武汉鼎泽新材料技术有限公司专利技术

武汉鼎泽新材料技术有限公司共有17项专利

  • 本申请提供了一种水溶性聚合物及其制备方法、其在研磨用组合物中的应用,涉及水溶性高分子领域。该水溶性聚合物的结构通式如下:其中,R1为氢基、氰乙基、异丁氰基中的至少一种;R2和R3各自独立的为烷基、烷氧基、酯基、羧酸、酰胺、芳环中的至少一...
  • 本发明涉及一种晶圆清洗刷,为多层圆柱体结构,包含旋转轴心,刷体以及清洁凸点,所述旋转轴心位于圆柱体中心处,所述刷体位于旋转轴心外周,且与旋转轴心固定或可拆卸连接,所述清洁凸点位于所述刷体外表面;所述刷体包含一层或多层树脂层,所述树脂层材...
  • 本发明涉及一种化学机械抛光组合物及抛光方法,包含改性胶态二氧化硅研磨颗粒、缓冲剂,杀生物剂以及液体载剂;所述改性胶态二氧化硅研磨颗粒经硅烷改性剂改性,所述改性胶态二氧化硅研磨颗粒在化学机械抛光组合物pH小于3时表现出负电性,且改性胶态二...
  • 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗组合物,包含:碱性pH调节剂,螯合剂,羟胺化合物,磷酸类化合物,腐蚀抑制剂,余量为水;所述磷酸类化合物为式(A)和式(B)所示化合物中的一种或两种与式(C)和式(D)所示化合物中的一种或两种的组合;所述...
  • 本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物,包含:pH调节剂、季铵碱、润湿剂、有机氮氧螯合剂、有机溶剂;所述有机氮氧螯合剂选自由半胱氨酸和其它氨基酸脱水缩合得到的化合物或含酰胺键的共聚物中的至少一种;所述含酰胺键的共聚物选自下述式(1)或式(2...
  • 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗组合物,包含:碱性pH调节剂,螯合剂,羟胺化合物,磺酸类表面活性剂,腐蚀抑制剂,余量为水;所述螯合剂的量为0.001wt%~0.005wt%,所述磺酸类表面活性剂的量为0.001wt%~0.008wt%...
  • 本技术公开了一种清洗液管路供给装置,包括进液管,所述进液管的表面设置有控制阀门,所述进液管的出液端连接有蓄液箱,所述蓄液箱的上表面设置有剂量盒,所述蓄液箱的内顶壁固定连接有直角板,所述直角板的竖板侧面固定连接有导液板,所述直角板的横板表...
  • 本实用新型公开了一种光刻胶调配釜的清洗装置,包括釜体,所述釜体的下表面固定连接有支撑机构,所述支撑机构的上表面设置有清洗机构,所述支撑机构包括支撑釜体的支撑柱,所述支撑柱的底端固定连接有支撑板,所述支撑板的下表面四角均固定连接有支撑腿,...
  • 本实用新型公开了一种光刻胶管道循环清洗机构,包括管体,所述管体的一端内壁活动连接有空心杆,且空心杆的表面开设有方孔,所述空心杆的侧边固定连接有连接环,所述连接环的内壁螺纹连接有固定环,所述固定环的侧面固定连接有定位板,所述定位板的侧面螺...
  • 本实用新型公开了一种抛光液传输设备,其特征在于:包括传输管,所述传输管的侧面固定连接有固定板,所述固定板的侧面螺纹连接有螺纹杆,所述螺纹杆的一端固定连接有控制盘,所述控制盘的侧面固定连接有橡胶环,所述螺纹杆的另一端固定连接有限位盘,所述...
  • 本实用新型公开了一种清洗液贮留罐,包括罐体,所述罐体的底部固定连接有限位环,所述限位环的下表面转动连接有底座,所述底座的上表面转动连接有凸盘,所述底座的侧面卡接有直角杆,所述直角杆的一端设置有阻尼转轴,所述罐体的上表面设置有进液管,所述...
  • 本实用新型公开了一种抛光液温度控制装置,包括储存盒,所述储存盒的两侧分别设置有进液管和出液管,且出液管的表面设置有控制阀门,所述储存盒的上表面设置有设备盒,所述设备盒的内底壁设置有马达,且马达的输出端固定连接有传动杆,所述传动杆的侧面固...
  • 本实用新型公开了一种具有高精密计时控制的浸泡装置,属于液体浸泡法所用装置技术领域,为解决现有方法系统误差与人为误差较大等问题而设计。本实用新型具有高精密计时控制的浸泡装置包括自上而下依次连通设置的盛液容器、浸泡容器和回收容器,盛液容器和...
  • 本发明公开了一种具有高精密计时控制的浸泡装置及浸泡方法,属于液体浸泡法所用装置技术领域,为解决现有方法系统误差与人为误差较大等问题而设计。本发明具有高精密计时控制的浸泡装置包括自上而下依次连通设置的盛液容器、浸泡容器和回收容器,盛液容器...
  • 本实用新型涉及一种评价晶片清洗效率的实验装置,解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。包括:支架,设置在所述支架上的真空吸附晶片样品并带动晶片样品旋转的真空旋转装置,以及设置在所述支架上的将粘染物溶液或清洗液注射至晶片样...
  • 本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法,对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价,包括:切割处理晶片得到晶片样品,进行沾染实验,获得待清洗的晶样;进行形貌分析,获得清洗前三维形貌图像;用清洗液进行清洗实验...
  • 本发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置,解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验,获得表面带有缺陷的沾染晶片样品;使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形...
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