本发明系提供一种纵置排布的MOSFET管，包括第一导电型衬底，第一导电型衬底下设有漏极金属层，第一导电型衬底上设有第一导电型外延层，第一导电型外延层上设有一个中心栅极金属层、两个边缘栅极金属层和两个多沟道夹层；中心栅极金属层的底面和邻接...

本发明提供了一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺，包括肖特基整流管，所述肖特基整流管包括塑封外壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、金线，所述肖特基芯片包括N