无锡韦感半导体有限公司专利技术

无锡韦感半导体有限公司共有26项专利

  • 本申请公开了MEMS结构及MEMS麦克风。所述MEMS结构包括:第一电极结构;第二电极结构,第一电极结构的上表面与第二电极结构的下表面彼此相对;以及第一支撑结构,位于第一电极结构和第二电极结构之间,在的外围区将第一电极结构和第二电极结构...
  • 本实用新型涉及一种微机械凸起结构,所述凸起结构的材料为绝缘材料或为绝缘材料与导电材料构成的复合层材料,用于防止可动结构运动时相邻结构相互粘合;所述凸起结构的材料为绝缘材料与导电材料构成的复合层材料时,所述导电材料设置在绝缘材料的内部,用...
  • 本实用新型涉及一种微机械堆叠结构和连杆结构;所述堆叠结构包括上结构层
  • 本实用新型涉及一种微机械锚区释放停止结构,所述停止结构包括一层呈“凹”字形的停止层,或包括一层呈“凹”字形的停止层、填充结构和上结构层;其凹坑内侧底部设置为直角或斜角,或其凹坑中心位置设置为一级或多级阶梯式台阶形状,台阶形状为直角或斜角...
  • 公开了一种MEMS压力传感器,MEMS压力传感器,包括:衬底;热电堆结构,位于所述衬底上;键合层,位于所述衬底上,围绕所述热电堆结构;透明层,位于所述键合层远离所述衬底的表面,所述透明层靠近所述衬底的表面开设有凹槽,所述凹槽内具有透镜结...
  • 本实用新型涉及一种微机械结构释放窗口的封口结构。所述封口结构包括封体结构和保护结构;封体结构包括封帽和封体,封体用于填充释放窗口,封帽呈柱形,用于完全盖住释放窗口;保护结构设置在封体结构的外侧,用于完全包裹住封体结构。本实用新型可以改善...
  • 本实用新型涉及一种微机械泄气结构,所述泄气结构包括泄气孔或泄气孔和泄气阀门、连接区、泄气通道主体和空腔,所述泄气孔设置在上结构层,正对下结构层上方的可动结构层固定区域旁;所述可动结构层的固定区域为牺牲层锚区;所述连接区设置在所述泄气孔的...
  • 公开了一种MEMS压力传感器,MEMS压力传感器,包括:衬底;红外光源,位于所述衬底上;热电堆结构,位于所述衬底上,其与所述红外光源相互分离;键合层,位于所述介质层上,围绕所述红外光源和所述热电堆结构;反射层,位于所述键合层远离所述介质...
  • 公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法,MEMS压力传感器,包括:衬底;红外光源,位于所述衬底上;热电堆结构,位于所述衬底上,其与所述红外光源相互分离;键合层,位于所述介质层上,围绕所述红外光源和所述热电堆结构;反射层,位于所述键合层...
  • 公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法,MEMS压力传感器,包括:衬底;热电堆结构,位于所述衬底上;键合层,位于所述衬底上,围绕所述热电堆结构;透明层,位于所述键合层远离所述衬底的表面,所述透明层靠近所述衬底的表面开设有凹槽,所述凹槽...
  • 本实用新型涉及一种双振膜硅麦克风,结构主体由下至上依次包括:下结构层、第一振膜、背极板、第二振膜;下结构层和第一振膜之间设有第一空腔和第一牺牲层锚区;第一振膜和背极板之间设有第二空腔和第二牺牲层锚区;第一空腔和第二空腔用于为第一振膜提供...
  • 本发明涉及一种微机械电容补偿结构及其制备方法,所述电容补偿结构呈柱体、锥体、台体或倒火山口形状,设置在电容器极板内侧,用于改变电容。在极板下方设置时,在下极板结构层上沉积牺牲层并图形化形成凹坑;沉积薄膜材料,刻蚀去除牺牲层表面介质薄膜材...
  • 本申请公开了一种微机械结构,该微机械结构包括衬底、第一牺牲层和主结构层,第一牺牲层位于衬底上,主结构层位于第一牺牲层上,第一牺牲层中形成有第一腔体;主结构层包括贯通主结构层上下表面的释放窗口以及位于所述释放窗口内的封堵结构;其中,第一腔...
  • 本发明涉及一种微机械锚区释放停止结构及其制备方法,所述停止结构包括一层呈“凹”字形的停止层,或包括一层呈“凹”字形的停止层、填充结构和上结构层;其凹坑内侧底部设置为直角或斜角,或其凹坑中心位置设置为一级或多级阶梯式台阶形状,台阶形状为直...
  • 本发明涉及一种双振膜硅麦克风及其制备方法,其结构包括:下结构层、第一振膜、背极板、第二振膜、第一空腔、第一牺牲层锚区、第二空腔、第二牺牲层锚区、第三空腔、第三牺牲层锚区、通孔、气体流动通道、连接杆、释放孔、腔体封口结构。其制造方法包括以...
  • 本发明涉及一种微机械泄气结构及其制备方法,所述通道包括泄气孔或泄气孔和泄气阀门、连接区、泄气通道主体和气体流动通道;泄气孔设置在上结构层,正对下结构层上方可动结构层固定区域旁,泄气通道主体设置为弯折或绕折微泄气通道,一端连接气体流动通道...
  • 本发明涉及一种微机械结构释放窗口的封口结构及其制备方法。所述封口结构包括封体结构和保护结构;封体结构包括封帽和封体,封体用于填充释放窗口,封帽呈柱形,用于完全盖住释放窗口;保护结构设置在封体结构的外侧,用于完全包裹住封体结构。封口结构的...
  • 本发明涉及一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法;所述堆叠结构包括上结构层、下结构层和中间膜层;中间膜层沉积在下结构层上,刻蚀形成环形凹槽,沉积上结构层,凹槽内形成接触通道,图形化上结构层,释放接触通道外侧的中间膜层。所述连杆结构至少...
  • 本发明涉及一种微机械凸起结构及其制备方法,所述凸起结构的材料为单一绝缘材料或是绝缘材料与导电材料构成的复合层材料,用于防止可动结构运动时相邻结构相互粘合。制备方法的步骤为:沉积下结构薄膜材料并进行图形化;沉积牺牲层,光刻刻蚀形成凹坑;沉...
  • 本申请公开了MEMS结构及MEMS麦克风。所述MEMS结构包括:第一电极结构;第二电极结构,第一电极结构的上表面与第二电极结构的下表面彼此相对;以及第一支撑结构,位于第一电极结构和第二电极结构之间,在的外围区将第一电极结构和第二电极结构...