本实用新型公开了一种纳米级双层胶结构，包括用于感光用的PMMA电子束光刻胶以及LOL底层胶，同时还包括用来进行涂胶工艺的晶圆衬底，最后包括用于LOL底层胶溶解的溶解液层，所述晶圆衬底的上端外表面均匀涂覆有LOL底层胶，且LOL底层胶的顶...

本实用新型公开了一种环氧树脂光刻胶SU‑8使用的优化系统，包括进行整体操作过程的无尘间，同时包括用于光刻胶过程的涂胶系统、烘烤系统以及曝光系统三组系统体系，所述无尘间的内部沿水平方向均匀布置有涂胶系统、烘烤系统以及曝光系统三组系统体系，...

本发明公开了一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形，再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除，得到最终所需的聚酰亚胺微掩膜。本...

本发明公开了一种用于微流控芯片制备的台阶模板加工方法，包括如下加工步骤：步骤1）清洗硅片，并在硅片表面做底部刻蚀形成底部流道，形成初刻模板；步骤2）在初刻模板表面未刻蚀的位置进行光刻，形成第二层流道；步骤3）去除底部流道中的胶，并得到最...

本实用新型公开了种光刻胶固定装置，包括一底部设有吸盘的基座，所述基座上端设有若干呈等距设置的刻度条，同时还包括至少五张光刻胶片，所述至少五张光刻胶片呈上下叠加放置于刻度条上端，同时基座两侧设有卡条，使所有光刻胶片和基座之间形成连接，同时...

本实用新型公开了一种多层台阶硅模板制作装置，包括一基座，该基座底部设有硅胶垫，所述基座上端设有第一C型座，该第一C型座底部设有滑轨，所述滑轨上设有一基于伺服控制的电动伺服滑动块，所述电动伺服滑动块底部连接有一基于伺服控制的电动伸缩装置，...

本实用新型公开了一种硅模板表面加工装置，包括一基座，所述基座上端连接有氧化池及腐蚀池，还包括一倒置U型架体，架体底部通过连接杆连接有一底部设有滑道的基板，滑道上横向滑动连接有伺服滑动块，伺服滑动块底部连接有伺服液压升降装置，伺服液压升降...

本实用新型公开了一种简易式微流道制作装置，包括刻蚀装置及光刻装置，以及平台，刻蚀装置和光刻装置分别安装于第一、第二伺服机械手的上端，所述平台上端竖向设有第一、第二连接基座，第一连接基座内侧设有第一滑槽，第二连接基座内侧设有第二滑槽，第一...

本实用新型公开了一种二维材料电极制作装置，包括一基座、一基于伺服控制的传送带，传送带上设有多个电动卡钳，还包括基于伺服控制的光刻刀、刻蚀刀以及等离子体刻蚀刀，光刻刀、刻蚀刀及等离子体刻蚀刀的上端分别设有基于伺服控制的第一、第二、第三液压...

本实用新型公开了一种新式硅片切割装置，包括一机架，机架上端设有架体，架体底部设有滑槽，滑槽上设有伺服滑块，伺服滑块底部连接有横向支架，横向支架底部纵向连接有伺服液压伸缩装置，伺服液压伸缩装置底部连接有电动液压钳，机架上端竖向连接有第一刻...

本实用新型公开了一种高精度喷头制作装置，包括一基座，基座上端连接有一呈倒置设置的L型架体，同时基座上端还设有第一、第二连接杆，且第一、第二连接杆的上端和L型架体上端形成连接；第一、第二连接杆内侧横向设有一平板，第一连接杆上设有一横向穿孔...

本实用新型公开了一种光刻多次曝光装置，包括平台、涂胶装置及刻蚀装置，平台上端的中间设有曝光装置，平台左、右端分别设有第一、第二连接块，第一连接块右侧和曝光装置左侧之间设有第一横向导轨，第二连接块左侧和曝光装置右侧之间设有第二横向导轨，第...

本实用新型公开了一种金属剥离装置，包括一机架，机架上端竖向设有第一、第二基座，第二基座左端设有滑槽，滑槽上滑动连接有基于伺服控制的伺服滑动块，伺服滑动块前端可拆式连接有基于伺服控制的伺服伸缩装置，伺服伸缩装置前端可拆式连接有基于伺服控制...

本实用新型公开了一种光刻胶辅助装置，包括一电子束曝光装置，以及一底部设有真空吸盘的平台，所述电子束曝光装置可拆式安装于平台上端左侧，所述平台上端通过一多向移动装置连接有一转动装置，所述转动装置上设有涂胶装置、磁控溅射装置以及一喷液装置；...

本发明涉及到微流加工技术领域，尤其涉及到一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法。本发明所涉及的一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法即能克服硅模具的较脆、使用寿命不长及制备工艺时间较长等缺点，又能克服UV-LIGA工艺制备的金属模具中工艺长...

本发明涉及到微流控芯片技术领域，尤其涉及到一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法。本发明所涉及的一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法即能克服硅模具的较脆、使用寿命不长及制备工艺时间较长等缺点，又能克服UV-LIGA工艺制备的金属模具中工艺...