本发明公开了功率半导体器件技术领域内的一种硅基氮化镓SBD器件及其制备方法。该器件包括：从下至上的硅衬底；AlN/AlGaN缓冲层；N+氮化镓传输层；N‑氮化镓漂移区，开设有刻蚀至传输层的嵌套型圆角方环的窗口，嵌套型圆角方环为内径依次扩...

本发明公开了功率半导体器件领域内的一种准垂直结构的硅基氮化镓SBD器件及其制备方法。该器件包括：Si衬底、N+型GaN传输层；N‑型GaN漂移层，呈叉指型设置于传输层上方；高阻区终端，设置于N‑型GaN漂移层上部周缘，高阻区终端通过在漂...

本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种沟槽MOS二极管及其制备方法。该沟槽MOS二极管包括由下至上的衬底、外延层以及外延层上的跑道版图结构，跑道版图结构包括多个依次套设的环形沟槽，多个环形沟槽间隔设置且沟槽宽度由内向外逐级增加，多个...

本发明公开了二极管技术领域内的一种平面整流二极管及其制备方法，该二极管包括：P型掺杂区，设置于N型衬底上部，P型掺杂区分为元胞区和多个场限环；N型掺杂区，分为多个环区，分别设置于P型掺杂区的元胞区和多个场限环之间；掩蔽层，分别设置于N型...

本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种高稳定性快恢复二极管，包括N+型衬底、氧化层、重掺杂P+区、JTE区、垂直沟槽、正面金属层、Al‑Si合金层、多晶硅层、钝化层和阴极金属层，其中JTE区自JTE窗口注入相同的P型离子形成，JTE区...

本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种高维持低触发的静电释放器件，包括P型衬底、N+埋层、N型外延、隔离槽、钝化层、N‑阱区、P阱区、N+注入区、P+注入区和正面金属电极。本发明中第二P+注入区、N型外延和第四P+注入区及第三N+注入...

本发明公开了功率半导体器件技术领域内的一种TMBS器件，包括：N+型衬底、N‑型外延层；沟槽结构，开设于N‑型外延层上部，沟槽结构包括多个圆角方环孔阵列和多个条形沟槽，多个条形沟槽平行间隔分布且任意相邻的两个条形沟槽之间均设置有一个圆角...

本发明公开了半导体器件技术领域内的一种基于复合多环区的快恢复二极管，包括：阴极金属层、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、氧化层、势垒合金、金属场板和钝化层，轻掺杂P‑区设置于N‑漂移区内上部，元胞区和各场环区域内分别设置有掺杂P+区，截止...

本发明公开了半导体技术领域内的一种TMBS器件及其制备方法。该TMBS器件包括：N+型硅衬底；N‑型硅外延，设置于N+型硅衬底上方，N‑型硅外延上部设置有多个刻蚀孔，刻蚀孔由位于上部的浅槽区和位于下部的深孔区构成，深孔区内径从上至下逐渐...

本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种可重构变容二极管芯片及制备方法。该芯片包括：N型重掺杂衬底；深埋隔离层，设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方；N型轻掺杂外延层，设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方；N型掺杂外延层；...

本发明公开了半导体技术领域内的一种基于穿通结构的多场环快恢复二极管及其制备方法。该快恢复二极管包括：N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区；轻掺杂P‑区设置于N‑漂移区上部；元胞区、多个场环和一个截止环，多个场环和一个截止环均与元胞区同圆心设置...

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种快恢复二极管的锰掺杂方法及快恢复二极管，其中方法包括：S1.获得N型重掺杂硅衬底；S2.在N型重掺杂硅衬底上生长N型轻掺杂外延层；S3.在N型轻掺杂外延层上生长氧化掩蔽层；在氧化掩蔽层上通过光刻、...

本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种低压低电容的防浪涌器件及制备方法，其中低压低电容的防浪涌器件包括P型硅衬底，P型硅衬底的表面具有轻掺杂区；轻掺杂区上开设有V型槽，其上形成有N型掺磷外延层；在N型掺磷外延层上且V型槽的两侧分别形成...

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种高耐压沟槽MOS肖特基二极管的制备方法，包括：S1.获得重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上制备外延层，外延层由下至上掺杂浓度递减，在外延层上生长介质层；S2.在介质层上刻蚀沟槽；S3.形成包裹于沟槽底部...

本发明公开了MEMS传感器技术领域内的一种MEMS微热板，包括：硅基底；隔热层，设置于硅基底上部，隔热层材质为多孔硅；绝缘层，设置于隔热层上方，绝缘层从下至上依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；金属层，设置于绝缘层上方，金属层...

本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种三维纵横沟槽MIS芯片电容及制备方法，其中三维纵横沟槽MIS芯片电容包括P型硅衬底、薄氧层、HfO<subgt;2</subgt;层、氧化层、填充层、正面金属层、钝化层和背面金属层，P...

本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法

本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种高电容比可突变变容二极管及制备方法，其中高电容比可突变变容二极管包括

本发明属于硅器件加工技术领域，提供了一种提高聚酰亚胺钝化层与金属层粘附性的方法及结构，其中方法包括：

本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种快恢复外延型二极管及制备方法，包括：S1、在N型硅衬底的正面生长N