烟台齐新半导体技术研究院有限公司专利技术

烟台齐新半导体技术研究院有限公司共有3项专利

  • 本发明公开了一种半导体器件中镂空结构的制备方法,应用于半导体制备领域,包括:选取承载载片的键合面和/或半导体器件的键合面作为待加工键合面;在待加工键合面制备初始键合胶,并利用初始键合胶将承载载片和半导体器件键合连接,并将全部的初始键合胶...
  • 本申请提供一种线圈结构、MEMS器件及线圈结构的制备方法,所述线圈结构包括衬底和设在所述衬底上的线圈。所述衬底的一侧表面开设有向内凹陷的凹槽,所述凹槽的轨迹由所述衬底表面的中心呈螺旋状向所述衬底的外周延伸,所述衬底设有所述凹槽一侧的表面...
  • 本申请涉及晶圆对准领域,公开了一种用于晶圆之间对准的设备和晶圆对准方法,包括:晶圆对准基座;晶圆对准基座的表面设置有卡盘槽和至少两个不同尺寸的晶圆承载凹槽,卡盘槽和不同尺寸的晶圆承载凹槽呈同心结构分布,卡盘槽位于晶圆对准基座的最外侧;晶...
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