本技术提供了一种集成电路板的塑封模具，包括基座，基座顶部中心装配有伸缩电机、两侧固定安装有固定杆，两个固定杆上滑动安装有活动台且顶部固定安装有固定台，活动台底部和伸缩电机输出端固定连接，活动台顶部开设的置纳槽内放置有电路板，电路板顶部装...

本技术提供了一种晶圆装片机，包括固定滑轨，固定滑轨内设置有受驱往复运动的活动平台，活动平台顶部开设有预埋槽，预埋槽内装配有第一电机，第一电机的输出端竖直向上且固定安装有装载平台，装载平台的顶部设置有定位机构，定位机构的正上方设置有激光发...

本发明提供了一种半导体芯片测试机，包括测试台，测试台台面上方设置有活动板，活动板受驱沿竖直方向运动，且底部设置有转盘，以及驱使转盘转动的驱动机构，转盘的转为间歇性，且每次转动角度为九十度；转盘底部固定安装有L形板，L形板的水平部和竖直部...

本发明提供了一种半导体芯片生产工艺，工艺包括以下步骤：步骤一：从硅砂中提取超高纯度硅，将其融化凝固成单晶固体，制备成锭；步骤二：将步骤二中的锭首尾锯切，再将其余部分切割成预定厚度的薄片，制备锭片；步骤三：将步骤三中的锭片表面研磨抛光，制...

本技术提供了一种键合机的焊接平台，包括焊接基座，焊接基座顶部装配有对称分布的第一伸缩气缸，两个第一伸缩气缸的输出端均固定安装有第一限位板，两个第一限位板相向侧均垂直设置有第二限位板，第二限位板的数量为两个，且两者水平间距可调。本技术提供...

本发明实施例一种分离栅MOSFET器件及其制作方法，结构包括：第一掺杂类型的衬底以及在衬底第一表面形成的外延层；位于外延层上的多个沟槽单元；位于沟槽单元之间的第三沟槽，第三沟槽内填充多晶硅以形成第二栅极导体；位于所述外延层内第一类型阱区...

本实用新型提供了一种高效分切装置，包括基座，所述基座顶部固定安装有放料台和支架，所述支架上设置有按压机构，用于驱使活动板在所述放料台出料端正上方升降，所述活动板底部沿所述放料台出料方向依次装配有有竖向切刀和横向切刀，所述横向切刀的数量为...

本发明提供了一种半导体生产用全自动键合机，包括传送台，以及沿着传送台皮带输送方向依次分布的储料筒和伸缩电机，储料筒固定安装于传送台顶部，且其内堆叠有若干数量的封装载板，伸缩电机设置于传送台正上方，伸缩电机的输出轴竖直向下，且端部固定安装...

本实用新型提供了一种铝线键合机切刀，包括固定块，固定块的底部开设有第一滑槽，第一滑槽内设置有活动块，活动块受固定块上设置的升降机构驱使在第一滑槽内滑动升降，活动块的底部延伸至固定块外侧且设置有夹持机构，夹持机构上夹持固定有切刀

本实用新型提供了一种集成电路封装载板，包括封装载板本体，所述封装载板本体上可拆卸安装有防护板，所述防护板位于所述封装载板本体正面的上方，所述封装载板本体反面的下方设置有散热机构，所述散热机构和所述封装载板本体反面之间设置有硅脂层

本发明提供一种驱动MOSFET的电路结构，包括芯片电源，还包括有芯片，所述芯片内预设有如下结构，基准电压模块、电流检测、寄存器、选择开关、N型驱动结构和P型驱动结构，与只有一种驱动类型的电路结构相比，本发明可以直接驱动N型或者P型MOS...

本实用新型提供一种降低VF的分离栅MOSFET结构，利用上部的多晶栅极三、栅氧化层三、N+结构、N

本实用新型提供一种防静电结构及MOSFET器件，防静电结构包括氧化层隔离层，所述氧化层隔离层上淀积有多晶硅区域，多晶硅区域内注入掺杂类型不同的离子以形成多晶硅PN结，多晶硅PN结形成的多晶硅二极管组为弯曲结构。将ESD保护结构区域内的二...

本实用新型提供一种均衡级联的单管脚锂电池保护芯片，包括内部电源模块、基准电压模块、内部均衡逻辑模块、内部电压检测模块、级联电压检测模块、外部级联管脚和均衡驱动模块，相对于早期的芯片，本方案实现了均衡的级联功能，且仅使用一个外部均衡级联管...

本发明提供一种防静电结构、MOSFET器件及其制造方法，将ESD保护结构区域内的二极管组从方形直线分布做成方形弯曲分布，在不改变原ESD保护结构区域大小的前提下，更大限度的提高静电泄放的有效通道，提高器件的抗静电极限能力，静电泄放通道可...

本发明提供一种降低VF的分离栅MOSFET结构，利用上部的多晶栅极三、栅氧化层三、N+结构、N

本实用新型提供了一种用于筋膜枪的四串锂电池保护板，包括保护板，所述保护板长宽尺寸保持原有三串电池的尺寸，不额外增加尺寸，且所述保护板使用单层板，同时在所述保护板上设置保护电路。本实用新型采用单层板设计，将全部元器件和走线都集合在一层上，...

本实用新型提供了一种大功率锂电池的充电禁止放电电路，在充电回路中增加隔离组件，在所述充电正极和所述充电负极之间连接信号反馈单元，利用隔离组件反馈充电端情况，所述反馈单元接收并向所述锂电池保护芯片反馈充电器接入情况，设计合理，将充电回路和...

本实用新型提供了一种内置MOS带涓流充电的芯片及其电路，设计合理，克服目前市面上现有芯片方案的不足，通过一款专业芯片和电路，将锂电池的基本保护功能高度集成化，尽可能的缩小芯片的封装，同时在这种小封装中内置两颗MOS，并且增加其充电功能的...

本实用新型提供了一种调节外部电阻实现多路温度保护的电路，主要涉及温度保护领域，本实用新型设计合理，通过调节外部第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值，来实现不同温度点的温度保护，可以实现充电高温阈值、充电低温阈值和放电高温阈值的随意可调，放...