芯硕半导体中国有限公司专利技术

芯硕半导体中国有限公司共有22项专利

  • 本实用新型公开了一种具有OLED光源的直写光刻机,包括有光源,所述光源投影到一侧的图形发生器上,所述图形发生器通过其下方的投影光路投影到对应的晶圆表面上,所述晶圆安装在精密移动平台上。本实用新型采用的有机发光二极管光源寿命长达20000...
  • 本发明公开了一种采用曝光方式标定曝光能量需求分布的方法,适用于使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻机,打开图形发生器需要使用的区域并使这些区域各像素单元采用同样的输出光强度参数或时间占空比,将该区域通过光刻系统对有光刻胶的基底进...
  • 本发明公开了一种将GDSII文件转换为无掩模光刻机曝光数据的方法。首先将GDSII中的矢量图形统一转换为多边形,再将每层大图分解为一系列曝光区域。将曝光区域中的多边形利用四叉树图形分割法将其分解为矩形,再将一个曝光区域的图形存储为几个位...
  • 本发明公开了一种直写光刻机的自动聚焦光路结构,即直写光刻机的自动聚焦系统。由直写光刻机的图形发生器生成的图案经过光刻物镜并返回后,通过光路分成两束,这两束光故意造成一定的光程差,分别成像在CCD相机的上、下表面,根据CCD相机上、下图案...
  • 本发明公开了一种无掩模光刻技术的曝光方法,涉及光刻技术领域。本发明利用空间光调制器(SLM)调制产生的“数字掩模”经二维交叠(X方向左右交叠和Y方向上下交叠)形成目标曝光图形,交叠处曝光图形的曝光能量为梯度变化叠加,从而获得高质量目标曝...
  • 本发明公开了一种直写光刻装置,包括有可编程的空间图形发生器,有投影光学系统,精密移动平台,精密移动平台上承载有光敏感衬底,所述的可编程的空间图形发生器由自发光的OLED构成,所述OLED由多个可进行单独控制开关的光源阵列构成,所述的OL...
  • 本发明涉及微观领域光学系统畸变矫正技术,具体做法是通过对CCD相机成像系统进行微观视场(亚微米量级)的标定来实现的。现有的各种相机标定方法需要制备高精度的标准系统定标模版,但是一般情况下这种模版成本高,对材料本身的特性要求也高,且用于小...
  • 本发明公开了一种程控缓启动高稳定大电流驱动装置,它通过微处理器控制高精度数模转换器输出电压,控制负载的输出电流;通过MOS管控制电流调节电路,使得输出电流大效率高;同时增加了缓启动电路使得负载输出电流缓慢增加不发生突变;驱动装置在负载中...
  • 本发明是一种基于DDS技术的步进电机运动控制器,是在FPGA芯片中,建立微处理器接口和X、Y、轴的初始速度寄存器、驱动速度寄存器、加速度寄存器、减速度寄存器、加/减速度变化率寄存器、运行步长寄存器、正向软限位寄存器、负向软限位寄存器、命...
  • 本发明公布的三轴步进电机控制平台,用于晶圆检测显微镜三轴的位置控制。包括有ARM处理器、现场可编程逻辑门阵列FPGA、步进电机驱动器、手柄控制模块和用于X、Y、Z轴步进电机位置反馈的光栅尺等,现场可编程逻辑门阵列FPGA内部建立有X、Y...
  • 本实用新型涉及一种光刻技术领域,为一种直写式光刻机曝光控制系统,包括光电传感器、滤波放大电路、模数转换器、可编程逻辑器件、数模转换器、控制电路、光源、主控制器、上位机,光电传感器的输出经过滤波放大电路、模数转换器与可编程逻辑器件连接,可...
  • 本实用新型涉及在晶片、印刷电路板等衬底材料上印刷构图的具有超高强度LED光源的无掩膜直写光刻机。解决了单一的发光二极管发光量不能满足低倍率大视场面积无掩模光刻机照明要求的问题。该机光源包括两个以上的发光二极管;每一个发光二极管分别对应一...
  • 本实用新型涉及半导体制造领域,为一种光刻机曝光系统及其控制方法。它包括LED光源、曝光控制系统、上位机等,系统与上位机连接,上位机输出控制信号至空间图形发生器SLM,空间图形发生器SLM产生曝光图形,LED光源发出的光束经过光路组件A、...
  • 本实用新型涉及半导体技术中的微细加工设备,即具有LED光源的直写光刻机。解决了现有光源使用寿命短、耗电高、温度高和体积大的问题。本实用新型直写光刻机采用发光二极管光源,所述发光二极管光源通过电路板设于铜制散热块上,铜制散热块底部设有位置...
  • 本发明公开了一种采用灰度补偿制提高光刻曝光能量均匀性的方法,适用于使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻机,使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻机中利用空间光调制器的灰度调制能力,依据CCD采集得到光刻物镜像面光强分布信息...
  • 本发明涉及在晶片、印刷电路板等衬底材料上印刷构图的具有超高强度LED光源的无掩膜直写光刻机。解决了单一的发光二极管发光量不能满足低倍率大视场面积无掩模光刻机照明要求的问题。该机光源包括两个以上的发光二极管;每一个发光二极管分别对应一个聚...
  • 本发明涉及半导体制造领域,为一种光刻机曝光系统及其控制方法。它包括LED光源、曝光控制系统、上位机等,系统与上位机连接,上位机输出控制信号至空间图形发生器SLM,空间图形发生器SLM产生曝光图形,LED光源发出的光束经过光路组件A、空间...
  • 本发明公开了一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法,在使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻系统中,入射光入射到空间光调制器件上,空间光调制器上产生设计图形,通过光学投影元件,以一定的放大倍率投影到光敏感元件的衬底上,产生曝...
  • 本实用新型涉及光学器件在空间的多自由度精密调整的整体式精密五轴调整装置。解决了现有五轴调整机构体积大的问题。本实用新型包括热沉,热沉通过主轴设于U形光源组合固定架内;U形光源组合固定架底部连接着主轴,其底部设有一对齿轮传动副;主轴中部螺...
  • 本发明涉及光学器件在空间的多自由度精密调整的整体式精密五轴调整装置。解决了现有五轴调整机构体积大的问题。本发明包括热沉,热沉通过主轴设于U形光源组合固定架内;U形光源组合固定架底部连接着主轴,其底部设有一对齿轮传动副;主轴中部螺纹配合连...