本发明公开了一种双管反激式LED驱动电源，本发明采用隔离变压器方案驱动双管反激变换器中的两个开关管,使其尽量工作在同步状态,减少能量损耗。为滤除电源输入端电磁干扰,设计了输入端EMI滤波器。通过分析反激式变压器的工作状态,结合实际需求,...

本发明公开了一种LED驱动电源，本发明以TL494为主电路控制芯片,采用半桥式电路作为开关电源的主电路变换器,并设计出各个功能模块电路,通过反馈调节,控制输出电压和电流,组成具有电压控制和过流保护功能的LED驱动电源系统。同时,根据电路...

本发明公开了一种高性能LED驱动与控制系统，本发明控制电路部分完成输出占空比可调的PWM信号；驱动电源部分完成减小电磁干扰、功率因数校正,降压恒流等功能。控制电路以单片机为核心,结合红外遥控技术,通过软件编程实现PWM信号的阶梯性变化,...

本发明公开了一种LED驱动芯片，本发明该芯片具有低启动功耗、无电解电容、脉冲电流驱动等特点。芯片的高压启动电路为芯片VCC电容提供初始恒定的充电电流，并且可通过内部电阻调节充电电流大小，利于控制充电时间，在启动完成后电路功耗较低，对芯片...

本发明公开了一种半导体激光器应用方法，本发明采用光束质量均匀化、偏振合束、多波长合束多路耦合等方式增加能量,将激光耦合进芯径为800μm,数值孔径(NA)为0.2的传能光纤中,实现了光纤耦合半导体激光输出光功率5109W,光纤耦合效率8...

本发明公开了一种LED显示屏控制系统，本发明系统下位机采用AT89S51单片机作为控制器,列驱动电路由74HC595控制,行扩展电路由74LS154控制,并通过I2C总线扩展存储器AT24C16,存储从上位机软件传送过来的点阵数据。LE...

本发明公开了一种一体化半导体激光器，本发明利用ANSYS软件对元器件集成度较高的电路板等热源进行了热仿真,提高了集成后结构的可靠性。仿真结果显示,优化设计后的半导体激光器一体化结构满足激光器温度要求,系统温度分布均匀,能保证激光器稳定运行。

本发明公开了一种半导体激光加工光纤耦合模块方法，本发明首先,将16只808nm单管半导体激光器分成两个单元,通过空间合束将每个单元上的激光器发出的光合成一路;然后,利用偏振复用技术将两个单元发出的光束再次合束,通过自行设计的聚焦系统将合...

本发明公开了一种电源测试系统，本发明首先利用A/D转换芯片完成对LED驱动电源在不同状态条件下的输入电压、输入电流、输出电压、输出电流等状态量的采集，并把采集到的相关数据在ARM存储器上存储；然后根据相关计算处理方法，实现对输入功率、功...

本发明公开了一种半导体器件的高功率微波应用，本发明小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检...

本发明公开了一种温度在线监测系统，本发明系统使用LED所产生的光能经太阳能电池光电转换后为高压侧无线测温装置供电,以保证其可靠运行。设计了LED两级可PWM调光恒流驱动电路,为LED提供了恒定电流的同时保证了输入端高功率因数。无线测温装...

本发明公开了一种封装用高性能有机硅树脂，本发明纳米复合材料的性能与纳米ZnO的粒径、含量及表面性质密切相关。纳米ZnO经γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)偶联处理后,可以在有机硅树脂中良好分散,并与树脂具有良好的界面相容性...

本发明公开了一种异形电子元件自动插件机，本发明结合异形元件的可机插性,选定MKP‑X2型安规电容异形电子元件作为研究对象,设计插件机的重复定位精度‑0.04mm、插件效率2000‑2500pcs/h、插件不良率小于800ppm。分析所满...

本发明公开了一种高功率半导体激光器散热方法，本发明将用基于结构函数法的热阻仪测量SiC和AlN封装F‑mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃/W,AlN约为3.4℃/W,SiC器件的实测热阻值比AlN器件小14.7%。

本发明公开了一种半导体材料放大光纤，本发明纳米半导体薄膜内包层光纤结构,考虑半导体材料能带结构特性,实现新型结构光纤,并采用改进的化学气相沉积法,在相应实验设备条件下制备出50m纳米半导体薄膜包层光纤；通过对光纤掺杂半导体材料的特性分析...

本发明公开了一种低维半导体材料的电子自旋结构，本发明p型CuAlO2。为了进一步探求和澄清磁性半导体材料的磁性起源问题,TM元素Co和Ni掺杂CuAl02的磁学性质。选择具有铜铁矿结构的CuAl02材料进行研究,主要因为它是天然存在的为...

本发明公开了一种集成电路设计应用，本发明电源管理芯片为例对集成电路设计项目的管理过程进行了研究和分析,其中在制定项目工作计划时运用了WBS分解结构、甘特图、网络图的方法,并应用Microsoft Project工具找出关键路径,最后计算...

本发明公开了一种异步集成电路设计，本发明一种可以完全在同步VLSI设计环境下实现的状态机异步控制器。并且本发明在异步控制器中加入了一个脉冲发生模块,减小了控制器发出的锁存器锁存信号宽度,从而降低了锁存器对数据保持时间约束的要求。最开始以...

本发明公开了一种数字集成电路测试系统，本发明系统硬件可提供最多32管脚的数字集成电路测试,测试向量深度可达2M,最快实现10M的测试频率,并可根据所测芯片的类型选择相应的测试项目。测试系统软件分为三大模块:下层ARM程序模块、USB驱动...

本发明公开了一种纳米结构的半导体，本发明以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体，以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的，纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系。通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维（ISc）...