本发明涉及一种制造高功率发光器件的方法，该方法使用具有高导热率且具有与器件匹配的热膨胀系数的化学镀或电镀金属复合材料热耗散衬底。

一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层（２），包括掺杂Ⅲ－Ⅴ或Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长（ＥＬＯＧ）沉积到图案化衬底（１）上；织构化未掺杂或掺杂的有源层（３），包括Ⅲ－Ⅴ或Ⅱ－...