使用ALD和PEALD处理来制备通孔以便金属化。每一个通孔被涂覆以厚度范围为20至的氮化钛阻挡层。在氮化钛阻挡层上形成钌密封层，其中所述密封层在无氧的情况下形成以防止氮化钛阻挡层的氧化。在密封层上形成钌成核层，其中所述成核层在有氧的情况...

本发明公开了用于通过使用原子层沉积(ALD)然后快速热退火来在硅基底上生长氮化镓层的氮化镓装置的装置生产的方法和装置。氮化镓直接在硅上生长或在生长在硅基底上的氮化铝阻挡层上生长。一个层或者两个层都通过快速热退火进行热加工。优选地，ALD...

一种可用于低蒸气压液体和固体前体的改进的ALD系统。所述ALD系统包括前体容器和惰性气体输送元件，所述惰性气体输送元件配置成通过在前体脉冲向反应室移动的同时将惰性气体脉冲注入前体容器中而增加前体容器内的前体蒸气压。可控的惰性气体流量阀和...

本文公开了改进的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统和相关的操作方法。真空反应室包括真空系统，所述真空系统从反应室分离包含未反应的第一前体的第一流出物，从反应室分离出第二流出物，其包含第二前体和所述第二前体与涂布表面反应的任何反应副...

原子层沉积(ALD)用于在80-400℃反应温度下的异质外延膜生长。衬底和膜材料优选选择为利用畴匹配外延(DME)。在通过ALD沉积后使用激光退火系统来对沉积层热退火。在优选的实施方案中，硅衬底被覆盖以AlN成核层并激光退火。其后通过A...