本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层，转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触；第二电极部，第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导...

本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的电阻式存储元件包括：下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，所述下电极包括下电极第一层和设置在所述下电极第一层上的下电极第二层，其中，所述下电极第二层为平面结构，所述阻...

本披露公开了一种具有数据保持能力的阻变存储器及阻变层的制备方法。该阻变存储器包括：阻变层，阻变层包括掺杂有第二金属的第一金属氧化物；其中，第二金属的活泼性低于第一金属氧化物中第一金属的活泼性。通过本披露实施例的方案，能通过在阻变层中掺杂...

本发明提供了一种基于忆阻器的灵敏放大器及其控制方法，涉及灵敏放大器技术领域。本发明通过建立灵敏放大器开关电路，实现在输入信号为低电平时，灵敏放大器不打开；在输入信号为高电平时，且当忆阻器的权值为0时，灵敏放大器虽然打开，但电流低和功耗低...

本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的制备方法包括：在铜基底上制备下电极第一层；在所述下电极第一层上依次沉积下电极第二层、阻变层以及上电极；对所述上电极和所述阻变层进行光刻和蚀刻，并使蚀刻最低点停留在所述下电极第二层的上方；...

本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层；第二电极部，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层和阻挡层，第一导电层朝向转换层一侧的表面具有粗糙度，阻挡层位于第一导电层朝向转换层的一侧且...

本发明提供一种存储器制备方法及存储器，其中的方法包括：在第一介质层上刻蚀金属槽，并在金属槽内填充第一金属；依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层；在第二介质层和第三介质层上设置孔洞，孔洞延伸至第一金属的上表面；同时，在第一...

本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层，转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触；第二电极部，第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导...

本发明公开了一种阻变随机存储器及擦除编译方法、芯片和电子设备，其中，阻变随机存储器的擦除编译方法包括：对阻变随机存储器的存储单元进行第一次擦除编译操作；在第一次擦除编译操作结束并且等待预设时间之后，验证第一次擦除编译操作结束的存储单元，...

本发明公开了一种阻变存储器和阻变存储器的制备方法，所述阻变存储器包括：底电极层和顶电极层；阻变层，所述阻变层设置于所述底电极层和所述顶电极层之间；抑制层，所述抑制层设置于所述阻变层内，所述抑制层用于抑制所述阻变层内的离子扩散。采用该阻变...

本申请提供一种探针清洁装置，所述探针清洁装置包括：清洁组件；所述清洁组件包括：湿式清洁软层，内部包含有清洁液，对探针的针尖周围进行清洁；清洁硬层，设置于所述湿式清洁软层下面，对探针的针尖进行研磨清洁。本申请的探针清洁装置通过清洁硬层对探...

本发明提供一种读出电路、阻变存储器及读出方法，读出电路包括读出模块及补偿模块，其中：读出模块接收阻变存储器的位线信号和参考信号，并对位线信号和参考信号进行比较来读出存储数据；补偿模块与读出模块相连，通过调节输入读出模块的配置信号或参考信...

本申请提供一种运算电路、卷积运算电路、方法、介质及电子设备。所述运算电路包括：若干并联的存储单元，所述存储单元包括相连的选择器和存储元件；若干模式选择单元，所述模式选择单元与所述模式选择单元对应的所述存储单元电连接，所述运算电路具有第一...

本申请提供一种存算电路、方法、装置、介质及电子设备。所述存算电路包括：若干条横向设置的字线；若干条纵向设置的位线，所述位线与各所述字线的相交处均设有存储单元，所述位线上还有与所述存储单元电连接的控制单元和运算电路，所述存储单元包括：存储...

本申请提供一种基于选择器实现的随机数产生电路、方法及芯片，所述电路包括：第一选择器模块和第二选择器模块；选择器电压产生模块，分别与所述第一选择器模块和所述第二选择器模块连接，被配置为向所述第一选择器模块和所述第二选择器模块输入相同的电压...

本申请提供一种基于选择器的振荡装置、振荡控制方法及芯片，所述装置包括：选择器模块，被配置为根据不同的阈值电压进行阻态切换；电压转换模块，与所述选择器模块连接，被配置为将动态变化的电压施加于所述选择器模块，令所述选择器模块达到第一阈值电压...

本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接...

本发明提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，其中的存储单元包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，第一二极管包括n阱以及与n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第二二极管包括p阱以及与p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区...

本发明提供一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法及阵列，将p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将第一个二极管的p型端与第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM...

本发明提供一种卷积运算电路及其运算方法，其中的卷积运算电路包括：控制逻辑、与控制逻辑连接的数据缓存模块和乘加器；其中，乘加器包括至少两个相互并联的运算模块，每个运算模块均包括一个信号输入端、至少两个相互并联的忆阻器，以及一个信号输出端；...