括入口、收集口、构造在入口和收集口之间的袋滤室、以及联接至袋滤室的真空口。该设备还包括联接至收集口的收集机构和联接至袋滤室的压缩机构。

一种对准衬底上一组图案的方法，衬底包括其上沉积有一组硅纳米颗粒的衬底表面，这组硅纳米颗粒包括一组包含碳原子的配基分子，其中在沉积纳米颗粒处形成第一组区域以及在未沉积纳米颗粒处形成第二组区域。该方法还进一步包括将这组硅纳米颗粒致密化到薄膜...

本文公开一种用于在基片上形成多掺杂结的方法。该方法包括提供掺杂有硼的基片，该基片包括第一基片表面，该第一基片表面具有第一表面区域和第二表面区域。所述方法还包括将第一组纳米颗粒沉积在所述第一表面区域上，该第一组纳米颗粒包括第一掺杂剂。所述...

在此披露了将加帽剂选择性地附接到Ｈ钝化的Ｓｉ或Ｇｅ表面上的方法。该方法包括提供该Ｈ钝化的Ｓｉ或Ｇｅ表面，该Ｈ钝化的Ｓｉ或Ｇｅ表面包括一组共价键合的Ｓｉ或Ｇｅ原子以及一组表面置换原子，其中所述一组表面置换原子包括硼原子、铝原子、镓原子原子...

在此披露了一种形成扩散区的方法。该方法包括在一个晶片的表面上沉积一种纳米颗粒墨以形成一个非致密的薄膜，该纳米颗粒墨具有成组的纳米颗粒，其中该纳米颗粒组中的至少一些纳米颗粒中包括掺杂剂原子。该方法还包括将非致密的薄膜加热到一个第一温度并持...

在此披露了一种用于在基片形成触点的方法。该方法包括提供一个基片，该基片被掺杂有一种第一掺杂剂；并且将一种第二掺杂剂扩散到该基片的至少一个第一侧之中以形成一个第二掺杂剂区域，该第一侧进一步包括一个第一侧表面积。该方法还包括在该基体的第一侧...

在此披露一种用于从太阳辐射发电的设备。所述设备包括掺杂有第一掺杂剂的晶片，所述晶片包括前侧和背侧，其中所述前侧被配置为暴露于太阳辐射。所述设备还包括所沉积在所述前侧上熔融的ＩＶ族纳米颗粒薄膜，其中所述纳米颗粒薄膜包括第二掺杂剂，其中所述...