本申请公开了一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法，包括SOI衬底、图形化键合层、键合衬底和隔离槽结构，图形化键合层位于SOI衬底和键合衬底之间；SOI衬底具有纵向贯穿的多个金属互联结构，金属互联结构和SOI衬底之间设有介质层；图形化...

本申请公开了一种锂电池包热失控状态的检测方法及装置，所述方法包括：构建车辆中目标锂电池包的状态检测策略；获取目标锂电池包的实时氢气浓度，并根据预设浓度阈值确定实时氢气浓度对应的目标浓度区间；在预设调整系数数据库中查找与目标浓度区间相匹配...

本申请公开了一种MEMS微镜及制备方法，包括层叠设置的衬底层、固定梳齿层和可动梳齿层，可动梳齿层上设有反射镜；多个通孔，纵向贯穿衬底层和固定梳齿层，衬底层、固定梳齿层与通孔间彼此设置介质层；多个金属互连结构，填充于通孔中，部分金属互连结...

本技术公开一种氢浓度传感器模组，采用热导式氢气传感器探头，拥有更快的响应时间和更长的使用寿命；模组体积小巧，仅仅占用电池包BMS线路板上较小的空间；支持模拟量，设有UART接口和SPI接口输出，选择性较大；模组采用邮票孔封装，可以在电池...

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MEMS微镜的制备方法，制备方法包括：提供晶圆衬底，晶圆衬底具有相对的正面和背面，正面为用于形成MEMS微镜的功能面；于晶圆衬底上形成导电柱和第一标记，导电柱贯穿晶圆衬底，第一标记位于晶圆衬底的背面...

本申请公开了一种热导气体传感器、制备方法及气体热导率检测方法，包括开设有悬空槽的衬底和至少部分悬空设置于所述悬空槽上的温场层，所述温场层包括间隔设置的恒温热源和至少两个测温单元；所述悬空槽用于容纳待测气体，所述至少两个测温单元中的至少部...

本技术公开一种气体传感器模组烧录测试台架和装置，所述测试台架包括载板、探针板、气路三通管和待测试的气体传感器模组；气体传感器模组的气体传感器正对或位于载板上开设的测试通孔内；探针板的中部镂空且固定设置有若干测试探针；测试探针贯穿探针板，...

本发明公开了一种恒温热导率气体传感器及制备方法，包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的温控层与位于所述温控层上的保护层；所述温控层包括至少一个加热单元、多个制冷单元与多个测温单元，所述多个制冷单元位于所述加热单元的两侧，所...

本技术公开一种适用于高温高压环境的氢浓度传感器，包括传感器探头部、信号处理线路板和防水连接部；所述传感器探头部包括承压隔温层和向外凸出的传感器腔室，所述承压隔温层的一端与传感器腔室的底部相抵接，用于将传感器腔室侧的高温高压与信号处理线路...

本技术涉及氢气检测技术领域，公开了一种油中氢气传感器，包括固定板，所述固定板的两侧均设有柔性印刷电路板，两个所述柔性印刷电路板的一侧均设有第一引脚，多个所述第一引脚的一侧均固定连接有第二引脚，多个所述第二引脚的一侧设有油中氢气传感器；通...

本实用新型涉及氢气检测技术领域，公开了一种油中氢气传感器的封装结构，包括柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板的一侧设有钯合金油氢芯片，所述钯合金油氢芯片的一侧设有氢气敏感单元，所述钯合金油氢芯片的一侧均设有多个第一引脚，所述柔性印刷电路板...

本申请公开一种气体检测装置，该气体检测装置包括：基底，以及依次设置于基底的一侧的半导体层和隔离层，隔离层上设有检测组件；检测组件包括气体检测元件和检测参考元件，气体检测元件包括能够吸收待检测气体的第一导电材料层，第一导电材料层与隔离层和...

本申请公开一种用于锂电池热失控预警的气体传感器及其制备方法，该用于锂电池热失控预警的气体传感器包括：基底和桥型结构；基底的功能侧设置有散热腔，桥型结构悬空设置在散热腔的腔体开口范围内；桥型结构包括沿远离散热腔的方向上依次层叠设置的第一结...

本实用新型提供一种恒温电路及使用其电路的气体传感器，包括：控制模块、电桥模块和放大模块，所述控制模块与电桥模块电性连接，所述电桥模块与放大模块电性连接；所述电桥模块包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别与第七电阻和第一电阻电性连接，所述第...

本申请公开一种气体检测组件及其制备方法，该气体检测组件包括：基底，以及沿远离基底方向上依次设置的第一测温层、隔离层、第二测温层；第一测温层包括加热元件和第一测温元件，第二测温层包括第二测温元件，第一测温元件与第二测温元件串联。本申请制备...

本说明书公开了一种MEMS器件的干法释放保护方法，其特征在于，所述MEMS器件包括功能层和结构层，所述方法包括：在衬底的上表面制作功能层，功能层和衬底之间存在至少一处空隙；用聚合物填充至少一处空隙，并固化聚合物；从衬底的下表面刻蚀衬底到...

本申请公开一种深硅刻蚀方法，包括：对待刻蚀硅进行薄膜沉积，在待刻蚀硅上形成氧化薄膜层；在氧化薄膜层上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，得到在氧化薄膜层上的具有第一预设图案的光刻胶层；对待刻蚀硅进行刻蚀，以去除第一预设图案处的氧化...

本申请公开一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基底和沿远离基底的方向上依次设置的第一薄膜、传感器组件和第二薄膜；基底朝向第一薄膜的一侧设置有绝热通腔，部分第一薄膜设置在绝热通腔的腔体开口处；传感器组件包括布置于第一薄膜上的第一...

本申请公开了一种氢气检测芯片及制造方法，其中，一种氢气检测芯片，包括硅基底层和位于硅基底层上的绝缘层，绝缘层上设置有电阻单元；电阻单元包括压敏电阻、加热电阻、测温电阻和氢敏电阻；硅基底层的内部开设出空腔；压敏电阻设置在空腔的边缘位置，加...

本申请公开一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基底和沿远离基底的方向上依次设置第一薄膜、传感器组件和第二薄膜；传感器组件包括加热电阻、温度电阻和至少两个热敏电阻，至少两个热敏电阻与加热电阻相邻布置，温度电阻远离加热电阻布置；基...