一种激光辅助制备碳化硅薄膜的方法，包括：步骤S1：提供基材，通入原料气体，使用紫外激光束对基材表面进行扫描，使原料气体在扫描路径上沉积形成特定晶型的碳化硅晶粒；步骤S2：采用化学气相沉积工艺在沉积有特定晶型的碳化硅晶粒的基材表面进行二次...

本公开涉及化学气相沉积技术领域，特别地涉及一种连续式化学气相沉积设备和沉积方法。设备包括：主体装置和设置在所述主体装置内的传输装置，所述主体装置具有通过所述传输装置依次连接的准备室、反应室和热处理室；气体支持装置，与所述主体装置连接，用...

本公开涉及化学气相沉积技术领域，特别地涉及一种连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质。方法包括：将设置有基材的第一反应容器设置于第二工位，进行化学气相沉积反应；将设置有基材的第二反应容器设置于第一工位，调节第三工位和所述第一工位的...

本发明属于碳化硅材料制造技术领域，公开了一种闸门控制方法以及闸门开关装置。闸门控制方法，包括响应于罩壳内第一腔体和/或第二腔体的气氛环境构建完成所产生的第一信号，驱动闸门自第一位置运动至第二位置，暴露所述罩壳上位于第一腔体和第二腔体之间...

本申请提供了一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过使用甲基三氯硅烷作为前驱体原料，氩气作为载流气体，对掺杂气体经预热器进行预热处理并完全分解为氮原子单位形式，进入化学气相沉积室，供应浓度均匀的氮原子，...

本申请提供了一种化学计量碳化硅膜的制备方法，属于化学气相沉积技术领域。此方法包括以下步骤：S1、将基底清洗干净，放置于化学气相沉积室内；S2、对化学气相沉积室抽真空，然后用惰性气体清洗化学气相沉积室；S3、当室内温度达到预定沉积温度时，...

本申请提供了一种基于化学气相沉积工艺制备均质碳化硅膜的方法，属于化学气相沉积技术领域。此方法包括以下步骤：S1、将基底清理干净，放置于化学气相沉积室内；S2、对化学气相沉积室抽真空，然后用惰性气体清洗化学气相沉积室；S3、当室内温度达到...