本发明提供一种银粉的制造方法和该银粉，其能够制备可以获得具有期望的线宽和高度的布线图案的导电性糊剂。银粉的制造方法包括：利用气流粉碎机(2)将聚集银粉破碎的破碎工序；和利用风力分级机(3)将破碎工序后的银粉分级的分级工序，聚集银粉的含水...

本发明提供在用于导电性糊剂等时能够带来优异的印刷性和低温烧结性的球状银粉。一种球状银粉，其基于激光衍射法的体积基准的累积50％直径D<subgt;50</subgt;相对于BET直径D<subgt;BET</su...

本发明提供一种块状银粉，其BET比表面积为0.5m<supgt;2</supgt;/g以下，观察100个以上银颗粒截面时的、长宽比的平均值为1.2以上且小于2.0、并且下述(式1)所示的银颗粒的周长相对于外接长方形的周长之比...

本发明提供一种能够降低线电阻的银粉及其制造方法。一种银粉，其中，在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置测定的体积基准的粒度分布中，累积50％粒径为3μm以上，并且10μm以上的颗粒的比率为10％以下，关于通过基于SEM图像的图像分析观察到...

提供发光中心波长大于320nm且小于350nm的、可得到大的发光功率输出的紫外发光元件及其制造方法。发光元件(100)依次具备：由具有Al组成比x的Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</...

提供具有高的发光输出和发光效率的发光元件和其制造方法。本发明的发光元件具有：n型半导体层；InAsSbP活性层，其在前述n型半导体层上、且至少包含In、As；p型半导体层，其在前述InAsSbP活性层上、且与前述InAsSbP活性层晶格...

本发明提供不仅抑制载流子浓度且为低位错密度、而且位错密度为零的区域的面积在GaAs晶圆面中所占的比例较大的GaAs晶圆。一种GaAs晶圆，其特征在于，所述GaAs晶圆具有：1.0×10<supgt;17</supgt;cm&...

本发明提供作为导电性糊剂使用时，即使使线宽变细也不易引起断线、与以往相比体积电阻率小的银粉、以导电性填料的形式包含银粉的导电性糊剂和银粉的制造方法。银粉是作为银颗粒的聚集体的银粉，其表观密度为8.2g/cm<supgt;3<...

提供一种适合于可低温焙烧的导电性糊剂的导电性填料的银粉及其制造方法。银粉的制造方法包括：在银氨络合物水溶液中添加唑类而得到第一液体的唑添加工序；在第一液体中添加还原剂而得到第二液体的还原剂添加工序；以及在第二液体中添加脂肪酸而得到第三液...

本发明的钙钛矿型复合氧化物粉末如下：对用扫描型电子显微镜取得的SEM图像进行图像解析而算出的钙钛矿型复合氧化物粉末的最大弗雷特直径的几何标准偏差值为1.01以上且低于1.60，根据图像解析而直接算出的面积值B与假定前述钙钛矿型复合氧化物...

提供在没有改变表面处理剂的种类的情况下将该银粉糊剂化进行电极形成时成为低电阻的银粉的制造方法。在银粉的制造工序中，在银粉的浆料中添加包含采用激光衍射式粒度分布测定法得到的体积基准的累计50％粒径D<subgt;50</sub...

本发明所述的载体芯材由铁氧体颗粒构成，含有CaSiO<subgt;3</subgt;，真密度为3.5g/cm<supgt;3</supgt;以上且4.5g/cm<supgt;3</supgt;以下的范...

提供适于用于将锂离子二次电池的正极活性物质粒子的表面用作为固体电解质的铌酸锂被覆的铌酸锂的前体溶液的制备的

本发明提供一种银粉及其制造方法

本发明提供在具有偏离角的

本发明提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。银粉的振实密度为4.8g/mL以上，该振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m2/g...

提供一种振实密度为0.8～1.9g/mL，基于激光衍射散射式粒度分布测定的累积50％粒径(D

提供一种磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末及其制造方法、以及使用该磁性粉末的电波吸收体及其制造方法，所述磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末具有包括76GHz频带的60～90GHz频带范围的电波吸收能力，并且在宽温度范围内峰值频率变化小。一种磁铅石型...

提供能够简便地制造与以往相比一次粒径的偏差小的球状银粉的球状银粉的制造方法及由其得到的球状银粉。本发明的球状银粉的制造方法包括在含有银离子的水性反应体系中混合由碳酸肼构成的还原剂使银颗粒还原析出的还原析出工序。原析出工序。原析出工序。

本发明提供即使使用包含Ag的接合材料也能抑制由迁移引起的电极的变色、不发光等不良影响的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具备：p型半导体层；p型电极，其设于p型半导体层上；以及焊盘，其设于p型电极上，p型电极具有：...