本发明提供一种高压器件，形成器件的方法。该方法包含设置制备有主动器件区域的衬底。该主动器件区域包含栅极堆叠的栅极堆叠层，该栅极堆叠层于栅极介电层上至少包括有栅极电极层。对应于该栅极的第一掩膜设置于该衬底上。该衬底经图案化，以至少去除部分...

本发明公开一种使用低Ｋ电介质的集成电路系统及其制造方法，该方法包含：制造具有集成电路的基板；在所述集成电路上提供低Ｋ电介质层；在所述集成电路上所述低Ｋ电介质层中形成通孔与沟槽；通过化学机械平坦化工艺形成结构表面；以及提供直接注入物至所述...

本发明公开了一种具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有主动区的半导体基板，该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质；围绕该主动区形成隔离区；在该主动区和隔离区的上方施加栅极电极，从而形成寄...

本发明公开一种集成电路系统的制造方法，包括：提供包括主动元件的基板；在该基板中形成硅通孔；在该硅通孔上方形成绝缘层，以保护该硅通孔；形成该绝缘层后，形成至该主动元件的接触；以及去除该绝缘层。

本发明公开了一种具有多级电容器的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法，包括：提供包括前端工艺电路的基板；采用第一设计规则在所述基板上方形成包括第一指状结构和第二指状结构的第一组金属层，该第一组金属层未形成指状结构导通...

本发明涉及采用光学邻近校正目标的掩膜系统及其制造方法。一种掩膜系统的制造方法，包括：提供设计数据；自该设计数据生成大体呈圆形的光学邻近校正（ｏｐｔｉｃａｌ?ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ?ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）目标；偏置该大体呈圆形的光学邻...