本申请提供一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构，向反应腔室通入四二甲基胺钛，四二甲基胺钛吸附在衬底表面，衬底位于反应腔室内；对四二甲基胺钛进行加热，分解得到二甲胺气体和位于衬底表面的第一氮化钛薄膜；向反应腔室通入金属盐，金属...

本申请提供一种升降装置，涉及半导体技术领域，旨在机器人宕机的情况下，使管理人员既安全又方便的获取目标FOUP。该升降装置包括移动机构、升降机构和取放机构。移动机构用于控制升降装置的移动，并控制升降装置在目标物的所在列停止。升降机构与移动...

本申请公开一种温度补偿方法、装置和半导体机台，该方法包括：建立待加热晶圆上的量测点集合，每个量测点集合包括多个位于同一量测半径的圆周上的量测点；获取每个量测点的实际特征参数值，实际特征参数值用于表征量测点处的温度信息；针对每个量测点集合...

本公开提供一种硬掩膜及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在解决先进曝光图层薄膜用作硬掩膜存在光刻良率低的技术问题。提供的硬掩膜的制备方法，主要包括提供先进曝光图层薄膜和采用目标工制备硬掩膜这两个步骤。基于先进曝光图层薄膜的分子结构中较多...

本技术公开了一种机械手臂及晶片清洁装置，该机械手臂包括第一手臂、吹扫气体通道和至少一个吹扫口；第一手臂包括连接端和执行端，执行端包括承载面，用于承载第一晶片；吹扫气体通道自连接端延伸至执行端，至少一个吹扫口位于执行端背离承载面一侧且与吹...

本公开提供了一种晶圆对准装置以及晶圆对准方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决待测晶圆移动误差大、对准效率低的问题。晶圆对准装置包括至少三个对准模块和移动组件。对准模块包括用于发射光线的发光器件和用于接收该发射光线并实时生成所接收光线的...

本申请提供了一种芯片表面电荷消除方法及装置，该方法包括：利用气体喷射针向芯片衬底侧面以第一角度喷射气体前驱体；利用聚焦离子束设备向芯片衬底侧面以第二角度发射离子束，以利用离子束轰击分解气体前驱体，以在芯片衬底侧面的目标位置沉积金属；第一...

本公开的实施例提供了一种清洗装置及清洗方法、晶圆减薄设备，涉及晶圆加工技术领域，用于减少沉积在清洗槽底部的晶渣在清洁部件上的附着，从而降低划伤晶圆的风险。该清洗装置包括清洗槽、进液阀和排液阀。清洗槽包括底壁和围绕底壁设置的侧壁。侧壁设有...

本公开提供了一种压力传感器及其制备方法、半导体加工设备及其监测方法，涉及半导体加工设备技术领域，旨在解决半导体加工设备制备得到的半导体器件存在制作良率低的问题。压力传感器包括电容、第一绝缘层和第一电感线圈。电容包括相对设置的第一极板和第...

本申请提供一种半导体机台及晶圆干燥方法，控制装置与识别设备、传输设备和顶杆推动器电连接，实现对识别设备、传输设备和顶杆推动器的控制。识别设备位于清洗腔室的侧壁，用于识别晶圆切口的位置，防止顶杆推动器顶入切口中。传输设备，位于清洗腔室和干...

本申请提供一种机械手臂形变检测方法、检测设备及晶圆传送装置，机械手臂包括机械柄和机械齿，方法包括：发射器设置在机械手臂上方或下方，控制发射器沿着固定角度发射第一光线，控制接收器分别接收机械齿和机械柄在传送晶圆的过程中对第一光线反射的第二...

本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的良率。所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底一侧形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层；将所述衬底固定于等离子腔室内的静电卡盘上；基于所述掩膜层，对所述...

本申请公开了一种减少基底中杂质的方法、半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供基底，在基底的第一表面设置有用于界定有源区的隔离结构，在基底的第二表面形成有第一介质层，其中，第一表面和第二表面相对设置；刻蚀第一介质层中与有源区对应的区域，...

本申请提供一种热电偶热腐蚀检测装置、检测方法和半导体制造设备，可以在热电偶处于恒温环境中检测热电偶热腐蚀的情况，具有较高检测准确率。该检测装置包括检测电路和控制电路，检测电路的第一连接端连接热电偶的第一冷端，以及第二连接端连接热电偶的第...

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底，基底位于反应腔室内；向反应腔室内通入含硅气体和第一含氮气体，采用第一沉积工艺在基底上沉积缓冲层；向反应腔室内通入含硅气体和第二含氮气体，采用第一沉积工艺在缓冲层上沉积硬质掩膜层；向...

本公开提供了一种晶圆键合精度的测量装置，涉及半导体技术领域，旨在提高晶圆键合精度的测量装置的量测精度以及量测结果的稳定性。所述晶圆键合精度的测量装置包括：镜头、晶圆承载台、光源承载台和测距器件。其中，晶圆承载台设于镜头的图像采集侧，晶圆...

本申请提供一种震动检测报警电路、震动检测报警方法及半导体设备，旨在解决无法侦测冷泵异常震动的问题。震动检测报警电路包括：震动收集电路、主控电路和报警发生电路。震动收集电路被配置为检测待检测部件的机械震动，并根据机械震动生成检测信号。主控...

本申请提供一种半导体结构及制备方法，刻蚀第一介质层，形成贯穿第一介质层的第一通道；在第一通道中填充第一金属以作为互连结构的互连金属。在第一流量下通入第一反应气体，在第二流量下通入第二反应气体，以在第一金属和第一介质层上形成第一过渡层。第...

本申请提供一种半导体热处理设备及副产物检测方法，半导体热处理设备包括反射板、承载台、摄像模块和图像识别与处理模块，承载台位于反射板的一侧，用于放置晶圆，在工艺过程中，在反射板和晶圆之间会形成工艺副产物，可以将工艺副产物作为目标检测物。摄...

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，该结构包括：衬底，衬底包括导电结构；堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的蚀刻停止层、第一介电材料层、第一应力缓冲层、第一掩膜层，蚀刻停止层覆盖衬底的一侧表面；膜层通孔，膜层通孔贯穿堆叠结构，且暴...