本实用新型涉及一种ALD加工设备。该加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置，升降装置设置...

本实用新型涉及一种基体装载装置。该装载装置的底板以及顶板均对应设置有多个，多个底板间隔固定设置在托盘上，顶板通过连接组件固定设置在对应的底板的正上方，连接组件的两个第一支撑杆相对设置，两个第一支撑杆的两端分别可拆卸地连接在底板以及顶板上...

本实用新型涉及一种ALD基体转运装置，该转运装置的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，升降机构设置在反应器上，升降机构的输出端沿竖向伸缩，升降机构的输出端上设置有封盖，封盖可操作地将反应腔室顶部密...

本实用新型涉及一种ALD加热组件。该加热组件适用于对反应器的加热，该加热组件包括第一加热器、第二加热器以及第三加热器，第一加热器设置在封盖的顶部上，第一加热器的输出端作用在封盖上，第二加热器设置在反应腔室的外侧壁和真空腔室的内侧壁之间，...

本申请涉及一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，属于微型发光二极管领域；本申请实施例提供的一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，对微型发光二极管芯片依次进行原子沉积和化学沉积，相对于直接采用化学沉积可以提升微型发光二极管芯片的均匀性，相对于全部...

本实用新型涉及一种ALD反应腔室，包括反应腔室和封盖，所述反应腔室顶部敞口，所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置，所述封盖可操作地将所述反应腔室顶部密封。本...

本实用新型涉及一种ALD反应器。该反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置，封盖可操作地将反应腔室顶...

本实用新型涉及一种ALD尾气热解组件以及抽气装置。其中的热解组件包括壳体、加热器、处理体以及固定体，加热器设置在壳体的周面外侧，处理体设置在壳体内，处理体设置有贯通的处置孔，处置孔的两端分别连接有输入管和输出管，输入管以及输出管分别穿出...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。其中的加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，真空腔室的侧面上设置有第一料口，升降装置的输出端设置可将反应腔室顶部密...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及内置于真空腔室内的反应腔室，反应腔室的底部开设有相对设置的进气通道及出气通道，反应腔室的侧壁上设置有第一料口，真空腔室的侧壁上设置有第二料口，送料腔室设置在反应器的外侧，...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器的反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室底部开设有进气通道、出气通道以及第一料口，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的中心线相对设置，第一料口设置在进气通道和出气通道之间，真空腔室的侧面上设...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器的反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，真空腔室的侧面上相对设置有第一料口以及第二料口，升降装置的输出端设置可将反应腔室顶部密封的封盖，抓取装置设置在封盖上，...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室底部敞口，反应腔室的顶部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的顶部的中心线相对设置，真空腔室的侧面上设置有输...

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的中心线相对设置，反应腔室的侧壁上设置有第一料口，真空腔室的...

本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种气源存储装置。该存储装置包括气瓶、存储室以及冷却通道，存储室开设有存储孔，气瓶配合地设置在存储孔中，冷却通道设置有两个，两个冷却通道相对设置在存储室的侧壁中，两个冷却通道分别设置在存...

本实用新型涉及一种封盖升降装置。该封盖升降装置包括升降单元、连接架、连接杆以及封盖，其中，升降单元固定设置在真空容器的顶部，升降单元的输出端沿竖向伸缩，连接架位于真空容器的上方，连接架和升降单元的输出端连接，连接杆的上端和连接架固定连接...

本实用新型涉及一种热电偶安装机构。该热电偶安装机构包括固定套筒、第一波纹管以及连接套筒，固定套管固定设置在真空腔室的顶面上，第一波纹管的上端固定连接在固定套筒的内壁的顶部上，第一波纹管的下端依次活动穿过固定套筒的下端以及真空腔室的顶部，...

本发明涉及一种ALD加工设备以及加工方法。其中的加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，真空腔室的侧面上设置有第一料口，升降装置的输出端设置可将反应腔...

本发明涉及一种ALD加工设备以及加工方法。加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的中心线相对设置，反应腔室的侧壁上设置有第一料口，真...

本发明涉及一种ALD加工设备以及加工方法。加工设备的反应器的反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，真空腔室的侧面上相对设置有第一料口以及第二料口，升降装置的输出端设置可将反应腔室顶部密封的封盖，抓取装置设置在...