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昕原半导体上海有限公司专利技术
昕原半导体上海有限公司共有59项专利
用于阻变存储器的升压电路和阻变存储器制造技术
本发明公开了一种用于阻变存储器的升压电路和阻变存储器,所述升压电路包括:控制逻辑单元,所述控制逻辑单元的输入端与状态机连接,用于接收所述状态机提供的数字控制信号;稳压单元,所述稳压单元的第一端连接供电电源,所述稳压单元的第二端与所述功率...
用于RRAM器件的介电层结构、RRAM器件及其制备方法技术
本发明公开了一种用于RRAM器件的介电层结构、RRAM器件及其制备方法,用于RRAM器件的介电层结构,包括依次设置的第一介电层、第二介电层和第三介电层,其中,第一介电层的介电常数和第三介电层的介电常数均大于第二介电层的介电常数,用于降低...
基于CAN-FD总线的安全通信方法和系统、电子设备及介质技术方案
本申请提供基于CAN‑FD总线的安全通信方法和系统、电子设备及介质。所述安全通信方法包括:对所述安全通信系统中的多个普通通信节点进行合法性鉴定以筛选合法节点参与通信;和/或向所述安全通信系统中的多个普通通信节点分发通信密钥以供所述普通通...
用于制备上电极连接孔的方法及相关产品技术
本披露公开了一种用于制备上电极连接孔的方法及相关产品。该方法包括:在上电极刻蚀停止层上沉积生长第一介质层;在第一介质层上沉积生长绝缘金属氧化物膜,其中绝缘金属氧化物膜满足以下条件:氧化硅和低介电常数材料对绝缘金属氧化物膜的刻蚀选择比大于...
用于制备阻变存储器的方法及相关产品技术
本披露公开了一种用于制备阻变存储器的方法及相关产品。该方法包括:在底电极层上沉积阻变层和顶电极层;在第一真空室内对阻变层和顶电极层进行刻蚀;以及在第一真空室内沉积生长第一保护膜,其中第一保护膜覆盖在刻蚀后裸露的阻变层侧壁。通过本披露实施...
阻变存储器的转换层结构及用于制备阻变存储器的方法技术
本披露公开了一种阻变存储器的转换层结构及用于制备阻变存储器的方法。该转换层结构包括:第一转换层;以及第二转换层,其内部具有导电桥,导电桥的一端连接第一转换层,另一端连接阻变存储器的顶电极。通过本披露实施例的方案,第二转换层内部的导电桥能...
电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法技术
本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法,电阻式存储器包括:第一电极部;转换层,转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触;第二电极部,第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧,第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导...
电阻式存储元件及其制备方法技术
本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法,其中的电阻式存储元件包括:下电极和上电极,在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层,所述下电极包括下电极第一层和设置在所述下电极第一层上的下电极第二层,其中,所述下电极第二层为平面结构,所述阻...
具有数据保持能力的阻变存储器及阻变层的制备方法技术
本披露公开了一种具有数据保持能力的阻变存储器及阻变层的制备方法。该阻变存储器包括:阻变层,阻变层包括掺杂有第二金属的第一金属氧化物;其中,第二金属的活泼性低于第一金属氧化物中第一金属的活泼性。通过本披露实施例的方案,能通过在阻变层中掺杂...
基于忆阻器的灵敏放大器及其控制方法技术
本发明提供了一种基于忆阻器的灵敏放大器及其控制方法,涉及灵敏放大器技术领域。本发明通过建立灵敏放大器开关电路,实现在输入信号为低电平时,灵敏放大器不打开;在输入信号为高电平时,且当忆阻器的权值为0时,灵敏放大器虽然打开,但电流低和功耗低...
电阻式存储元件及其制备方法技术
本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法,其中的制备方法包括:在铜基底上制备下电极第一层;在所述下电极第一层上依次沉积下电极第二层、阻变层以及上电极;对所述上电极和所述阻变层进行光刻和蚀刻,并使蚀刻最低点停留在所述下电极第二层的上方;...
电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法技术
本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法,电阻式存储器包括:第一电极部;转换层;第二电极部,第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层和阻挡层,第一导电层朝向转换层一侧的表面具有粗糙度,阻挡层位于第一导电层朝向转换层的一侧且...
存储器制备方法及存储器技术
本发明提供一种存储器制备方法及存储器,其中的方法包括:在第一介质层上刻蚀金属槽,并在金属槽内填充第一金属;依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层;在第二介质层和第三介质层上设置孔洞,孔洞延伸至第一金属的上表面;同时,在第一...
电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法技术
本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法,电阻式存储器包括:第一电极部;转换层,转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触;第二电极部,第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧,第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导...
阻变随机存储器及擦除编译方法、芯片和电子设备技术
本发明公开了一种阻变随机存储器及擦除编译方法、芯片和电子设备,其中,阻变随机存储器的擦除编译方法包括:对阻变随机存储器的存储单元进行第一次擦除编译操作;在第一次擦除编译操作结束并且等待预设时间之后,验证第一次擦除编译操作结束的存储单元,...
阻变存储器和阻变存储器的制备方法技术
本发明公开了一种阻变存储器和阻变存储器的制备方法,所述阻变存储器包括:底电极层和顶电极层;阻变层,所述阻变层设置于所述底电极层和所述顶电极层之间;抑制层,所述抑制层设置于所述阻变层内,所述抑制层用于抑制所述阻变层内的离子扩散。采用该阻变...
一种探针清洁装置制造方法及图纸
本申请提供一种探针清洁装置,所述探针清洁装置包括:清洁组件;所述清洁组件包括:湿式清洁软层,内部包含有清洁液,对探针的针尖周围进行清洁;清洁硬层,设置于所述湿式清洁软层下面,对探针的针尖进行研磨清洁。本申请的探针清洁装置通过清洁硬层对探...
读出电路、阻变存储器及读出方法技术
本发明提供一种读出电路、阻变存储器及读出方法,读出电路包括读出模块及补偿模块,其中:读出模块接收阻变存储器的位线信号和参考信号,并对位线信号和参考信号进行比较来读出存储数据;补偿模块与读出模块相连,通过调节输入读出模块的配置信号或参考信...
运算电路、卷积运算电路、方法、介质及电子设备技术
本申请提供一种运算电路、卷积运算电路、方法、介质及电子设备。所述运算电路包括:若干并联的存储单元,所述存储单元包括相连的选择器和存储元件;若干模式选择单元,所述模式选择单元与所述模式选择单元对应的所述存储单元电连接,所述运算电路具有第一...
存算电路、方法、装置、介质及电子设备制造方法及图纸
本申请提供一种存算电路、方法、装置、介质及电子设备。所述存算电路包括:若干条横向设置的字线;若干条纵向设置的位线,所述位线与各所述字线的相交处均设有存储单元,所述位线上还有与所述存储单元电连接的控制单元和运算电路,所述存储单元包括:存储...
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