本发明公开了一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法，属于半导体功率器件检测技术领域，其具体包括：通过集成温度敏感元件、多源数据采集与融合技术，实时监测器件温度、环境及电性参数，构建精确的器件状态数据；利用深度学习算法处理热成像图，精准...

本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法可以包括：提供碳化硅本体；形成从碳化硅本体的第一表面延伸到碳化硅本体中的栅极沟槽，栅极沟槽具有侧壁和底部；在碳化硅本体中构造第一屏蔽区，第一屏蔽区覆盖栅极沟槽的底部；在栅...

本发明适用于半导体芯片封装技术领域，提供了一种新型的QFN封装结构，包括上塑封体、功率source pin和下塑封垫：所述下塑封垫的内壁设置有芯片，所述芯片的source上连接有信号线，所述信号线的一端连接有信号pin；其中，信号pin...

本发明公开了一种高效率冷却的多芯片功率模块，包括功率模块，和对功率模块散热的冷却模块，以及用于对冷却模块供液的供液模块，功率模块，其包括基板，以及设置于基板上的多个芯片，所述基板和芯片封装于外壳内，冷却模块，其包括与基板相贴合的散热底板...

本发明公开了一种高耐用性碳化硅功率器件，包括衬板，和位于衬板表层金属片上的SIC功率芯片，以及用于封装衬板的上壳体和下壳体，所述SIC功率芯片通过焊料连接有第一铝片，所述衬板表层金属片过焊料连接有第二铝片和金属立柱，所述上隔板开设有多个...

本技术涉及半导体芯片加工技术领域，且公开了一种碳化硅半导体芯片加工用上料装置，包括底座装置，所述底座装置外表面一侧设置有加工台装置，所述加工台装置包括装置板，所述装置板外表面一侧设置有连接箱，所述连接箱内部设置有装置管，所述装置管一端设...

本发明公开了一种碳化硅片高温栅氧退火工艺，包括如下步骤：一、将表面形成栅氧结构的碳化硅片放置于输送带上；二、输送带将碳化硅片输送至退火炉内；三、启动激光发生装置，激光发生装置发出激光送入至退火炉内；四、激光照射至碳化硅片表面，碳化硅片吸...

本发明公开了一种高品质的高温栅氧工艺，包括如下步骤：一、对硅片进行清洁，去除表面杂质和污物；二、将清洁后的硅片放置于氧化炉中进行高温氧化，从而在硅片表面形成氧化膜；其中，氧化炉包括炉筒，和设置于炉筒两端的端盖，以及设置于炉筒内的第一隔板...

本发明公开了一种半导体沟槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，包括湿法刻蚀装置主体，所述湿法刻蚀装置主体的顶部固定连接有储气仓，所述湿法刻蚀装置主体的内壁底部固定连接有刻蚀台，所述刻蚀台的顶部左侧固定连接有半导体传动台，所述刻蚀台的顶部后侧固...

本技术公开了夹具领域的一种碳化硅半导体芯片测试用夹具，包括装置底座，所述装置底座表面固定安装有装置主体，所述装置主体内部滑动安装有一号支撑柱，所述一号支撑柱表面活动安装有一号固定块，所述一号支撑柱表面固定安装有卡块，所述一号卡槽内部活动...

本实用新型公开了一种碳化硅半导体芯片加工用切割工装，包括工作台，以及开设于工作台上端的限位槽，限位槽内部滑动设置至少四个用于碳化硅半导体芯片快速固定的夹紧块，限位槽内开设至少两条用于夹紧块移动的导向轨，且夹紧块分别设置在限位槽内部四角，...

本实用新型公开了一种碳化硅半导体芯片晶圆切割机，包括送料机构，所述送料机构送料方向设置有用于定位芯片与自主出料的翻转机构，所述翻转机构一侧设置有避免裁切时材料移位的固定机构，所述翻转机构上方设置有用于裁切半导体的裁切机构，所述送料机构包...

本发明涉及碳化硅半导体芯片生产技术领域，且公开了一种基于碳化硅半导体芯片封装，包括底座装置，所述底座装置外表面一侧设置有盖板装置，所述底座装置包括底座，所述底座外表面一侧设置有装置箱，所述装置箱内部设置有装置管，所述装置管内部设置有活动...

本发明涉及半导体领域，公开一种铜桥焊接的碳化硅功率模块，功率模块包括芯片模组

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种功率半导体器件模块，模块包括：壳体，包括底壳和上盖，底壳和上盖之间形成容纳元器件的空间；基板，设置于底壳上，其包括拼接成方形且相互间具有空隙的第一板体

本发明公开了一种碳化硅半导体芯片用双面直接水冷模块，包括第一热源

本发明涉及碳化硅半导体芯片生产技术领域，且公开了一种基于碳化硅半导体芯片外观检测设备，包括加工设备，所述加工设备外表面一侧设置有照明装置，所述加工设备包括加工支撑座，所述加工支撑座外表面一侧设置有支架，所述支架外表面一侧设置有螺纹板，螺...

本实用新型公开一种基于碳化硅半导体芯片检测用定位工装，包括底座，万向轮、第一伸缩杆、安装架、支撑板、连接架、移动机构、第一电机、第一锥齿、第二锥齿、丝杆、滑动座、连接杆、连接块、第二伸缩杆、推板、泡沫板、第二电机，所述第一锥齿上端左右两...

本发明涉及碳化硅半导体芯片生产技术领域，且公开了一种碳化硅半导体芯片切割用固定结构，包括固定装置，所述固定装置外表面一侧设置有上层设备，所述固定装置包括操作板，所述操作板外表面一侧设置有加工箱体，所述加工箱体外表面一侧设置有推动杆材，所...

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种铜带键合的车用功率模块，模块包括：芯片组，包括多个功率芯片、通过焊料固定功率芯片的DBC板、粘合于DBC板底部的第一基板、设置于功率芯片顶部的第二基板，功率芯片通过铜带键合于DBC板，第一基板和第二基板...