一种太阳能电池外延片，该太阳能电池外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、组合牺牲层和太阳能电池层，组合牺牲层包括第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第三牺牲层紧贴太阳能电池层设置，第二牺牲层设置于第一牺牲层与第三牺...

一种太阳能电池外延片，该太阳能电池外延片包括：依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层和太阳能电池层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第二牺牲层紧贴第一牺牲层设置，第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层的被腐蚀速度...

一种太阳能电池外延片，其包括依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层和太阳能电池层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第二牺牲层紧贴第一牺牲层设置，第一牺牲层上分布有多条凹槽，第二牺牲层上具有多个与凹槽配合的凸起，...

一种太阳能电池外延片及其制作方法，该太阳能电池外延片包括：依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层和太阳能电池层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第二牺牲层紧贴第一牺牲层设置，第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层...

一种太阳能电池外延片及其制作方法，该太阳能电池外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、组合牺牲层和太阳能电池层，组合牺牲层包括第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第三牺牲层紧贴太阳能电池层设置，第二牺牲层设置于第一牺...

一种太阳能电池外延片和其制作方法，该太阳能电池外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层和太阳能电池层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层紧贴缓冲层设置，第二牺牲层紧贴第一牺牲层设置，第一牺牲层上分布有多条凹槽，第二牺牲层...

本实用新型公开了一种GaAs双面薄膜太阳能电池，包含一个电池单元，或由多个电池单元组成的阵列，每个电池单元包括背电极层、器件层和栅电极层，栅电极层具有第一栅线结构，背电极层具有第二栅线结构，器件层与背电极层之间设置有第一减反膜层，器件层...

本发明所述的一种薄膜太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1、在GaAs衬底的上表面依次形成牺牲层、GaAs层和第一电极层；S2、在第一电极层远离GaAs层的表面上形成掩膜层；S3、通过刻蚀工艺对第一电极层和GaAs层进行图案化；S4、...

本发明公开了一种GaAs双面薄膜太阳能电池，包含一个电池单元，或由多个电池单元组成的阵列，每个电池单元包括背电极层、器件层和栅电极层，栅电极层具有第一栅线结构，背电极层具有第二栅线结构，器件层与背电极层之间设置有第一减反膜层，器件层与栅...

本发明提供了一种基于半导体量子点的多结太阳能电池及其制作方法，包括以下步骤：GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层以及太阳能电池层制作出外延片，太阳能电池层包括N型接触层、GaInP顶电池、隧道结I、GaInAs中电池、隧道结II、I...

一种InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法，包括：利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、基极、InGaAs量子点超晶格结构、发射极、窗口层和接触层后制作出InGaAs量子点太阳能电池外延片，InGaAs量子点超晶格结构包...

一种太阳能汽车电源，属于太阳能电池技术领域，包括太阳能电池组和外围电路，太阳能电池组沿车身的外侧铺设，由一个或多个GaAs基的太阳能电池单元串联和/或并联构成，其中每个太阳能电池单元包括器件层、器件层上方设置的金属电极层以及器件层下方设...

本实用新型提供一种基于高效柔性太阳能电池的移动电源，所述移动电源包括套设于电子设备壳体外的基板，在基板上设置有太阳能电池组、充电控制电路、以及输出端口，太阳能电池组由一个或多个高效柔性GaAs基太阳能电池构成，太阳能电池组的效率可达25...

一种柔性量子点太阳能电池及其制作方法，包括，利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层和太阳能电池层后制作出太阳能电池外延片，太阳能电池层依次包括窗口层、发射极、量子点超晶格结构、基极、背面场层和接触层，量子点超晶格结构...

一种高散热性太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，一种高散热性太阳能电池包括能吸收阳光并产生电能的器件层、器件层上方设置的金属电极层以及器件层下方设置的由金属层和导热背衬层构成的背衬层，在背衬层的外侧设置有定向导热层，定向导热层上包括沿一...

本发明提供一种基于高效柔性太阳能电池的移动电源，所述移动电源包括套设于电子设备壳体外的基板，在基板上设置有太阳能电池组、充电控制电路、以及输出端口，太阳能电池组由一个或多个高效柔性GaAs基太阳能电池构成，太阳能电池组的效率可达25％以...

一种太阳能汽车电源，属于太阳能电池技术领域，包括太阳能电池组和外围电路，太阳能电池组沿车身的外侧铺设，由一个或多个GaAs基的太阳能电池单元串联和/或并联构成，其中每个太阳能电池单元包括器件层、器件层上方设置的金属电极层以及器件层下方设...

本实用新型提供一种自旋光电子器件，利用n型接触层与电极层形成的自旋注入结构将磁性金属层产生的自旋极化电子传送到耦合量子阱和量子点结构中。所述自旋注入结构优选磁性金属-半导体肖特基结或磁性金属-氧化物-半导体隧道结，解决了现有技术中磁性金...

本发明提供一种自旋光电子器件及其自旋注入方法，利用n型接触层与电极层形成的自旋注入结构将磁性金属层产生的自旋极化电子传送到耦合量子阱和量子点结构中。所述自旋注入结构优选磁性金属-半导体（M-S）肖特基结或磁性金属-氧化物-半导体（M-O...

本发明公开了一种III-V族化合物电子器件的制备方法，该方法包括：A.提供一个衬底；B.在衬底上形成牺牲层；C.在牺牲层上形成活性层；D.在活性层上形成背衬层，该背衬层包括与活性层粘结的金属层和粘附于金属层上的导热背衬层，当背衬层的厚度...