通威太阳能眉山有限公司专利技术

通威太阳能眉山有限公司共有394项专利

  • 本技术公开了一种石墨舟片及石墨舟。石墨舟片包括沿第一方向排列的多个支撑部,每个支撑部的厚度侧表面为支撑面,支撑面与第一方向相交锐角。在固定的石墨舟片长度下,该石墨舟片可以固定较多的硅片,从而节约生产成本,提高生产效率。
  • 本技术涉及丝网印刷设备技术领域,公开一种印刷刮板、印刷刮刀及印刷设备,所述印刷刮板包括:刮板主体,所述刮板主体为邵氏硬度为55~80度的刮板主体;介质通道,设于所述刮板主体中,所述介质通道用于使介质存储或通过,所述刮板主体用于在所述介质...
  • 本技术涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钝化接触太阳电池及光伏组件。钝化接触太阳电池,包括硅基底、第一介质层、第一掺杂多晶硅层、第二介质层和第一电极。硅基底具有受光面,受光面具有局部的第一区域,受光面在第一区域以外的区域为第二区域,第二...
  • 本技术提供了一种太阳电池,太阳电池的硅基底为P型硅基底,在硅基底的第一表面上依次叠设重掺杂层、超晶格结构层以及第一介质层,在第二表面设置第二介质层。本技术的太阳电池在硅基底的表面进行重掺杂并在硅基底的第一表面的一侧与第二表面的一侧均采用...
  • 本技术涉及电池片加工技术领域,尤其涉及一种烘干设备、电池片加工装置以及电池生产线。该烘干设备,用于对电池片进行烘干,烘干设备包括箱体以及加热台。箱体具有烘干腔室,箱体设有连通于烘干腔室的进风口和抽风口,抽风口用于连接抽风机构,以使气体经...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底,硅基底的受光面依次叠层设置有发射极、第一氧化硅层和氧化铝层;其中,第一氧化硅层的厚度为0.2 nm~1.2 nm。本发明能够有效提升发射极的界面稳定性,抑制紫外光照射...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中制备方法包括:提供太阳电池初始结构,至少对太阳电池初始结构中具有第二掺杂层的一面进行激光开膜形成栅线图案,将电极浆料施加在栅线图案上,并烧结制备电极栅线,烧结温度不高于700℃,对电极...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅片、第一掺杂硅层、第一功能膜以及受光面电极。硅片具有受光面。第一掺杂硅层设置在受光面上。第一功能膜设置在第一掺杂硅层背离硅片的一面上。受光面电极包括...
  • 本技术公开了一种花篮装置,包括两个端板、多根第一支撑杆、多根第二支撑杆,两个端板沿第一方向上相对设置,每一根第一支撑杆的两端分别连接于两个端板,且多根第一支撑杆沿第二方向上间隔排列,每一根第二支撑杆的两端分别可转动连接于两个端板,且多根...
  • 本技术公开了一种承载组件及石墨舟,承载组件包括石墨舟片、导电部及止挡部,石墨舟片具有沿其自身厚度方向上的第一侧,导电部设于第一侧,导电部用于抵接于硅片沿第一方向上的一侧,且导电部与硅片电连接,止挡部设于第一侧,且沿厚度方向上,止挡部与石...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件。该钝化接触结构包括:介质层,所述介质层为氮氧化硅层,所述介质层的厚度为1.2nm~3nm;设于所述介质层上的掺杂层,所述掺杂层的厚度为30nm~80nm;其中,所...
  • 本技术公开了一种载片舟及太阳电池生产设备,该载片舟包括舟架及载片架,其中,舟架上具有放置位;载片架位于放置位内,载片架包括平行且间隔的第一挡板和第二挡板以及设置于第一挡板和第二挡板之间的连接件,第一挡板、第二挡板及连接件围合形成的空间用...
  • 本技术涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钝化接触太阳电池及光伏组件。该钝化接触太阳电池,包括硅衬底、介质层、第一掺杂多晶硅层以及第二掺杂多晶硅层。介质层设置在硅衬底上,介质层的密度大于或等于2.2g/cm<supgt;3</...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种印刷网版组件、图形化电极及太阳电池。该印刷网版组件包括:第一印刷网版,包括主栅图形结构和设于主栅图形结构端部的第一鱼叉线图形结构;第二印刷网版,包括副栅图形结构和第二鱼叉线图形结构,部分副栅图形结...
  • 本申请公开了一种电池片,包括基板、电极及多个鱼叉结构,基板具有正面;电极包括印刷于正面的多个主栅和多个副栅,多个主栅均沿第一方向延伸且沿与第一方向垂直的第二方向间隔排布,每个主栅的两端分别与正面在第一方向上的两侧边之间具有预设间隙,每个...
  • 本技术公开了一种除水装置及尾气处理设备,该除水装置包括桶体及导流叶片,其中,桶体具有与内部空间连通的进气口、出气口及出液口,桶体的轴向与竖直方向平行或呈预设夹角,进气口在竖直方向上低于出气口,出液口用于将内部空间的液态水排出;导流叶片螺...
  • 本技术公开了一种硅片激光处理设备,包括取料装置、运输装置以及激光处理装置。取料装置用于拾取待激光处理的双层硅片运输装置用于运输经取料装置拾取后的双层硅片。激光处理装置包括沿运输装置的运输方向依次设置的第一激光处理器、翻转结构以及第二激光...
  • 本技术涉及电池生产技术领域,公开了一种承载组件及加工设备,包括底座、第一承载机构以及第二承载机构,所述第一承载机构设于所述底座,所述第一承载机构设有第一凹槽,所述第一凹槽用于承载物料,所述第二承载机构设于所述底座,所述第二承载机构设有第...
  • 本技术涉及太阳电池加工设备技术领域,公开一种插片组件,用于插装硅片,包括:顶齿,所述顶齿用于固定硅片;吸盘,所述吸盘用于吸附所述硅片以及使所述硅片移动至所述顶齿中;其中,所述顶齿包括导电顶齿主体以及包覆在所述导电顶齿主体表面的第一掺杂硅...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;功能层,设于硅基底的表面,功能层为含氢层,功能层为减反射层或掺杂层;氢隔离层,氢隔离层的厚度为0.5 nm~5 nm;其中,氢隔离层的材料包括R...
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