本申请公开了一种减少基底中杂质的方法、半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供基底，在基底的第一表面设置有用于界定有源区的隔离结构，在基底的第二表面形成有第一介质层，其中，第一表面和第二表面相对设置；刻蚀第一介质层中与有源区对应的区域，...

本公开提供了一种晶圆键合精度的测量装置，涉及半导体技术领域，旨在提高晶圆键合精度的测量装置的量测精度以及量测结果的稳定性。所述晶圆键合精度的测量装置包括：镜头、晶圆承载台、光源承载台和测距器件。其中，晶圆承载台设于镜头的图像采集侧，晶圆...

本申请提供一种震动检测报警电路、震动检测报警方法及半导体设备，旨在解决无法侦测冷泵异常震动的问题。震动检测报警电路包括：震动收集电路、主控电路和报警发生电路。震动收集电路被配置为检测待检测部件的机械震动，并根据机械震动生成检测信号。主控...

本申请提供一种半导体结构及制备方法，刻蚀第一介质层，形成贯穿第一介质层的第一通道；在第一通道中填充第一金属以作为互连结构的互连金属。在第一流量下通入第一反应气体，在第二流量下通入第二反应气体，以在第一金属和第一介质层上形成第一过渡层。第...

本申请提供一种半导体热处理设备及副产物检测方法，半导体热处理设备包括反射板、承载台、摄像模块和图像识别与处理模块，承载台位于反射板的一侧，用于放置晶圆，在工艺过程中，在反射板和晶圆之间会形成工艺副产物，可以将工艺副产物作为目标检测物。摄...

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，该结构包括：衬底，衬底包括导电结构；堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的蚀刻停止层、第一介电材料层、第一应力缓冲层、第一掩膜层，蚀刻停止层覆盖衬底的一侧表面；膜层通孔，膜层通孔贯穿堆叠结构，且暴...

本申请提供一种晶圆位置调整系统，晶圆位置调整系统包括晶圆夹持机构、至少一组晶圆调整装置和控制模块，晶圆位于晶圆夹持机构的末端的表面上，晶圆调整装置位于晶圆夹持机构未放置晶圆一侧表面上，晶圆调整装置包括机械臂、承载板和第一移动机构，承载板...

本申请提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括：提供衬底，形成贯穿部分衬底的凹槽，之后形成阻挡层。利用物理气相沉积工艺使金属靶溅射出金属粒子，金属粒子轰击衬底使得衬底升温至目标温度区间，在升温至目标温度区间时利用金属粒子填充凹槽，即利...

本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体器件领域，该半导体结构包括：衬底，以及位于衬底表面的介质层；互连沟槽，互连沟槽贯穿介质层，且暴露出衬底表面；扩散阻挡层，扩散阻挡层覆盖互连沟槽的底部和侧壁，扩散阻挡层至少包括依次堆叠的淀...

本申请提供一种晶圆清洗监控方法及设备，方法包括：获取晶圆在正常清洗情况中的色度区间和亮度区间，获取晶圆在实际清洗过程中预设时刻的实际色度值和实际亮度值，根据实际色度值与色度区间的比较结果，和/或实际亮度值与亮度区间的比较结果，确定在预设...

本技术涉及半导体领域，公开一种解键合工具及解键合装置。一种解键合工具包括：刀头本体；刀头本体包括刀刃和至少一个喷射口，至少一个喷射口朝向刀刃的尖端一侧，用于当刀刃插入键合的两片晶圆之间的边缘缝隙时朝向两片晶圆的缝隙喷射液体；刀头本体内部...

本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器可以包括第一衬底，位于第一衬底中的多个光吸收区、位于第一衬底的一侧的器件层以及接触结构，光吸收区中设置有光电二极管和浮动扩散区，相邻的光吸收区之间设置有浅沟槽隔离结构，接触结构连接浮动扩散...

本申请提供一种图像传感器结构、制作方法及电子设备，图像传感器结构包括光电二极管层、介质层和滤光层，光电二极管层和介质层依次层叠，介质层包括多个凹槽；滤光层包括多个透过光波长不同的滤光膜，每个滤光膜对应填充一个凹槽；每个凹槽的底壁与光电二...

本申请提供一种薄膜制造设备及薄膜制造方法，该设备包括反应腔室、基座、第一进气口、第二进气口和第一管路，基座位于反应腔室内部；基座的表面具有通道，通道包括至少一个凹槽；第一进气口用于向反应腔室通入解离气体；第二进气口用于向反应腔室通入反应...

本申请提供了一种半导体结构制备方法及制备系统，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成介质层；刻蚀介质层，形成贯穿介质层的通道，以暴露出衬底的表面，以便后续导电互连结构的形成。预先将反应源气体与还原性气体混合后，通入反应腔室，在第一温度下...

本公开提供了一种半导体器件测量装置，涉及半导体技术领域，旨在解决测量半导体器件尺寸时表面会产生划痕的问题。半导体器件测量装置包括在第一方向上相对设置的第一固定板和第二固定板、设于第一固定板和第二固定板之间的置物座、沿第二方向可移动地设置...

本申请提供一种晶圆承载装置及薄膜沉积设备，包括基座、第一支撑部件和第二支撑部件，基座的中部位置具有凸起结构，凸起结构上方具有第二支撑部件，第二支撑部件用于放置晶圆，第一支撑部件位于基座的边缘位置，可以取放晶圆。在基座中具有第一通道，第一...

本申请提供了一种半导体结构及制备方法，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成多个浅沟槽隔离结构；在位于相邻的两个浅沟槽隔离结构之间的衬底的表面形成栅介质层；在栅介质层和浅沟槽隔离结构远离衬底的一侧形成第一半导体层；在第一半导体层远离衬底...

本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及到一种半导体失效定位装置及微光显微探测设备，包括：基座、标记装置、升降装置、透光底板和挡光部，所述升降装置和所述透光底板均设置于所述基座上，所述标记装置位于所述透光底板上方，所述标记装置与所述升降装置固...

本技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种天车轨道清洁装置，包括：天车组件、行走机构、前清理机构和后清理机构，所述行走机构与所述天车组件传动连接，所述前清理机构包括清扫组件与收集组件，所述后清理机构包括喷淋组件与擦拭组件，在所述天车组件沿轨...