本发明揭示一种图形生长衬底，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的隔离带，隔离带把生长衬底分隔成至少两个子区域。子区域的形状包括，多边形、圆形、环形、非规则形状，以及多边形、圆形、环形和非规则形状的组合，等。其中，子区域的多边形形状包括，正...

一种高电压发光二极管，包括：依次形成在生长衬底上的外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极。外延层包括依次形成的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层；连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。透明电极覆盖P-类型限制层。刻蚀外延...

本发明提供一种半导体发光二极管，包括，生长衬底、半导体外延层、电流扩展层、绝缘层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘，金属电极和打线焊盘电连接；半导体外延层形成在生长衬底上，电流扩展层形成在半导体外延层上；在电流扩展层的预定部分上，...

本发明的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；电极包括N-电极和P-电极；半导体外延层形成在外延生长衬底上，N-电极和P-电极分别形成在N-类型限制层和P-...

本实用新型提供一个光学系统，包括，可以转动的反射镜，固定的反射镜，光源，光接收器。固定的反射镜与可以转动的反射镜形成一个波导系统。在旋转前，固定的反射镜与可以转动的反射镜相互平行。把光源和光接收器设置在固定的反射镜的后面，使得光源的光束...

本发明公开的发光效率较高的LED发光二极管包括：透明的生长衬底、半导体外延层、透明的出光层、电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制层：N-类型限制层形成在生长衬底的主表面上，活化层形成在N-类型限制层上，P-...

本发明提供一个光学系统，包括，可以转动的反射镜，固定的反射镜，光源，光接收器。固定的反射镜与可以转动的反射镜形成一个波导系统。在旋转前，固定的反射镜与可以转动的反射镜相互平行。把光源和光接收器设置在固定的反射镜的后面，使得光源的光束以入...

一种高电压发光二极管，包括：依次形成在生长衬底上的外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极。外延层包括依次形成的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层；连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。透明电极覆盖P-类型限制层。刻蚀外延...

一种灯具，包括光源、光源底座和波长转换器。光源包括：半导体发光二极管，或白炽灯，或节能灯，或日光灯。波长转换器包括：内壁涂覆长余辉荧光粉的透明的中空壳体，或一个主表面涂覆长余辉荧光粉的透明的平板，或掺杂有长余辉荧光粉的透明的中空壳体，或...

本实用新型的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；电极包括N-电极和P-电极；半导体外延层形成在外延生长衬底上，N-电极和P-电极分别形成在N-类型限制层和...

本发明提供一种图形衬底和LED芯片，该图形衬底包括基本衬底和形成在基本衬底上的阵列形式排列的图形凸起，图形衬底还包括图形凸起掩膜，图形凸起掩膜至少覆盖图形凸起的顶部。该LED芯片包括外延层、透明导电层和连接电极，该LED芯片还包括本发明...

本实用新型公开的发光效率较高的ＬＥＤ发光二极管包括：透明的生长衬底、半导体外延层、透明的出光层、电极。其中，半导体外延层包括，Ｎ－类型限制层、活化层、Ｐ－类型限制层：Ｎ－类型限制层形成在生长衬底的主表面上，活化层形成在Ｎ－类型限制层上，...

本实用新型提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、Ｐ－类型限制层和活化层，底部是Ｎ－类型限制层；透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，在钝化层覆盖半...

本实用新型提出了一种横向结构ＬＥＤ芯片，包括：依次形成在生长衬底上的Ｎ－类型限制层、活化层和Ｐ－类型限制层、透明电极和钝化层，以及连接电极，连接电极包括Ｎ－打线焊盘、Ｐ－打线焊盘和条形电极。形成有至少一个半导体外延层平台，其底面露出Ｎ－...

本实用新型提供发光二极管芯片，包括生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括Ｎ－类型限制层、活化层、Ｐ－类型限制层，该发光二极管（ＬＥＤ）芯片还形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、Ｐ－类型限制层和活...

本发明提供一种发光二极管芯片以及发光二极管芯片的制作方法，其中制作方法包括在衬底材料上依次生成半导体发光结构，所述半导体发光结构包括缓冲层、Ｎ型化合物半导体材料、有源层和Ｐ型化合物半导体材料；绕各个发光二极管芯片边缘，距离边界一定距离的...