本申请涉及一种微发光二极管芯片及制备方法。所述制备方法包括：提供外延片；在所述外延片的表面形成电流扩展膜；在所述电流扩展膜背离所述外延片的表面形成第一光阻图案，所述第一光阻图案显露所述电流扩展膜的周缘；及以所述第一光阻图案为掩膜对所述电...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器、阵列及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域，可解决氧化生成电流限制层导致应力缺陷的问题。该垂直腔面发射激光器包括：依次叠加的衬底、N型布拉格反射层、有源区和P型布拉格反射层。其中，在P型布拉格反射层靠近...