一种半导体芯片堆叠模块，它包括衬底、两颗由衬底支撑的第一半导体芯片、以及堆叠在该两颗第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第二半导体芯片通过配置在第二半导体芯片和两颗第一半导体芯片之间的导体浆料与两颗第一半导体芯片电连接。由于多颗标准芯片被...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件，其包括第一掺杂类型的碳化硅基底、位于碳化硅基底之上的第一掺杂类型的第一碳化硅层、嵌入第一碳化硅层的顶部分中的第二掺杂类型的第二碳化硅层、嵌入第二碳化硅层的顶部分的第一掺杂类型的第三碳化硅层、与第一...