本发明揭示了一种减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，在电阻弯曲布置于芯片上时，其弯折处形成有第一弯折区，第二弯折区，以及形成于第一弯折区和第二弯折区间的弯折相间区；该弯折相间区的面积大于或等于0.5个方块，所述第一弯折区和第二弯折...

本发明涉及一种防止闩锁效应的芯片结构及方法。该方法为：在芯片的驱动模块与其余模块之间加入nwell少数载流子保护环，使得靠近少数载流子环的衬底浓度减小，并增加衬底电阻，从而防止芯片中发生闩锁效应。进一步的讲，所述nwell少数载流子环接...

本发明提供一种LED驱动芯片的上电电路，其特征在于：它包括延时电路和电源电压检测模块，其中延时电路的输入端输入高压基准电压电流和低压基准电压电流，延时电路的输出端与电源电压检测模块的使能端连接；电源电压检测模块的输入端输入电源电压和参考...

本发明涉及一种卫星接收四选一芯片结构，其包括集成设置的开关管模块、选择模块、放大模块和供电模块，从卫星接收机发出的DiSEqC信号经放大模块放大处理后，再由MCU或专用信号处理集成电路解码形成控制信号，而后被输入开关管模块选通相应的开关...

本发明涉及一种有效的实现低阈值电压MOS器件的方法。该方法为：在形成MOS器件的过程中，令MOS器件只使用N阱或P阱的注入作为沟道的掺杂，降低沟道浓度，实现MOS管阈值电压Vt的降低。进一步的讲，该方法为：对于NMOS或PMOS器件，在...

本发明揭示了一种集成电路的ESD保护结构，其设置于集成电路的内部电路及焊盘间，该ESD保护结构由占用集成电路的芯片一定面积的PN结组成，该PN结在所占用芯片的面积上被设置成由复数小面积的PN结并联连接而成，以增加PN结内所包含的本征硅的...

本发明公开一种上拉电阻电路结构，其特征在于所述电路结构包含至少两个MOS管，所述至少两个MOS管并联在一起，其中一个MOS管的栅极接一控制信号，其余MOS管的栅极接一电流基准信号，所述并联在一起的MOS管的源极接电源，所述并联在一起的M...

本发明涉及一种DiSEqC四选一切换开关专用芯片，其包括集成设置的驱动模块、OSC模块、放大模块、解码模块和滤波整形模块；22KHZ载波信号经放大模块放大后，经滤波整形模块整形后，送入解码模块，解调出的指令经校验分析后选择输出LNB通道...

本发明揭示一种DC-DC转换器中电感峰值电流的检测电路及方法，该DC-DC转换器电路包括复数个功率开关管及一电感，通过设置一以一定比例镜像流过其中第一功率开关管电流的镜像管，与镜像管相串接的检测电阻，以及跨接在检测电阻两端的运算放大器，...

一种可修调的高精度RC振荡电路，包括：可产生供线性调节器和充电电流产生模块使用的稳定第一基准电压以及供RC振荡模块使用，呈现特定温度系数的第二基准电压的带隙基准模块；可产生供应给基准电流产生模块、充电电流产生模块和RC振荡模块作为电源使...

本实用新型涉及一种带隙基准电压检测电路，包括第一、二三极管，第一、二比较器和第一、二、三、四电阻；第一三极管的集电极经一第三节点与第一比较器的正极、第二比较器的负极以及第一电阻的一端分别连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻的一端以及第一...

本发明涉及一种带隙基准电压检测电路，包括第一、二三极管，第一、二比较器和第一、二、三、四电阻；第一三极管的集电极经一第三节点与第一比较器的正极、第二比较器的负极以及第一电阻的一端分别连接，第一电阻的另一端分别与第二电阻的一端以及第一比较...

一种兼具偏置和极化选择功能的集成电路，包括：基准电压及电流电路；控制电路，其根据由外设信号接收设备输入的极化选择信号与基准电压及电流电路提供的基准电压或电流信号的比较结果，选取水平和垂直极化通路之一处于工作状态；第一、二放大管偏置及保护...

本实用新型涉及一种利用红外发码管接收红外信号的集成电路，其与主要由红外发码二极管组成的发码电路连接，其特征在于，所述集成电路包括放大电路和可为放大电路提供偏置电压而使其处于放大工作状态的电压偏置电路，所述放大电路包括：一可接收并放大红外...

一种可集成的２２ｋＨｚ包络检测及频带开关电路，其采用一有源滤波电路对接收的输入信号进行滤波处理，筛选出２２ｋＨｚ信号，再放大发送至一峰值检波电路；峰值检波电路若连续接收到上述２２ｋＨｚ信号，输出电压逐渐拉升至高电平，而若未接收到上述信号...

本实用新型揭示了一种电压切换电路，其包括比较电路，控制电路以及由ＭＯＳ管构成的开关电路；所述比较电路对两个不同的输入电源电压即第一电源电压（ＶＩＮ）和第二电源电压（ＶＯＵＴ）进行比较后得到一数字信号，该数字信号传输到控制电路中控制处理后...

本实用新型涉及一种卫星接收四选一芯片结构，其包括集成设置的开关管模块、选择模块、放大模块和供电模块，从卫星接收机发出的ＤｉＳＥｑＣ信号经放大模块放大处理后，再由ＭＣＵ或专用信号处理集成电路解码形成控制信号，而后被输入开关管模块选通相应的...

本实用新型涉及一种信号放大电路，包括第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜，第一电流镜包括第一、二ＮＭＯＳ管；第二电流镜包括第三、四ＮＭＯＳ管；电流放大模块为电流镜结构，包括第一、二ＰＭＯＳ管；待放大信号依次经第一电流镜、电流放大模块和第...

本实用新型涉及一种复位电路，包括上电复位电路和掉电复位电路，所述上电复位电路包括第一、二、三场效应管，第一、二二输入与非门，第一、二、三、四非门，一或门，第一、二电容以及一缓冲延迟模块；所述掉电复位电路包括第四至第十场效应管，第五非门和...

本实用新型涉及一种电流检测电路。该电流检测电路包括与一端口连接的端口电路、第一电流镜、第二电流镜和处理电路，所述端口电路分别经第一电流镜和第二电流镜与处理电路连接，且第一电流镜与电源连接，第二电流镜接地。进一步地讲，所述第一电流镜和第二...