本实用新型提供一种逆变器场效应管安装结构，涉及逆变器场效应管安装技术领域。包括底座和散热部，散热部的下端与底座的上端连接，底座的底面上设有容纳腔，容纳腔的上端贯穿散热部的顶面；底座的一端设有滑槽，滑槽与容纳腔连通，滑槽中设置有限位组件，...

本发明提供一种场效应管测试设备，涉及场效应管检测设备领域。导向组件与连接组件滑动连接。连接组件包括口型固定架，口型固定架内对称设置有第一移动组件和第二移动组件，第一移动组件靠近第二移动组件的一端和第二移动组件靠近第一移动组件的一端均设有...

本实用新型涉及一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，封装外壳包连接平台和支撑脚，若干支撑脚与连接平台的边缘一体连接，连接平台的底端面与MOSFET的顶端面连接，支撑脚的底端面与MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，支撑脚的底端...

本实用新型涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角，第二导电部与...

本发明涉及一种一种降低WLCSP芯片的RDSON的阻值的方法，包括如下步骤：S1、在所述WLCSP芯片的顶端面制备焊盘，所述焊盘覆盖所述顶端面上的D漏极，所述焊盘包括堆叠的粘附层、连接层和结合层，所述粘附层和所述D漏极相黏附；S2、在所...

本发明涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角，第二导电部与第一...

本发明公开一种超结碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅衬底、外延层、氧化层及金属电极层，外延层设置于碳化硅衬底上，外延层上开设梯形沟槽；氧化层设置于梯形沟槽内，并且氧化层与外延层的倾斜侧壁之间设置有注入区；金属电极层包括上接触电极和下接触电极...