本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌...

本发明公开了一种多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法，旨在提供一种能够延长抛光液的使用期限，有利于增强器件可靠性的多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法。按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5

本实用新型涉及一种负压搅拌式反应釜，包括筒体和上、下封头构成整体反应釜结构，其特征是：所述上封头设有真空泵接口，所述下封头设有气流喷射口，所述下封头纵向截面形状呈椭圆形，所述下封头上方间隔固接有曲面挡板，所述曲面挡板与筒体及下封头形成的...

本发明涉及一种碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用，主要由SiO2水溶胶磨料、FA/OⅠ型非离子表面活性剂、FA/OⅡ型螯合剂和双氧水组成碱性铜粗抛液，其特征是：所述碱性铜粗抛液的FA/OⅠ型表面活性剂在GLSI多层铜...

本发明涉及一种提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法，具体步骤如下：测量抛光片的初始铜膜厚度，选择抛光垫；调整FA/O抛光液的流速150—300mL/min、抛光机的工作压力12kPa-40kPa、抛光头的转速30rpm—1...

本发明涉及一种碱性抛光液改善CMP中阻挡层表面粗糙度的应用，主要由复合磨料、FA/O Ⅱ螯合剂、FA/O Ⅰ表面活性剂和超纯水组成碱性抛光液，其特征是：所述FA/O Ⅰ表面活性剂具有的渗透能力特性，有效改善阻挡层表面粗糙度的应用。有益效...

本发明涉及一种控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用，主要由纳米Si02水溶胶、复合磨料、FA/O I型非离子表面活性剂、FA/O II型鳌合剂和双氧水组成的碱性抛光液，其特征是：所述FA/O I型非离子表面活性剂利用优先...

本发明涉及一种碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用，主要由SiO2磨料、氧化剂、活性剂和螯合剂组成的碱性抛光液，其pH值9～13，其特征是：所述碱性抛光液的螯合剂在低机械压力下对铜膜的高去除速率的应用。有益效果：本发...

本发明涉及一种CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用，主要由水溶胶、FA/0 Ⅰ型鳌合剂、pH无机酸调节剂和复合型非离子活性剂组成的碱性抛光液，其特征是：所述复合型非离子活性剂为FA/0 Ⅰ型表面活性剂，所述FA/0 Ⅰ...

本发明公开了一种高浓度Ｔｉ阻挡层表面化学机械抛光液的制备方法，旨在提供一种使用非金属反应器采用负压涡流搅拌的方法制备高浓度Ｔｉ阻挡层表面化学机械抛光液，以避免避免硅溶胶的凝胶或溶解，提高抛光液的纯度。使用电阻为１８ＭΩ以上的超纯水对透明...

本发明公开了一种镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法，旨在提供一种使用采用涡流搅拌的方法制备镁铝合金材料表面化学机械抛光液，以避免有机物、金属离子、大颗粒等有害物质进入抛光液中，提高抛光液的纯度，同时，避免硅溶胶的凝胶或溶解。将硅溶...

本发明公开了一种锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法，旨在提供一种采用负压涡流搅拌的方法制备抛光液，避免硅溶胶的凝胶或溶解，同时，避免有机物、金属离子、大颗粒等有害物质进入抛光液中，提高抛光液的纯度。使用电阻为１８ＭΩ以上的超纯水对透...

本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过程中化学机械抛光（ＣＭＰ）抛光液的制备方法。本方法抛光液选用纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为３０－５０ｗｔ％，粒径１５－１００ｎｍ，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的ｐＨ值９－１３，既能满足有效...

本发明涉及磷酸氧钛钾（ＫＴｉＯＰＯ４，简称ＫＴＰ）晶体表面高精密加工过程中化学机械抛光（ＣＭＰ）抛光液的制备技术。选用纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为３０－５０ｗｔ％，粒径１５－１００ｎｍ，制备过程中采用密闭系统下负压搅拌制备法，避免了传...

本发明公开了一种液晶显示屏水基清洗液的制备方法，旨在提供一种使用非金属反应器采用负压搅拌的方法制备液晶显示屏水基清洗液，以避免有机物、金属离子、大颗粒等有害物质进入清洗液中，提高清洗液的纯度，避免二次污染。将渗透剂、非离子表面活性剂、金...

本发明涉及一种超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法，抛光液制备方法步骤如下：采用１８ＭΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍；将碱性ｐＨ值调节剂稀释后逐渐加入反应器内的抛光液中，采用负压涡流法进行气体搅拌，其加入量为直至抛光液...

本发明涉及一种超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法，其特征是：其制备方法步骤如下，采用１８ＭΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍；将碱性ｐＨ值调节剂和ＦＡ／Ｏ　Ｉ型表面活性剂用超纯去离子水稀释后通过负压逐渐吸入密闭反...

本发明涉及一种用于极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为３０－５０％、粒径为１５－２５ｎｍ、莫氏硬度７以利于材料的去除及表面平整化，抛光液的ｐＨ值９－１２，既能满足有效去除，也能保...

本发明涉及一种硅片清洗剂的制备方法，其特征是，具体步骤（体积比％），将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的体积百分比０．１－５％、部分１８ＭΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态；胺碱按需配置清洗剂的质量百分比０．５－１０％，用...

本发明涉及硬盘磷化铟基板表面高精密加工过程中化学机械抛光（ＣＭＰ）抛光液的制备方法。该抛光液选用高浓度纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为５－５０ｗｔ％，粒径１５－１００ｎｍ，ｐＨ值９－１２。本发明采用负压涡流搅拌的制备方法，避免了传统的复配...