本发明提供一种可同时测量热物性的热式流量传感器及其传感方法，涉及热式流量传感器技术领域

本实用新型涉及一种具有高灵敏度的气体流量传感器芯片，包含从下往上依次设置的衬底、支撑膜、金属膜、保护膜；所述衬底的上表面设置有空腔，其沿着流体方向形成流动通道；所述支撑膜为图形化，图形化开口处于空腔区域上方，使得空腔与外界连通；所述金属...

本实用新型涉及一种高精度片上补偿的压阻压力传感器，包含衬底、敏感膜、压阻层结构、补偿电阻结构、金属连接层、绝缘层；所述衬底设置有一空腔；所述敏感膜位于衬底上表面，完全覆盖整个空腔；所述压阻层结构位于敏感膜上方，且处在空腔范围之内，用于感...

本实用新型公开了一种低成本的高温压力传感器，包括陶瓷线路板，所述陶瓷线路板的顶端安装有高温芯片，且高温芯片与陶瓷线路板的接触面通过烧结的方式固定有玻璃，所述高温芯片的顶端的引脚处连接键合引线，且键合引线的末端与陶瓷线路板的引脚处相连接；...

本发明涉及一种高精度片上补偿的压阻压力传感器及其补偿方法，其中压阻压力传感器包含衬底、敏感膜、压阻层结构、补偿电阻结构、金属连接层、绝缘层；所述衬底设置有一空腔；所述敏感膜位于衬底上表面，完全覆盖整个空腔；所述压阻层结构位于敏感膜上方，...

本发明涉及一种具有高灵敏度的气体流量传感器芯片及其制造方法，该气体流量传感器芯片包含从下往上依次设置的衬底、支撑膜、金属膜、保护膜；所述衬底的上表面设置有空腔，其沿着流体方向形成流动通道；所述支撑膜为图形化，图形化开口处于空腔区域上方，...

本发明涉及一种快速响应MEMS雾化芯及其制备方法，其中快速响应MEMS雾化芯包含第一衬底、设置在第一衬底顶部的第二衬底、设置在第一衬底和第二衬底之间的密封空腔、分别沉积在第一衬底和第二衬底顶部的二氧化硅薄膜、设置在第二衬底顶部二氧化硅薄...

本发明涉及一种红外检测MEMS流量传感器，包含红外辐射单元和红外接收单元；所述红外辐射单元包括悬臂设置在管道内且呈空心结构的细软支架、悬挂在细软支架头部的加热电阻、附着在加热电阻上用于向外辐射红外波的黑体、设置在管道外的电压源、两条穿过...

本发明涉及一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法，该抗腐蚀高稳定性的流量传感器包含硅片和盖板；所述硅片的正反面均设置有钝化层；所述硅片的正面分别设置有连接电极、测量电极和测温电极，背面设置有隔热腔体；所述盖板的正面设置有流体槽道，背...

本发明涉及一种无损检测MEMS流量传感器，包含设置在管道一侧的红外辐射单元、设置在管道另一侧的红外接收单元；所述红外辐射单元包括设置在管道管壁上用于向外辐射红外波的黑体、设置在黑体外侧用于给黑体加热的加热电阻、设置在加热电阻周围且通过两...

本发明涉及一种抗腐蚀高稳定性的传感器，包含硅片和盖板；所述硅片的正反面均设置有钝化层；所述硅片的正面分别设置有连接电极、测量电极和测温电极，背面设置有隔热腔体；所述盖板的正面设置有流体槽道，背面分别设置有与连接电极、测量电极和测温电极对...

本实用新型涉及一种低成本MEMS雾化芯，包含衬底、设置在衬底背面的二氧化硅薄膜层、分别设置在二氧化硅薄膜层底部的加热电阻丝、用于覆盖加热电阻丝的保护层氮化硅、设置在衬底正面中部的空腔、设置在衬底正面并覆盖空腔表面的烟油吸附层；所述保护层...

本实用新型涉及一种快速响应MEMS雾化芯，包含第一衬底、设置在第一衬底顶部的第二衬底、设置在第一衬底和第二衬底之间的密封空腔、分别沉积在第一衬底和第二衬底顶部的二氧化硅薄膜、设置在第二衬底顶部二氧化硅薄膜上的加热电阻丝、用于覆盖加热电阻...

本实用新型涉及一种低功耗MEMS雾化芯，包含衬底、设置在衬底背面中部的空腔、两个分别贯穿衬底正面和背面且位于空腔两侧的金属过孔、沉积在衬底正面以及两个金属过孔内的二氧化硅薄膜、填充在两个金属过孔内且被二氧化硅薄膜包裹的金属、设置在衬底正...

本发明涉及一种低成本MEMS雾化芯及其制备方法，其中低成本MEMS雾化芯包含衬底、设置在衬底背面的二氧化硅薄膜层、分别设置在二氧化硅薄膜层底部的加热电阻丝、用于覆盖加热电阻丝的保护层氮化硅、设置在衬底正面中部的空腔、设置在衬底正面并覆盖...

本发明涉及一种低功耗MEMS雾化芯及其制备方法，其中低功耗MEMS雾化芯包含衬底、设置在衬底背面中部的空腔、两个分别贯穿衬底正面和背面且位于空腔两侧的金属过孔、沉积在衬底正面以及两个金属过孔内的二氧化硅薄膜、填充在两个金属过孔内且被二氧...

本实用新型涉及一种红外检测MEMS流量传感器，包含红外辐射单元和红外接收单元；所述红外辐射单元包括悬臂设置在管道内且呈空心结构的细软支架、悬挂在细软支架头部的加热电阻、附着在加热电阻上用于向外辐射红外波的黑体、设置在管道外的电压源、两条...

本实用新型涉及一种无损检测MEMS流量传感器，包含设置在管道一侧的红外辐射单元、设置在管道另一侧的红外接收单元；所述红外辐射单元包括设置在管道管壁上用于向外辐射红外波的黑体、设置在黑体外侧用于给黑体加热的加热电阻、设置在加热电阻周围且通...

本实用新型涉及一种集成温控的微小型硅压阻式压力传感器，包含基板、盖板、恒温管壳、硅压阻式压力传感器芯片、温度传感器芯片和PI加热片；所述恒温管壳设置在基板和盖板之间，且两端分别与基板和盖板固定连接，形成恒温腔室；所述恒温管壳上还设置有导...

本发明涉及一种与MEMS深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：先在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个MEMS喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层，然后沿着切割槽对硅片上的多个MEMS喷雾器进行切割...