本公开涉及化学气相沉积技术领域，特别地涉及一种连续式化学气相沉积设备和沉积方法。设备包括：主体装置和设置在所述主体装置内的传输装置，所述主体装置具有通过所述传输装置依次连接的准备室、反应室和热处理室；气体支持装置，与所述主体装置连接，用...

本公开涉及化学气相沉积技术领域，特别地涉及一种连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质。方法包括：将设置有基材的第一反应容器设置于第二工位，进行化学气相沉积反应；将设置有基材的第二反应容器设置于第一工位，调节第三工位和所述第一工位的...

本发明属于碳化硅材料制造技术领域，公开了一种闸门控制方法以及闸门开关装置。闸门控制方法，包括响应于罩壳内第一腔体和/或第二腔体的气氛环境构建完成所产生的第一信号，驱动闸门自第一位置运动至第二位置，暴露所述罩壳上位于第一腔体和第二腔体之间...

本申请提供了一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过使用甲基三氯硅烷作为前驱体原料，氩气作为载流气体，对掺杂气体经预热器进行预热处理并完全分解为氮原子单位形式，进入化学气相沉积室，供应浓度均匀的氮原子，...

本申请提供了一种化学计量碳化硅膜的制备方法，属于化学气相沉积技术领域。此方法包括以下步骤：S1、将基底清洗干净，放置于化学气相沉积室内；S2、对化学气相沉积室抽真空，然后用惰性气体清洗化学气相沉积室；S3、当室内温度达到预定沉积温度时，...

本申请提供了一种基于化学气相沉积工艺制备均质碳化硅膜的方法，属于化学气相沉积技术领域。此方法包括以下步骤：S1、将基底清理干净，放置于化学气相沉积室内；S2、对化学气相沉积室抽真空，然后用惰性气体清洗化学气相沉积室；S3、当室内温度达到...