本披露公开了一种基于绝缘体‑金属转变效应的选择器件及其相关产品。该选择器件包括：依次堆叠的底电极、选择层和顶电极；其中，选择层包括：第一区域和第二区域，第一区域在氧气环境下通过退火工艺制备形成。通过本披露实施例的方案，选择器件的有效面积...

本披露公开了一种存储器的制备方法、存储器以及电子设备，该存储器的制备方法包括：提供其上形成有多个间隔设置的存储单元的衬底；以及在衬底上形成包括双层结构的层间介质层，其中双层结构的层间介质层包括第一层间介质层和第二层间介质层，第一层间介质...

本发明公开了一种存储单元、存储装置、存储单元和存储装置的操作方法，存储单元包括：存储器，存储器的第一端适于与字线驱动电路电连接；选通器，选通器的第一端适于与位线驱动电路电连接，选通器的第二端适于与存储器的第二端电连接，选通器具有至少两个...

本发明公开了一种存储单元、存储装置、存储单元和存储装置的操作方法，存储单元包括：存储器；选通器，其包括选通层，选通层包括至少两个子选通层和阈值电压调节层，至少两个子选通层的阈值电压不同，以使选通器在不同阈值电压条件下具备不同的开启状态，...

本申请提供内存数据存储结构、管理方法及内存管理器、内存装置。所述内存数据存储结构包括主存储区、冗余修复区和索引区，所述主存储区、所述冗余修复区和所述索引区分别包括若干数据单元；所述主存储区用于存储数据；所述冗余修复区用于以数据单元为单位...

本发明公开了一种芯片组件、通信方法和计算机程序产品，芯片组件包括接口总线；至少两个裸芯片，每个裸芯片设有对应的地址空间段，每个裸芯片的信号端均连接于接口总线上。该芯片组件通过设计将所有裸芯片挂载到同一接口总线上，并对每个裸芯片编址不同的...

本发明公开了一种用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器，非易失性存储器包括至少一个非易失性存储部，非易失性存储部至少包括串联连接的开关单元和非易失性存储单元，数据读取电路包括：门极电路，门极电路的第一端通过位线与非易失性存储部...

本发明公开了一种用于阻变存储器的升压电路和阻变存储器，所述升压电路包括：控制逻辑单元，所述控制逻辑单元的输入端与状态机连接，用于接收所述状态机提供的数字控制信号；稳压单元，所述稳压单元的第一端连接供电电源，所述稳压单元的第二端与所述功率...

本发明公开了一种用于RRAM器件的介电层结构、RRAM器件及其制备方法，用于RRAM器件的介电层结构，包括依次设置的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中，第一介电层的介电常数和第三介电层的介电常数均大于第二介电层的介电常数，用于降低...

本申请提供基于CAN‑FD总线的安全通信方法和系统、电子设备及介质。所述安全通信方法包括：对所述安全通信系统中的多个普通通信节点进行合法性鉴定以筛选合法节点参与通信；和/或向所述安全通信系统中的多个普通通信节点分发通信密钥以供所述普通通...

本披露公开了一种用于制备上电极连接孔的方法及相关产品。该方法包括：在上电极刻蚀停止层上沉积生长第一介质层；在第一介质层上沉积生长绝缘金属氧化物膜，其中绝缘金属氧化物膜满足以下条件：氧化硅和低介电常数材料对绝缘金属氧化物膜的刻蚀选择比大于...

本披露公开了一种用于制备阻变存储器的方法及相关产品。该方法包括：在底电极层上沉积阻变层和顶电极层；在第一真空室内对阻变层和顶电极层进行刻蚀；以及在第一真空室内沉积生长第一保护膜，其中第一保护膜覆盖在刻蚀后裸露的阻变层侧壁。通过本披露实施...

本披露公开了一种阻变存储器的转换层结构及用于制备阻变存储器的方法。该转换层结构包括：第一转换层；以及第二转换层，其内部具有导电桥，导电桥的一端连接第一转换层，另一端连接阻变存储器的顶电极。通过本披露实施例的方案，第二转换层内部的导电桥能...

本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层，转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触；第二电极部，第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导...

本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的电阻式存储元件包括：下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，所述下电极包括下电极第一层和设置在所述下电极第一层上的下电极第二层，其中，所述下电极第二层为平面结构，所述阻...

本披露公开了一种具有数据保持能力的阻变存储器及阻变层的制备方法。该阻变存储器包括：阻变层，阻变层包括掺杂有第二金属的第一金属氧化物；其中，第二金属的活泼性低于第一金属氧化物中第一金属的活泼性。通过本披露实施例的方案，能通过在阻变层中掺杂...

本发明提供了一种基于忆阻器的灵敏放大器及其控制方法，涉及灵敏放大器技术领域。本发明通过建立灵敏放大器开关电路，实现在输入信号为低电平时，灵敏放大器不打开；在输入信号为高电平时，且当忆阻器的权值为0时，灵敏放大器虽然打开，但电流低和功耗低...

本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的制备方法包括：在铜基底上制备下电极第一层；在所述下电极第一层上依次沉积下电极第二层、阻变层以及上电极；对所述上电极和所述阻变层进行光刻和蚀刻，并使蚀刻最低点停留在所述下电极第二层的上方；...

本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层；第二电极部，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层和阻挡层，第一导电层朝向转换层一侧的表面具有粗糙度，阻挡层位于第一导电层朝向转换层的一侧且...

本发明提供一种存储器制备方法及存储器，其中的方法包括：在第一介质层上刻蚀金属槽，并在金属槽内填充第一金属；依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层；在第二介质层和第三介质层上设置孔洞，孔洞延伸至第一金属的上表面；同时，在第一...