本发明提供一种防倒灌电路，被配置在GPIO电路上的输入驱动电路和/或输出驱动电路中，其分别与芯片内部供电电源、IO引脚、驱动电路控制信号源相连，用于在与其相连的电路正常工作时导通芯片内部供电电源和与其相连的电路之间的供电通路，并在芯片断...

本发明提供一种输入驱动电路，包括输入控制开关，所述输入驱动电路还包括一个或多个上拉单元，每个上拉单元设置有相应的下拉单元，其中：所述上拉单元与芯片内部供电电源以及IO引脚相连，包括第一上拉防倒灌电路、第一上拉电阻，所述第一上拉电阻串联在...

本发明提供一种输出驱动电路，包括：驱动级PMOS电路，其包括或非门、第一反向器、防倒灌电路，其中，或非门的输入端与芯片的逻辑单元相连、输出端与第一反向器的输入端相连，第一反向器的输出端与防倒灌电路相连，防倒灌电路还分别与芯片内部供电电源...

本申请提供了一种LLC谐振转换器以及LLC谐振系统，该LLC谐振转换器包括LLC谐振网络、整流器、第一开关模块、第二开关模块以及谐振控制电路，其中，整流器的输入端与LLC谐振网络的输出端电连接；第一开关模块包括第一IGBT以及第一二极管...

本实用新型公开了一种鳍式场效应晶体管。所述鳍式场效应晶体管包括碳化硅衬底、形成在所述碳化硅衬底上的埋氧化层、形成在所述埋氧化层的鳍式结构以及与所述鳍式结构配合的源极、漏极和栅极，与栅极接触的鳍式结构作为沟道区域，所述源极、漏极沿第二方向...

本实用新型公开了一种功率开关器件并联测试的PCB版图，包括驱动及与驱动相连的多个被测器件，每个被测器件与驱动之间连接的驱动走线的面积相等。本实用新型能最大限度的保持各驱动回路的寄生大小相同，使得测试电路更加的一致，为分析并联器件的均流一...

本发明提供一种fail

本发明提供一种GPIO电路，包括输出驱动电路、输入驱动电路，输出驱动电路包括输出控制电路，输入驱动电路包括输入控制开关，其中，输入驱动电路上配置有防倒灌电路，其分别与芯片内部供电电源、输入控制开关、输入电路控制信号源、IO引脚相连，用于...

本实用新型公开了一种具有双层连接板的新型接触元件。所述接触元件包括支撑部，所述支撑部具有第一接触面，所述第一接触面具有第一接触区域和第二接触区域，所述第二接触区域环绕第一接触区域设置，且所述第一接触区域的周向上间隔设置有两个以上的第一连...

本发明公开了一种高密度DreaMOS器件及其制作方法。所述高密度DreaMOS器件包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的源区、阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，所述外延层...

本实用新型提供了一种测试装置，测试装置包括：底座，具有放置部，放置部用于放置被测试件；检测组件，具有测试部，测试部对应放置部设置，测试部用于检测被测试件；传动组件，传动组件包括滑块、推杆以及第一弹性件，滑块可移动地设置在底座上，滑块具有...

本实用新型提供了一种芯片固定装置及机械臂组件，其中，芯片固定装置，包括：底座，具有放置芯片的放置槽；基体，沿竖直方向可移动地设置在底座的上方；第一下压件和第二下压件，第一下压件和第二下压件设置于基体；浮动压头，设置在第一下压件的底端；水...

本发明公开了一种宽带阻抗变换匹配网络及Doherty功率放大器，属于无线通信技术领域。所述宽带阻抗变换匹配网络包括电感L1、电容C1、电容C2及分布参数电路Z1，所述电感L1一端连接源阻抗Zc，另一端连接电容C2的一端和分布参数电路Z1...

本发明公开了一种高速DreaMOS器件及其制作方法。所述高速DreaMOS器件包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，所述外延层内还形成有...

本发明公开了一种功率开关器件栅极电荷的测量系统及方法。所述系统包括双脉冲测试平台，双脉冲测试平台包括：栅极驱动电路接被测器件的栅极，其包括双脉冲发生器、驱动电路和电阻负载，双脉冲发生器与驱动电路相连，电阻负载串联于驱动电路和被测器件的栅...

本发明公开了一种LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法。所述方法包括至少调整所述LDMOS器件的沟道掺杂区的掺杂分布，使所述LDMOS器件的半导体结构层内形成沟道价带能带的能谷，并使电子位于所述能谷内，从而在所述...

本发明公开了一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放大器模组及其输出匹配网络，所述输出匹配网络包括主寄生电容、辅寄生电容和电感，主寄生电容一端接主路放大器的漏极，另一端接电感；辅寄生电容一端接辅路放大器的漏极，另一端接电...

本发明公开了一种应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法。RFLDMOS器件包括衬底和外延层，所述外延层内分布有多层沟道区、漂移区和深阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述深阱区内形成有源区，所述多层沟道区包括多个沟道，至少一个...

本发明公开了一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法。所述光电探测器器件包括间隙带隙半导体形成的N型衬底、间隙带隙半导体形成的掺杂区域和间隙带隙半导体形成的P型区域，掺杂区域位于N型衬底和P型区域之间，且掺杂区域形成位于价带和导带之间...

本发明公开了一种应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件，其包括：衬底、外延层、源极、漏极和栅极，所述外延层内分布有漂移区、阱区、第一沟道区、第二沟道区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述第一沟道区分别与所述...