本发明提出一种新的外延生长方法，能够有效的提升LED芯片的ESD。本发明在生长n区和p区的过程中，采用了掺杂超晶格结构周期性插入结构。由于超晶格结构能够改变界面电子和空穴的浓度，电子和空穴在电流作用下运动过程中，能够通过超晶格界面将电流...

本发明提供了一种新的外延生长方法来更好的减少量子阱区生长过程中的极化和缺陷，提升空穴电子注入效率，从而很大的提高了LED的发光效率。本发明在生长GaN/InGaN量子阱垒层中间插入若干周期的相同材料的超薄GaN/InGaN周期结构，能够...

本发明提出了一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将步骤1)生长了非掺杂氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行...

本实用新型涉及LED灯丝芯片条电极图形结构，包括在同一平面布置的正电极、负电极和芯片条，所述芯片条包括成排设置并依次连接的若干颗芯片，具体的连接模式为任意相邻的两个芯片的P端与N端相连；芯片条内首颗芯片的P端与正电极相连，最后一颗芯片的...

为了提高垂直结构LED芯片加工良率，本发明提出一种新的制备垂直结构LED芯片的方法，这种方法可以明显降低芯片漏电，提高芯片生产良率。本发明的芯片的P电极在芯片表面，芯片的N电极与硅/铜/钨铜合金基板进行键合相连，P电极与芯片封装时的支架...

本发明就EBL层提出一种新的生长结构和方法，解决了目前生长的p型AlGaN电子阻挡层(EBL)产生的不利影响。该GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其中电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生...

本发明提供一种新的LED外延生长方法，能有效提升LED内量子效率，提高LED的发光强度，并使LED发光波长稳定性得到提高。该LED外延生长方法，包括依次进行低温缓冲层、无掺杂高温GaN层、掺Si的高温GaN层、InxGa1-xN/Aly...

本发明提出一种新的倒装LED芯片制备方法，主要特点在于高反射率的反射镜及其相关结构制备，使用超薄Ni/Ag薄膜与DBR反射镜结合，可以减少金属对光的吸收，有效提升芯片亮度，同时DBR反射镜代替传统上的氧化硅钝化层，起到保护芯片的作用。N...

本发明提供了一种新的制备垂直结构的方法，重点有三个环节：其一是U-GaN生长结束后，进行KOH和H3PO4湿法腐蚀，可最终使GaN与蓝宝石之间形成了点接触，有利于之后的激光剥离形成垂直结构；其二是在GaN外延层表面制备反射镜(Ni/Ag...

本发明提出了一种光电器件的电子阻挡层结构，尽可能通过晶格结构和禁带宽度的调整来达到与量子阱和P层间的结构匹配；同时减少极化电场的形成，尽可能减弱电子阻挡层内的负电荷区域形成，进而提升效率；并减弱电子阻挡层的能带弯曲导致的电子泄露和P层空...

本发明综合利用磁控溅射技术和金属有机物化学气相沉积技术，针对目前技术实现上低温成核的质量较难控制而晶体质量提升困难的问题进行了深入研究和改进，提出一种两步法生长光电材料和器件的方法。该方法首先利用磁控溅射在衬底上外延与衬底材料不同而与后...

本发明提出一种新的量子阱结构，能够进一步有效增大载流子的复合几率,提高量子效率，实现光电器件效率的优化提升。本发明提出以AlInGaN为垒，设计出In和Al组分渐变的垒层结构来替代传统量子阱结构的垒层结构设计。通过在量子阱的垒层结构内掺...

基于对现有InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层结构之间的插入层(LB)的研究，本发明提供了一种新的光电器件的插入层结构设计方案。本发明中的插入层采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分＜...

本发明提供一种提高外延晶体质量的外延生长方法，能有效提升LED外延的晶体质量。该外延生长方法包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U-GaN层,生长厚度应保证第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形...

本发明涉及一种LED垂直结构的制备方法，以衬底或带有低温GaN缓冲层的衬底作为生长基础，依次生长U-GaN及其他各层外延，完成LED外延片的生长。步骤包括：(1)U-GaN层生长结束后，进行湿法腐蚀，刻蚀至所述生长基础的表面；(2)继续...

本实用新型提供了一种具有脱泡功能的显影装置，能有效去除显影液中的气泡，提高光刻胶清洗效果，从而提升芯片的生长良率。该显影装置包括依次设置的高压气源、气体管路、储液瓶及其出液管路；气体管路上安装有第一阀门，储液瓶的出液管路上安装有第二阀门...

本发明提供一种新的LED外延生长方法，能有效提升LED外延的发光效率。该方法包括生长N-GaN层的环节、生长多量子阱层的环节、以及生长P-GaN层的环节，所述多量子阱层为若干对AlxGa1-xN/InyGa1-yN的结构，0＜x＜1，0...

本发明提出一种新的生长紫外LED有源区的外延结构生长方法，以特别的方式生长多量子阱垒层，最终能够更好地实现紫外光的辐射发光，提升紫外LED的光效。该方法是在生长若干个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱垒层的过程中，垒层Al...

本发明是一种新的紫外LED芯片P型欧姆接触层的制备方法，该方法根据增透膜原理，同时考虑到ITO对紫外的吸收以及ITO膜的方阻，通过优化ITO膜层的蒸镀参数并对ITO膜进行图形化，从而提高紫外LED芯片的外量子效率，进而提高LED芯片亮度...

本发明提供了一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法。该方法在生长LED的P型时，在气体总流量不变的情况下，较常规方式增大载气(H2)与氨气的流量比至9.5-10.5，可以减少Mg-H键数量，即Mg的掺杂浓度会上升，增大P层的空穴浓度，...