本申请提供一种晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置。该标定方法包括：获取晶体在目标温度区间内至少两个温度下的体积变化速度；其中，目标温度区间包含晶体的熔点；根据获得的体积变化速度和预先存储的晶体在目标温度区间内的体积变化速度经验...

本发明涉及一种晶体裂纹探测装置、晶体生长炉及晶体裂纹探测方法。晶体裂纹探测装置，用于在晶体生长过程中探测裂纹位置，晶体裂纹探测装置包括：轴承，包括轴承内圈和轴承外圈，轴承内圈用于连接晶体生长炉的晶体提拉杆；固定盘，固定于轴承的轴承外圈上...

本申请提供一种铌酸锂晶体的生长方法及装置，所述方法可以控制坩埚旋转。其中，坩埚内设置有铌酸锂的晶料熔融液。将晶种悬停于晶料熔融液的液面上方，并通过加热件烘烤晶种。将晶种浸入晶料熔融液，并快速地将晶种提拉至晶料熔融液的液面上方。再次将晶种...

本申请公开了一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，通过将还原性单质材料、碳酸锂粉、植物纤维或植物淀粉与水进行机械球磨混合，得复合还原剂，将复合还原剂以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片正反两面，烘干处理后，...

本申请公开了一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，通过将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，构成层叠结构，在特定的退火炉工艺条件下，对晶片进行还原黑化处理，通过调节纯棉纸张或纤维布厚度与晶片厚度比值，能够...